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半導体製造装置・材料

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焦点深度の最適化とは?課題と対策・製品を解説

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露光・現像における焦点深度の最適化とは?

半導体製造における露光・現像工程では、微細な回路パターンをウェハー上に高精度に転写する必要があります。焦点深度(Depth of Focus: DOF)とは、レンズの焦点が合っているとみなせる範囲の深さを示します。この焦点深度を最適化することは、回路パターンの鮮明さや均一性を保ち、歩留まりを向上させるために極めて重要です。特に、より微細な回路パターンを形成する際には、焦点深度の管理がより一層困難になります。

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【半導体製造向け】ボイスコイルフォーカスステージ V-308

【半導体製造向け】ボイスコイルフォーカスステージ V-308
半導体製造分野では、微細化の進展に伴い、検査・計測・露光工程におけるZ軸方向の高精度位置制御がますます重要になっています。焦点位置のわずかな変動が、検査精度やプロセス安定性に影響を及ぼす可能性があります。V-308 Voice Coil PIFOCは、最小10 nm分解能と最大7 mmの移動範囲を備えたZ軸フォーカスドライブです。最大1 kgまでの重力補償機能により、重量のある光学系や対物レンズでも安定した位置決めを実現。ダイレクトドライブ方式により、滑らかで高速な応答性と高い再現性を提供し、半導体製造装置の精密フォーカス制御をサポートします。 【活用シーン】 ・ウェーハ検査装置のオートフォーカス制御 ・光学計測装置のZ軸位置決め ・マスク検査装置のフォーカス補正 ・微細パターン検査工程 【導入の効果】 ・ナノレベルのフォーカス制御による検査精度向上 ・重量補償機能による光学系の安定保持 ・高速応答による検査スループット改善 ・プロセス安定性の向上

【AR/VR向け】液晶マイクロディスプレイ

【AR/VR向け】液晶マイクロディスプレイ
VR/AR業界では、高い没入感を実現するために、表示の遅延を最小限に抑え、鮮明な映像を提供することが求められます。特に、ユーザーの視覚的な体験を左右するディスプレイの応答速度と解像度は重要です。応答速度が遅いと、映像のブレや残像が発生し、没入感を損なう可能性があります。当社の液晶マイクロディスプレイは、約100μsの高速応答により、VR/ARにおける没入感を高めます。 【活用シーン】 ・VRヘッドセット ・ARグラス ・没入型シミュレーション 【導入の効果】 ・高速応答による残像感の低減 ・鮮明な映像表示による没入感の向上 ・小型・軽量化によるデバイスの快適性向上

【半導体向け】PIHera高精度Z軸ステージ 0.1 nm分解能

【半導体向け】PIHera高精度Z軸ステージ 0.1 nm分解能
半導体業界では、高精度な位置決めが求められます。特に、ウェーハ検査や微細構造の計測においては、サブナノレベルの安定性と高速な制御が不可欠です。位置決めの誤差は、計測結果の信頼性を損ない、歩留まりの低下につながる可能性があります。本製品は、0.1 nmの分解能と0.02 %の直線性により、半導体計測における高精度な位置決めを実現します。 【活用シーン】 ・ウェーハ検査 ・微細構造計測 ・干渉計 ・共焦点顕微鏡 【導入の効果】 ・計測精度の大幅な向上 ・歩留まりの改善 ・高速かつ高精度な位置決め ・サブナノレベルの安定性 詳細な製品仕様についてはカタログからご確認いただけます。ご質問などございましたら、ぜひお問い合わせください。

【半導体向け】0.1nm分解能 小型X軸ピエゾステージ

【半導体向け】0.1nm分解能 小型X軸ピエゾステージ
半導体業界では、製造プロセスの微細化に伴い、高精度な位置決めが不可欠です。特に、ウェーハの検査や露光工程においては、わずかな位置ずれが製品の品質を大きく左右します。P-620.1/629.1は、これらの課題に対応し、高精度な位置決めを実現します。内臓の静電容量型センサーにより、リニアリティエラー0.02%を達成し、半導体製造における歩留まり向上に貢献します。 【活用シーン】 ・ウェーハ検査 ・露光工程 ・光学アライメント ・干渉計測 【導入の効果】 ・高精度な位置決めによる品質向上 ・歩留まりの向上 ・製造プロセスの効率化 詳細な製品仕様についてはカタログからご確認いただけます。ご質問などございましたら、ぜひお問い合わせください。

【半導体製造向け】高精度ピエゾナノポジショナー P-611.1

【半導体製造向け】高精度ピエゾナノポジショナー P-611.1
半導体業界では、製造プロセスの高度化に伴い、ウェーハやマスクの位置決めにおける高い精度が求められます。特に、微細加工や検査工程においては、ナノメートルレベルの位置決め精度が製品の品質を左右します。従来のシステムでは、大型化や高コストが課題となっていました。P-611.1ピエゾナノポジショナーは、設置面積わずか44 x 44mmのコンパクト設計でありながら、最大120μmのストロークと0.2nmの分解能を実現し、半導体製造における精密位置決めを低コストで実現します。 【活用シーン】 ・ウェーハプロービング ・マスクアライメント ・微細加工 ・検査工程 【導入の効果】 ・高精度な位置決めによる歩留まり向上 ・装置の小型化による省スペース化 ・低コスト化による投資対効果の向上

