ドライエッチングの精密制御とは？課題と対策・製品を解説

研究開発分野では、実験の精度と再現性を高めるために、使用する材料の特性が重要になります。特に、半導体製造プロセスにおけるエッチング工程やCVD工程では、高温やプラズマ環境に耐えうる材料が求められます。熱伝導率が低いと熱がこもり、均一な反応を妨げる可能性があります。また、異物の発生は実験結果に悪影響を及ぼす可能性があります。当社の特殊セラミック部品は、これらの課題に対応し、実験の信頼性を向上させるために開発されました。

【活用シーン】
・エッチング工程における基板固定
・CVD工程における反応容器
・高温環境下での実験
・プラズマ環境下での実験

【導入の効果】
・高い熱伝導率による温度管理の最適化
・耐プラズマ性による部品の長寿命化
・異物発生の抑制による実験精度の向上
・高品質な実験結果の実現

ボールウェーブ株式会社は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術
総合開発機構の2020年度「研究開発型スタートアップ支援事業／
Product Commercialization Alliance（PCA）」に係る公募に応募し採択されました。

先端の半導体産業においては、半導体基板表面に形成する配線パターンの
超高精細化、超薄膜化が極限的に進んでいます。
これらの先端半導体プロセスでは、これまでは問題にされなかったような
ごく僅かな不純物でも製品欠陥の原因になりうるため、使用される原材料の
不純物を極限まで減らすことが求められています。

本研究では、当社の高速応答が可能で小型高感度なセンサ「ボールSAWセンサ」を
用いた微量水分計 FalconTrace および FalconTrace miniをもとに、
先端半導体プロセスで使用される特殊ガス中の微量水分をインラインで
モニターできる装置の製品開発を実施します。

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

用途、ご予算に応じてカスタマイズできますのでお問合せ下さい。
又、搬送機構を持たない汎用機もございます。

「CVDイットリア」は、耐プラズマ性に優れた透明性保護膜です。
密着性が高い緻密膜ですので、プラズマ処理プロセス（F系、Cl系）
で使用されるウィンドウ類の保護膜として有効です。

石英放電管タイプでチャンバー内突き出し型の
有磁場型マイクロ波励起イオン・ラジカル源

【特徴】
○プラズマ室は石英製で、金属汚染の少ないイオン・ラジカルが得られる
○特殊なアンテナ構造、磁気回路のため漏洩磁場が少ない
○完全金属シール構造により
　MBE装置等、各種超高真空装置に使用可能
○取付が容易な空冷式
○加速用高圧電源（オプション）の使用により
　イオン加速が可能。ラジカル源としても使用可能
○マイクロ波は同軸ケーブルにて供給されるため
　面倒な導波管接続が不要

●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。

三友製作所は新たなマイクロプラズマ加工技術の開発に成功しました。

当社が開発したマイクロプラズマ加工では、
プラズマ密度を高くしながらも、プラズマ径を小さくしているため、
高速加工とマスクレス局所加工の両方を可能にするスポットプラズマ技術です。

局所化プラズマにより深堀平坦加工や局所加工が可能となり、
半導体故障解析用試料の前処理時間の大幅な短縮を実現します！

この技術を応用した局所プラズマ加工装置では、
反応生成物を直接排気できるので加工残渣の低減を可能とし、
さらに、基板表面にプロセスガスを吹き付けずに局所加工が行えます。

【進呈資料】
■プラズマ源の比較資料（スポットプラズマの紹介）
■局所プラズマ加工装置の紹介資料

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
※特許の詳細もPDF資料をご覧ください。

『表面形状・シミュレーション・モジュール（FPSM3D）』は、
粒子モンテカルロ法により、基板表面での様々な反応を考慮し、
基板、堆積膜の経時変化を計算するモジュールです。

セル法特有のシャープな境界面は用いず、固体層占有率による勾配から
入射角を決定し、入射角依存の鏡面反射確率、反応確率に適用。

PVD、プラズマCVD、そしてエッチングなどどのような反応にも対応可能です。

【特長】
■粒子モンテカルロ法を用い、セル法により固体層占有率、表面被覆率を
　考慮し形状を表現
■ガス種、反応式、錯体、そしてポリマーなどの数に制限はない
■3次元直交メッシュで定義されるが、初期形状はトレンチ、ホールで
　与えることが可能
■入射粒子情報はPEGASUS気相モジュール、PEGASUS表面科学系モジュールからの
　出力を使用するか、もしくは当製品が備えている入力方法で使用者が指定
■反応式は使用者が定義し、鏡面反射確率、反応確率は入射角度および
　入射エネルギーに依存する関数を使用

