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プロセス時間の短縮とは？課題と対策・製品を解説
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平坦化におけるプロセス時間の短縮とは？
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■グリコールエーテル
低金属管理された高品質グリコールエーテルは、半導体や液晶などの製造プロセスにおいて、フォトレジスト、剥離剤、洗浄剤、エッチング剤などの溶剤として広く利用されています。当社は各金属を数ppbレベルに管理した高品質なグリコールエーテルを豊富に取り揃えており、構造や沸点を広範囲で選択可能です。また、原料調達、合成、蒸留を一貫して行いトレーサビリティの体制を整えることで電子材料業界のお客様からの厳しい品質管理要求に応えています。
更なる管理体制の充実により、pptレベルの管理の実現を目指しています。
■アミン
当社で製造しているアミンにおいても、低金属管理を行っています。
添加剤として、半導体製造プロセス薬剤に使用されています。
当社で生産していないアミン類に関しましても、精製によりお客様のご要望にお応えできる低金属管理品を提供できますので、お気軽にご相談ください。
※詳細はPDF資料をダウンロードし、ご覧ください。
半導体、液晶の製造プロセス薬剤『グリコールエーテル・アミン』
当カタログは、CMP及びウェハ直接接合試作・量産、それに伴う
プロセスの移管を行うD-processの総合カタログです。
CMP受託加工をはじめ、ウエーハ接合受託加工やシード層形成・
めっき受託加工などについて詳しく掲載しております。
【掲載内容（抜粋）】
■CMP受託加工
■ウエーハ接合受託加工
■シード層形成・め っき受託加工
■その他プロセス受託加工
■バックグラインディング（薄片化）・ラッピング/ダイアモンドポリッシング
■エッジ処理・ダイシング
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
接合前CMP受託加工サービス【総合カタログ進呈中】
当社では『TSV CMP受託加工』を承っております。
通常の半導体用Cu CMPに用いられるCu slurryに対して
10倍近くの加工速度を確保しているスラリーを用いたCMPプロセスを
適用しているため短時間に処理を終えることがで きます。
当社のCMP受託加工では、超高速Cu CMPの確立により
超高精度且つ低価格を実現しております。
【特長】
■加工時間を短縮
■加工精度の向上にも寄与
■超高速Cu CMPプロセス
■ディッシングを極限まで低減
■超高精度且つ低価格を実現
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
TSV CMP受託加工
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平坦化におけるプロセス時間の短縮
平坦化におけるプロセス時間の短縮とは？
半導体製造プロセスにおける平坦化工程は、ウェハー表面の凹凸を均一に削り取ることで、後工程の歩留まり向上に不可欠な技術です。この工程にかかる時間を短縮することは、生産性向上とコスト削減に直結するため、業界全体で重要な課題となっています。
課題
研磨速度の限界
従来の研磨材料や方法では、一定以上の研磨速度を達成することが難しく、プロセス時間のボトルネックとなっています。
均一性の維持
研磨速度を上げると、ウェハー表面の均一性が損なわれやすくなり、品質低下のリスクが高まります。
材料の摩耗と交換頻度
高速研磨に耐えうる材料の耐久性が低い場合、頻繁な交換が必要となり、ダウンタイムが増加します。
複雑な形状への対応
微細化・高集積化に伴い、より複雑なウェハー形状に対応する必要があり、従来の平坦化手法では時間がかかります。
対策
高効率研磨材料の開発
より硬度が高く、かつウェハー表面へのダメージを抑える新しい研磨材料を開発・採用します。
最適化された研磨条件の探索
圧力、回転数、研磨液の種類・流量などを精密に制御し、最適な研磨条件を見つけ出します。
自動化・インライン計測の導入
プロセス中の自動調整やリアルタイムでの品質計測により、手戻りを減らし、効率を向上させます。
代替平坦化技術の検討
化学的・機械的な研磨以外の、より高速な平坦化技術（例：プラズマ処理、レーザーアブレーション）の導入を検討します。
対策に役立つ製品例
高性能研磨パッド
高い研磨能力と耐久性を両立し、高速かつ均一な平坦化を実現する特殊構造の研磨パッドです。
精密制御研磨液
ウェハー表面の材質や凹凸に合わせて最適な化学反応を促進し、効率的な除去を可能にする研磨液です。
インライン計測システム
プロセス中にウェハー表面の平坦度をリアルタイムで測定し、自動で研磨条件をフィードバックするシステムです。
次世代平坦化装置
AIによる最適化制御や、複数の平坦化技術を組み合わせることで、従来比で大幅な時間短縮を実現する装置です。