【半導体検査向け】P-725.xCDE2 フォーカススキャナ

【半導体検査向け】P-725.xCDE2 フォーカススキャナ
半導体検査装置では、微細な欠陥の検出や3Dフォーカス評価のために、高分解能なZ方向位置制御と迅速なステップ動作が求められます。P-725.xCDE2 PIFOCフォーカススキャナは、サブナノメートル分解能と最大800 µmのフォーカスレンジを両立した高精度アクチュエータです。 PICMAピエゾアクチュエータと静電容量センサー内蔵フレクシャガイド機構の組合せにより、高い線形性・再現性・安定性を実現します。これにより、半導体検査におけるZフォーカスの高精度制御と高速スキャンが可能になり、検査プロセスの精度向上と装置のスループット改善に貢献します。 【活用シーン】 ・ウェーハ表面欠陥検査のZフォーカス制御 ・チップ・パッケージ検査における高分解能イメージング ・光・レーザー式検査装置の高速Zスキャン ・光学検査、共焦点光学顕微鏡を用いた欠陥解析 【導入の効果】 ・高精度フォーカス制御による測定精度の向上 ・高速なZステップ動作による検査スループット改善 ・安定した長期動作と装置信頼性の向上

【半導体製造装置向け】ピエゾナノポジショナー

【半導体製造装置向け】ピエゾナノポジショナー
半導体製造工程では、ウェーハ加工や検査工程においてナノメートルレベルの精密な位置決めが求められます。特に微細化が進む半導体プロセスでは、位置決め精度が製品品質や歩留まりに大きく影響します。 P-611.XZ / P-611.2は、44 mm × 44 mmのコンパクトな設計ながら、最大120 µmの動作量と0.2 nmの高分解能を実現するピエゾナノポジショナーです。高精度フレクシャガイド機構とPICMA(R)ピエゾアクチュエータにより、半導体製造装置や検査装置における安定したナノポジショニングを可能にします。 【活用シーン】 ・半導体製造装置 ・ウェーハ検査装置 ・ナノ加工・微細加工装置 ・光学アライメント装置 【導入の効果】 ・ナノレベルの位置決めによる歩留まり向上 ・高精度ポジショニングによる検査精度向上 ・コンパクト設計による装置組込みの容易化 ・高い再現性による安定したプロセス制御

【エアロフィックス導入事例】A社様

【エアロフィックス導入事例】A社様
A社様は、レーザーアニールでワークに光をあてるためピント合わせが 難しく、ワークを浮かせたままレーザーをあてたいが、 従来チャックではしっかり固定できず困っていました。 そこで『エアロフィックス』を導入。 精密、安定した浮上が可能になりピント合わせがラクになりました。 また、細かい気孔による部分吸着が威力を発揮し、作業効率が大きく 向上しました。 【事例概要】 ■導入先:A社様 ■用途:浮上 ■活用:中小型ディスプレイのエキシマレーザーアニール装置の浮上台として ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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露光・現像における焦点深度の最適化

露光・現像における焦点深度の最適化とは?

半導体製造における露光・現像工程では、微細な回路パターンをウェハー上に高精度に転写する必要があります。焦点深度(Depth of Focus: DOF)とは、レンズの焦点が合っているとみなせる範囲の深さを示します。この焦点深度を最適化することは、回路パターンの鮮明さや均一性を保ち、歩留まりを向上させるために極めて重要です。特に、より微細な回路パターンを形成する際には、焦点深度の管理がより一層困難になります。

​課題

微細化に伴う焦点深度の狭小化

半導体回路の微細化が進むにつれて、露光装置の焦点深度は物理的に狭くなります。これにより、ウェハー表面のわずかな凹凸や装置の振動でも焦点ずれが発生しやすくなり、パターン欠陥のリスクが増大します。

ウェハー面内での焦点深度のばらつき

ウェハー全体で均一な焦点深度を維持することは困難です。ウェハーの反りや厚みのばらつき、露光装置の光学系の不均一性などが原因で、ウェハー面内で焦点深度が異なり、パターン品質にばらつきが生じます。

現像工程での焦点ずれの影響増大

露光工程で生じたわずかな焦点ずれが、現像工程でさらに顕著になることがあります。現像液の浸透や反応が焦点ずれの影響を受け、パターン形状の崩れや寸法誤差を引き起こす可能性があります。

高アスペクト比パターンの形成困難

近年要求される高アスペクト比(高さと幅の比率が大きい)のパターン形成では、焦点深度の管理がさらに難しくなります。パターンの側面を垂直に保つために、より厳密な焦点制御が不可欠です。

​対策

先進的な光学設計の採用

焦点深度を広げるための高度な光学設計(例:非球面レンズ、回折光学素子)を採用することで、露光装置自体の焦点深度を物理的に改善します。

リアルタイム焦点制御システムの導入

ウェハー表面の状態をリアルタイムで計測し、露光中にレンズのピントを自動調整するシステムを導入することで、ウェハー面内の焦点ずれを補正します。

露光・現像条件の最適化

露光エネルギー、現像時間、現像液の種類などのパラメータを、焦点深度の制約を考慮して最適化することで、パターン形成の許容範囲を広げます。

ウェハー平坦化技術の向上

ウェハー製造工程における平坦化技術を向上させ、ウェハー表面の凹凸を最小限に抑えることで、焦点深度のばらつき要因を低減します。

​対策に役立つ製品例

高解像度露光装置

先進的な光学系と精密な焦点制御機構を備え、狭い焦点深度下でも高精度なパターン転写を可能にします。

ウェハー面内計測システム

露光前にウェハー表面の凹凸や反りを高精度に計測し、露光装置にフィードバックすることで、焦点制御の精度を高めます。

最適化されたフォトレジスト材料

焦点深度の制約を受けにくく、現像工程でのパターン形状再現性に優れたフォトレジスト材料は、露光・現像工程全体の歩留まり向上に貢献します。

高度なプロセス制御ソフトウェア

露光・現像工程の様々なパラメータを統合的に管理・最適化し、焦点深度のばらつきによる影響を最小限に抑えるための高度な制御を提供します。

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