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

-パーティクルフリーな動作で均等排気を可能にする
-卓越した圧力制御の実績
-サービスポート装備（USBでPCとControl Performance Analyzer(CPA)ソフトウェアの接続用）

真空機器関連商品　EBEP処理装置＜FAP-EB/2D＞は、低圧高密度プラズマによる高速・高品質表面処理装置で、CVD、エッチング、表面改質のプロセスに最適です。低圧力領域においてエネルギー可変電子ビームにより、プロセスガスを高効率に解離、電離を行なうことができ、高密度の活性種を生成することが可能。CCPプラズマ、ICPプラズマでは達成できないプラズマ状態を生成し、様々な材料の精密成膜、エッチング、表面改質ができます。φ100mmの酸化物、金属、樹脂等の成膜、表面改質に対応。ステージ加熟（Max500℃）、バイアス印加による高速高精度処理が容易となっております。
詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。

トップ精工では、使用条件に適した特性を持つベストな素材をご提案しています。

お客様が新製品の開発・立ち上げをされるケースに加え、
製品の性能、寿命、生産性、歩留り等の改善のため、素材の材質を
変更されてお客様が成功された事例が多数ございます。

【 事例１】 I社（電機メーカー）
■従来ご使用の材質／用途
　・アルミナ／熱処理工程
■問題点
　・高温でアルミナ治具がワレるトラブルが多い
■当社のご提案
　・タングステン
■改善後の評価
　・生産性が向上した

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

■溶射材料：イットリア
■溶射方法：プラズマ溶射
■施工方法：耐プラズマ性付与

AP160Mは、比例式ソレノイドバルブの開度をアナログ的に制御することによって、目的配管内の圧力を制御するものです。本装置は、特に半導体に使われるようなクリーンガスに対応できるよう、圧力センサや、接ガス部はオールメタルでできております。CV150シリーズは、比例式ソレノイドバルブの開度をアナログ的に制御することによって、目的配管内の圧力を制御するものです。本装置には、圧力センサは内蔵されておらず、外付けの圧力センサや流量センサを使うことでセンサ内蔵型とは、異なったファンクションを実現できます。
詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。

『True L-Motion Gate Valve』は、低振動の次世代型角型ゲートバルブです。

OPEN/CLOSE動作時の低振動化のほか、新機構により低発塵化を
実現しました。

オプションにより、シール材質の変更や表面処理の追加が可能です。

【特長】
■微細化する半導体プロセスに対応
■低振動：OPEN/CLOSE動作時の低振動化を実現
■低パーティクル：新機構により低発塵化を実現

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

電装産業株式会社では、半導体・液晶プロセスなどにおける
液体・気体などの流体をコントロールする製品を多数取り扱っています。

液体プロセス中の溶存気体を除去する「脱気モジュール」をはじめ、
耐薬品性やクリーン度を要求するラインの様々な液体をコントロールする
「ファインケミカルレギュレータ」や「プラグバルブ」などのテフロン製品
など、幅広いラインアップを提供しています。

※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

古河電子では『半導体製造装置用AlN部品』を取り扱っています。

窒化アルミニウム（AlN）は、熱伝導性・熱放射性（放熱）、耐熱衝撃性、
電気絶縁性に優れ、Siウェーハにマッチした熱膨張をもつ、特性の
バランスの良い材料です。

フッ素系ガス耐食性に優れるほか、Siにマッチした低熱膨張で、
温度変化によるウェーハの変形を防ぎ、また、デポ膜の剥離による
パーティクル発生を低減します。

【特長】
■熱伝導・熱放射率が大きく、均熱性が高い
■熱衝撃に強く、急熱・急冷に耐える
■Siにマッチした低熱膨張で、温度変化によるウェーハの変形を防ぐ
■デポ膜の剥離によるパーティクル発生を低減する

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『EPS-120』は、微細加工装置に適用できるECR(電子サイクロトロン共鳴)
放電型の高出力プラズマ源です。

