サイドウォール形状の改善とは？課題と対策・製品を解説

半導体業界の微細加工においては、高い精度が求められます。特に、直角度のわずかなずれが、製品の性能に大きな影響を与える可能性があります。直角度の理解は、品質管理において非常に重要です。この動画では、幾何公差の一種である「直角度」の基本を解説しています。 【活用シーン】 * 微細加工における図面解読 * 品質管理における測定方法の理解 * 製造現場でのトラブルシューティング 【導入の効果】 * 直角度に関する知識の向上 * 品質管理能力の向上 * 不良品発生率の低減

表面処理業界、特にプラズマ処理においては、精密な電圧制御が求められます。プラズマの生成と制御は、製品の品質や性能を左右する重要な要素です。不適切な電圧設定は、処理のムラや効率の低下を引き起こす可能性があります。GTシリーズは、出力可変機能により、プラズマ処理の最適な電圧設定を可能にし、高品質な表面処理を実現します。 【活用シーン】 ・プラズマエッチング ・プラズマCVD ・表面改質 ・プラズマ洗浄 【導入の効果】 ・最適なプラズマ生成による処理品質の向上 ・多様な材料への対応 ・高信頼性による安定した稼働 ・出力可変による柔軟な対応

当社は、100-150mmのキャビティーボンディングSOIウエハーをMEMSの 広い分野において提供するリーディングサプライヤーです。 高度なウエハーボンディング技術を提供し、お客様のキャビティー 仕様の材料を革新的な製品への材料として可能にします。 アイスモスのキャビティーボンディングSOIウエハーはプレエッチング されたキャビティーをシリコン薄膜下に持つ構造となり、これをお客様が さらに市場の要求に見合う高度なデバイスへとデザインすることができます。 【特長】 ■高度なボンディング技術 ■解放時の付着問題を減らす ■簡潔な製造フロー ■低コストなCavity SOI/Si-Siのソリューション ■お客様に必要なアプリケーションに沿った自由度の高い構造 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

プリント基板上の高周波アンテナパターン作製の際に使用するビルドアップビアの形成技術です。ビルドアップビアは通常レーザー加工が一般的ですが、メカニカルドリルによる高精度ビア形成と開発したハイアスペクト対応メッキ層により、ドリル径0.1５ｍｍ、層間距離0.6mmのハイアスペクト比４のビア形成を実現。高周波アンテナパターンのフレキシブルなアンテナ設計を可能にしました。

当社は先端の半導体技術によるテストウエハで、お客様の技術・製品開発を強力に支援しております。 （ベアSiウエハ/ 膜付ウエハ/パターンウエハ) トレンチパターンパターンウェハ『PT063』は、ボッシュプロセスによる深堀エッチング技術により高アスペクト構造を実現しております。 当社の標準レイアウトで、マスク寸法0.2µm~10µmのトレンチパターンを配置しており、最大アスペクト比は40~65程度となります。 開発効率化を求める皆様のニーズに答える製品としておすすめいたします。是非ご活用ください。 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社は、『サンドブラスト+ウエットエッチング工法によるガラス貫通穴 加工サービス』を行っています。 ITO / Cr / Ti / Al / Au / Ag / Cu / Ni / Mo合金等、薄膜～厚膜金属に対応。 ガラス両面への配線パターン・多層配線も製作可能なのでご相談ください。 【基板内容】 ■無アルカリガラス ■φ12インチ×0.3mmt ■開口径：φ150μm ■ピッチ：300μm ■穴数：700,000個 ■金属膜：8,000Å ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

弊社フォトリソウエットエッチングプロセスで回路や遮光性等の機能を ガラスやフィルムに持たせることが可能です。 本プロセスで作られた基板は、有機ELディスプレイ、有機EL照明、光学部品、太陽電池、MEMS部品等、様々ところで使用されています。

当社では、様々なウエハへのサブミクロンスケールでの加工実績があります。 また、ご希望の周期パターン・アスペクト比での加工はもちろん、 パターンの設計からご提案等もさせていただいております。

近年、高耐圧デバイスの材料としてSiCが注目されています。Trench MOSFET構造は、素子の高集積化に必要であり、SiCデバイスへの応用展開が進められています。 Trench MOSFET構造のチャネル領域はトレンチ側壁であるためトレンチ側壁の平坦性がデバイスの信頼性に関わってきます。本資料ではSiC Trench MOSFETのトレンチ側壁の粗さについて、AFM（原子間力顕微鏡）を用いて定量的に評価した例を紹介します。

Positive DFR 110は、既存製造ラインにて使用可能なサブトラ用３μ膜厚ポジ型DFRです。 主要成分特許登録済み。 ラミネーション時にボイド及びシワが発生しないためロールラミネーターに使用できます。 5μスペース(狭ギャップ)にエッチング液が拡散し、エッチング解像力が向上します。 粗化処理不要、高周波対応。優れた密着性があります。 【特徴】 ○ラミネーション時にボイド及びシワが発生しない ○5μスペース(狭ギャップ)にエッチング液が拡散 ○優れた密着性 ○1％炭酸ソーダ現像 ／スカム発生ゼロ ○レジスト破片発生ゼロ剥離 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

チャンバー手動開閉式研究開発用タイプから大気ゲート、搬送機構、カセットステーションを増設した全自動システムまで貴社のご要望に適したバージョンが選択できます。プロセス再現性を重視し電極温調用チラー、ＡＰＣを標準装備し、高真空プロセス対応のターボポンプを増設することができます。 【特長】 ○RIEプラズマエッチング装置 ○6インチまでのシリコンウエハ、小型角基板の異方性エッチングが可能 ○8，12インチ用装置も設計可能 その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問合せ下さい。

武蔵野ファインガラスでは、レーザーによる改質をおこなった上で、 エッチングをおこなう技術を開発しました。 超短パルスレーザーの照射により、物性の異なる領域をガラス内に形成し 希望の形状にエッチングできるようにする方法です。 この「レーザー」と「エッチング」を組み合わせた加工によって、 従来難しかった縦長、細長な微細穴あけ加工を実現しています。 【実績例】 ■アスペクト比約5 基板t0.4mm 孔径φ80μm ■アスペクト比約7.5 基板t0.6mm 孔径φ80μm ■アスペクト比約2.8 基板t0.5m 孔径φ180μm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

東京化工機の『エミネント2』は、5カ国180装置納入実績を誇る エッチング装置「エミネント」の後継機です。 スプレー形状、流量改善等による基板上下両面の均一性が、 35％以上改善されました。 また、新型ホイールを採用し、コア材40μm基板の量産搬送対応を確立。 メンテナンス性も大幅に向上しました。 【特長】 ■エッチング均一性向上 ■薄物搬送性向上 ■メンテナンス性の大幅向上 ■パターン精度向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。