複数配置により大面積プラズマを実現するモジュールコンセプト。

ドライエッチング装置やアッシング装置のソースパワーをはじめ、
反応性イオンビーム加工装置(RIBE)のイオン源などに応用できます。

【特長】
■独創的な磁石構成による大容積ECR磁場
■強力な冷却システムによるkW級大電力動作
■メタルコンタミフリーの誘電体ライニング
■複数配置により大面積プラズマを実現するモジュールコンセプト

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

■溶射材料：イットリア
■溶射方法：プラズマ溶射
■施工方法：耐プラズマエロージョン
■施工実績：半導体製造装置関連

『LBS-120HC』は、高速イオンビームミリング装置に適用できる
大電流DC放電型ラインビームイオン源です。

熱陰極を用いた大電流密度イオンビームで、最適化された
磁界設計による優れたビーム分布均一性が特長。

また、完全自動化で高速ビーム調整を可能とするように設計した
専用電源「SPS-HC2」もご用意しております。

【LBS-120HC 特長】
■熱陰極を用いた大電流密度イオンビーム
■最適化された磁界設計による優れたビーム分布均一性
■完全自動化された電源制御システムによる高速ビーム調整
■ニュートラライザ有り

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、150mmまたは200mmのシリコン半導体、125mmまたは
150mmの化合物半導体、および第3世代の半導体への中古製造装置設置、
再生装置販売を行っております。

製造装置には酸化拡散、注入装置、リソグラフィーマシン、エッチング、
洗浄装置、薄膜、CMP、測定などを含んでおります。

ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。

【対象の半導体】
■150mmまたは200mmのシリコン半導体
■125mmまたは150mmの化合物半導体
■第3世代の半導体

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社は、100-150mmのキャビティーボンディングSOIウエハーをMEMSの
広い分野において提供するリーディングサプライヤーです。

高度なウエハーボンディング技術を提供し、お客様のキャビティー
仕様の材料を革新的な製品への材料として可能にします。

アイスモスのキャビティーボンディングSOIウエハーはプレエッチング
されたキャビティーをシリコン薄膜下に持つ構造となり、これをお客様が
さらに市場の要求に見合う高度なデバイスへとデザインすることができます。

【特長】
■高度なボンディング技術
■解放時の付着問題を減らす
■簡潔な製造フロー
■低コストなCavity SOI/Si-Siのソリューション
■お客様に必要なアプリケーションに沿った自由度の高い構造

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ウェットエッチングによりガラスに微細な溝加工を行い、高精度のパターンを形成します。
パッド印刷の原版となるガラス凹版や、レチクル、最近ではマイクロ流路や光学センサー部品等、様々な用途でご採用いただいております。
弊社の強みは、ガラスにおいて様々な素材に対応した加工ができること、そして独自のノウハウで深さ10μ以上の溝加工を比較的安価にご提供できることです。
μ単位の高精度のウェットエッチングを得意としています。
また、蒸着設備を保有しているため、ガラスに蒸着した金属のパターンエッチングも行っております。

※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お問い合わせください。

超高速応答時間と高レベルな清浄度を備えた『GF125シリーズ』は、第二世代の多変量計測、PTI（圧力変動耐性）メタルシールマスフローコントローラです。圧力と温度の変動によるプロセスガス流量の変動を最小限に抑制します。標準のMultiFlo テクノロジーにより、ガスラインから切り離したり、精度を犠牲にすることなく、数千種類ものガスタイプとレンジの組み合わせをサポートします。

その結果、 収率と生産性を最大限に拡張する業界最高のPTI性能とともに、各ポイントの圧力レギュレータ、圧力トランスデューサ、関連するハードウェア設置の必要性を減らすことにより、ガスパネルのサイズとコストを縮小します。

【特長】
■長期的なゼロ点安定性：0.5％フルスケール/年以下
■セトリングタイム：300 ms - 700 ms以下
■フルスケール流量レート 最大300 slpm
■メタルシール流路：4µ インチ Raの表面仕上げ
■SEMI F20準拠接ガス･接液部材質
■耐腐食ハステロイ(R) 製T-Riseセンサ など

※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問合せください。

サンセイジェネリック株式会社は、半導体、LCD製造・装置開発、
設計・製造を行っております。

プラズマ用電源(高周波電源やマッチングユニット)、
各種測定機器などの開発～製造をしているほか、半導体製造用ROBOTの
開発にも携わっています。

また、それら半導体製造装置のサポートから保守作業も承っております。

【特長】
■初めての方でも安心対応
■少量を意識した設備
■高周波プラズマ機器の実績豊富
■フレキシブルな開発ライン
■オリジナル機器は1点からでも対応　など

※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

メンテナンス性や高精度インライン計測などのFUD-1 Model-13のメリットはそのままに、半導体製造プロセス 用として小型セル型発信器を特長としたモデルとなります。
薬液中の超音波伝播速度（音速）は薬液濃度及び温度によって変化する特性があり、本 濃度計は薬液中の音速・温度を高精度に測定します。
この音速・温度情報を基に内臓データロムに記録した検量線により濃度を演算し、出力します。

詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。

-パーティクルフリーな動作で均等排気を可能にする
-卓越した圧力制御の実績
-サービスポート装備（USBでPCとControl Performance Analyzer (CPA)とソフトウェアの接続用）

１．エッチング現象を時間変化（dt）で計算する高速エッチングシミュレータ
２．製造仕上がり形状計算と補正データ生成を行う双方向シミュレータ。補正データの生成／検証をサポート。
　他社補正データを使った製造仕上がり計算にも対応
３．16GBのメモリでパネルサイズ（500mmx600mm）の広域計算を実現
４．レジスト分布からエッチング圧を2.5次元的にみて計算するため、レジストギャップが大きく変わる場所の変化、
　凹凸部のえぐれや角だし等の変化量を自動計算。変化度合いはパラメータで調整することが可能　
５．計算ステップが進行して補正データ間が異常接近するときは補正計算を部分的に自動停止。指定されたDRC値に
　違反しない補正データを自動生成
６．DXF、Gerber、ODB++、GDSIIなどのCADデータ入出力入出力。CADデータの相互変換にも対応
７．簡単操作で高品質な計算結果を実現


　

本装置は、エッチングプロセス用の湿式除害装置です。
Cl2、HBr、BCl3、HCl、HF、SiF4、etc対象ガスを、
従来の湿式除害では出来なかったTLV値以下まで除去することが可能です。

【特長】
・吸着筒を水で再生するため、カートリッジは長寿命です。
・水のみを使用するため、アルカリ汚染がありません。
・水の使用量が少ないため、ランニングコストが低減できます。
・気液接触部での詰まりが少ない構造です。
・吸着筒の自動交互運転により連続除害が可能です。

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

ビームを中性化することで、これまで電荷粒子が問題になっていた誘電体や半導体への照射やエッチングプロセスにも最適です。

≪用途≫
■成膜前の基盤クリーニング
■常温接合前のサンプルクリーニング、表面の活性化
■半導体基板等のエッチング
■微細加工
■リアクティブアトムビームエッチング

≪特長≫

■電荷を持ったイオンによる衝撃と異なり、絶縁物や半導体試料にもチャージダメージなし
■ビームが電荷を持たないので、電場や磁場中でも曲がらず直進します

日本ブッシュは「Your Complete Sub Fab Partner（あなたのサブファブ・パートナー）」をテーマに SEMICON Japan 2023に出展し、半導体製造プロセスにおける安定性、安全性、効率性を支援するソリューションをご紹介します。

【みどころ-1】
ハーシュプロセスにおいて従来比２倍の耐久性を誇るドライポンプや、当社特許取得済みのガス除害装置など、最新の真空テクノロジーを展示します。
【みどころ-2】
無料コンサルティングセッション（事前予約制）では、グローバル市場での最新事例や豊富な知見をもとに、個別の課題に好適なリューションをご提案します。

両極とも真空管を採用している為、安定したプラズマ生成が可能になりました。

『CS-900』は、半導体製造工程における厳しい薬液濃度管理に
対応するため安定した測定精度、作業の安全性を考慮した独自の
配管保持構造、コンパクトデザインなど現場ニーズに好適な
高機能化を果たしている非接触型薬液濃度モニタです。

PFA配管へダイレクトに外付けする独自のセンサ構造により
コンタミリスクが"ゼロ"に。また、センサ取り付け時における配管施工等が
不要になり、薬液漏れなどの事故のリスク削除をもたらします。

【特長】
■光ファイバーを使用しない光学設計とアンプ・センサの小型化により
　設置レイアウトの自由度が向上
■完全非接触かつ高安定性を実現
■薬液（20℃～80℃）のダイレクト・安定測定を実現
■簡単取り付け、取り外しが可能

※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

『CCP-T60M/B2M』は、高精度かつ高信頼性の酸化膜微細加工を実現する
平行平板型エッチング装置です。

プロセスガスからラジカルを選択的に生成し、低電子温度、高密度プラズマが
得られる60MHzパワーを上部電極に印加。

また、常に適切なエッチングプロセス条件が維持されるシーケンスプログラムを
内蔵しています。

【特長】
■平行平板型エッチング装置
■高精度かつ高信頼性の酸化膜微細加工を実現
■プロセスガスからラジカルを選択的に生成
■60MHzパワーを上部電極に印加
■シーケンスプログラムを内蔵

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『AS-Fコーティング』は、離型・耐食・凝着防止に特化した独自のコーティングです。

特にハロゲン系ガスに対する優れた耐食性がメリットで、半導体製造工程で
使われる製品に好適。すでに多くの治具や金型に採用されています。

また、Hv1200の膜硬度をもつほか、ハスの葉のような表面構造で
離型性や摺動摩耗性にも優れています。

【特長】
■フッ素に反応しない特殊ターゲットを使用
■結晶のないアモルファス組織で、腐食成分の浸透を防止
■耐食性の高い成分をPVD製法で成膜することで高い密着性を確保

※詳しくはダウンロードボタンより資料をご覧ください。

★「試作無料キャンペーン」を実施中。（申し込み期限：2021年12月6日）
　お問い合わせフォームよりお気軽にお申し込みください。

当社では、様々なウエハへのサブミクロンスケールでの加工実績があります。
また、ご希望の周期パターン・アスペクト比での加工はもちろん、
パターンの設計からご提案等もさせていただいております。

当社は先端の半導体技術によるテストウエハで、お客様の技術・製品開発を強力に支援しております。
（ベアSiウエハ/ 膜付ウエハ/パターンウエハ)

トレンチパターンパターンウェハ『PT063』は、ボッシュプロセスによる深堀エッチング技術により高アスペクト構造を実現しております。
当社の標準レイアウトで、マスク寸法0.2µm~10µmのトレンチパターンを配置しており、最大アスペクト比は40~65程度となります。
開発効率化を求める皆様のニーズに答える製品としておすすめいたします。是非ご活用ください。

※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当資料は、『プラズマ技術』に関する内容を詳しくご紹介しております。

「真空プラズマとは何か」をはじめ、「真空プラズマによる表面活性化」や
「表面高度洗浄」などを掲載。

当社は、様々な機器構成で、多様なサイズに対応できる高品質なカスタマイズ
真空プラズマ装置をご提供します。

【掲載内容】
■プラズマ技術
■真空プラズマ処理とは
■表面活性化/表面改質（同時処理、個別処理）
■表面高度洗浄
■エッチング

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『HELICOFLEX』は、半導体製造装置用の高機能メタルシールです。

超高真空(UHV)、超高純度(UHP)、エッチング、CVDなどに幅広く対応。
エラストマーOリングからのコンパチ。

ご用命の際は当社へお気軽にお問い合わせください。

【特長】
■超高真空(UHV)、正圧用途
■高い耐熱性
■耐薬品性・耐腐食性

※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『龍馬(RYOMA)』は「簡単につなげて、中身を確認するツールが欲しい」
というユーザーの声を製品にしたデバイスネットマスフローサポートツールです。

MFCが間違いなく配線されているか？個々のMFCは正しく設定されているか？
当製品を使えば、PCでこれらの確認を行うことが可能です。

また、見るだけではありません。実際にガスを流して確認することもできます。

【特長】
■ソフトをインストールして付属のUSB変換ケーブルをつなぐだけ
■MFCの中身が見える
■様々な機器情報が判る
■接続機器の内容も保存でき、照合までできる
■実際にガスを流して確認することも可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

当社では、一般リン酸より純度が高く、電子材料用のエッチング剤として
使用されている「ELリン酸」や、微細な異物であるパーティクルを
低減した「EL-Sリン酸」といった高純度リン酸を取り扱っております。

電子材料エッチング用に好適です。
ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。

【ラインアップ】
■ELリン酸
　・荷姿：ポリエチレン缶（25kg）、ドラム缶（320kg）、ローリー（10t）
■EL-Sリン酸
　・荷姿：ポリエチレン缶（25,30kg）、ドラム缶（300kg）、ローリー（10t）

※詳細については、お気軽にお問い合わせください。