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成膜速度の向上とは?課題と対策・製品を解説

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薄膜形成における成膜速度の向上とは?
半導体製造プロセスにおいて、基板上に均一で高品質な薄膜を形成する技術は不可欠です。成膜速度の向上は、生産効率の劇的な改善、コスト削減、そしてより微細な回路パターンの実現に直結するため、業界全体の競争力強化に大きく貢献します。
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【ドローン向け】グラファイトシート
技術紹介『フォトカソード技術』
提案事例 マグネトロンスパッタ用磁気回路の短納期製作
電池製造設備
『枚葉式自動剥離積層装置』 品種・重複検査による高稼働率を実現!
光ファイバー用巻き取り・巻き戻し装置『TD-1M』
サブミニチュアランプ カタログ
窒化アルミ製セラミックヒータ
ワッティーが提供する『窒化アルミ製セラミックヒータ(Hi watty)』は、
半導体製造装置にご使用いただけます。
純日本製高性能ヒータを使用しており、室温から600℃まで5秒で昇温。
製作可能寸法は130×130mmまたはΦ130mm以下で、カスタムが基本と
なっています。
【特長】
■5秒で600℃ 純日本製高性能ヒータ
■高速昇温、高速冷却
■金属アルミに近い熱伝導
■熱膨張が小さい
■電気絶縁性が高い
■優れた耐腐食性
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
▼お問い合わせ先
TEL:相模原事業所 042-704-5352
MAIL:info@watty.co.jp
高真空度クラス対応形スイッチ『GNシリーズ』
『GNシリーズ』は、低アウトガス対応部品だけで製造した、
高真空環境専用の位置決めスイッチです。
真空蒸着装置やスパッタリング装置内の、ウェハーやマスクの位置決め
用途で、大手半導体製造装置メーカーに続々と採用されています。
【主な仕様】
■接点構造:接点形
■動作形態:A:NO/B:NC
■動作点の繰返し精度:ON⇔OFFとも 0.003mm(レンジ)
■対応真空度/ベーキング許容温度:10-5Pa/120℃
■動作までの動き:約0.3(A:NO)/なし(B:NC)
■応差:0
■接点精度寿命:300万回
■ストローク:1.5mm
■接触力:0.5N
■接点定格:DC5V~DC24V 定常電流10mA以下(突入電流20mA以下)
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【導入事例】GaN製造装置のガスノズルの設計最適化
「GaN(ガリウムナイトライド)」とは、5G基地局の電源としても採用が
期待されている、パワー半導体です。薄切りの円盤のウエハとして使われるのが
一般的ですが、最初に製造する状態は円柱形です。
GaNの円柱は、下から空いた穴からGaNの原料となるガスを噴出し、結晶を
成長させます。実際の穴は100個以上で、無限の組み合わせがあります。
シミュレーションをすると、それにかかるのは1条件なんと6時間。1000通りやると
6000時間=250日とかなりの時間が奪われてしまいます。
そこで活躍するのが、アイクリスタル社の「プロセスインフォマティクス」です。
ランダムに作った1000通りのシミュレーション結果をAIに学習させることで、
計算時間を大幅に短縮します。その時間なんと、1条件につきわずか1秒。
AIにより計算時間を大幅に短縮できたことで、10000通りもの条件を
たった3時間程度で計算可能に。これによりガス条件・穴の配置を最適化でき、
成長速度をなんと3倍にすることに成功しました。
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
フィルムシートヒーター 高温タイプ
恒温槽からの切り替え需要急増!「HAS-1016」
組込み向け高速起動ソリューション
当社では、起動時間の最適化・システム性能チューニングなどの
組み込みOSの高速化コンサルティング&サポートを行っております。
リアルタイムOS(RTOS),Linux,Android等の組み込みOSは、3rdPartyや
SoCベンダが提供するSDKをそのまま利用することは少なく、限られたハード
ウェアリソースで目標性能/信頼性を実現するために性能チューニングが必要。
お客様の組み込みOS製品導入を経験豊富なエンジニアが支援します。
【実績】
■アプリケ ーション起動までの時間を大幅削減(SoCベンダ提供30秒→8秒)
■ボトルネック解析を実施し、処理並列化などの高速化処理を実施することで
起動時間を短縮
■製造時検査時間を大幅短縮し、製造コストを約1200万円削減
■起動処理の高速化により検査工数を削減
※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
真空装置設計・製作事例【スパッタ装置】
冷陰極ランプ製造ライン
ゲッターポンプ Insi torr「Fast Pump」
ゲッターポンプ Insi torr「Fast Pump」は、サエスグループが開発した非蒸発型ゲッターNEG技術に基づく超高真空ポンプです。
このポンプは、アプライドマテリアルズ製PVD、アルミニウムスパッターのために開発されました。
このポンプの開発によってチャンバーがベントしてから復帰して操業に戻るまでの時間が大幅に短縮されます。
【特徴】
○インシトールファーストポンプをチャンバー内に設置することで
ダウ ンタイムを11時間から7時間に短縮される
○既存設備に改造取付が可能
○フットプリントに影響を与えず、アップグレーディングに威力を発揮
○パーティクル特性やフィルム特性に何らネガティブな影響を与えない
詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
BAKファミリー 全自動蒸着機能搭載
新しいレベルの柔軟性とプロセス制御を備えた蒸着機である『BAKファミリー』は、パワー
デバイス、ワイヤレス、LED、MEMS、およびフォトニクス向けに単に蒸着作業を提供するだけでなく、基板の自動交換と高スループットを実現する新世代蒸着装置です。
大学や研究機関向けのコンパクトなBAK501から、大量生産用のMulti BAKまで研究開発から量産 まですべてのお客様に適したBAKをご提案可能です。
【特長】
■0.5m~2.0mの蒸着距離を選択可能
■多元材料を真空破壊なしに使用可能な柔軟性の高いプロセス
■ロードロックやローディングロボットを組み込んだ全自動式も選択可能
※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
マイクロセラミックヒーター『SCPUシリーズ』
『SCPUシリーズ』は、高耐熱性・高絶縁性に優れたセラミックシートに
タングステン抵抗体を挟み込んだヒーターです。
発熱体のタングステン抵抗体は高温域での使用に好適。
独自の発熱パターンを採用しており、筐体も小さく薄くコンパクトに
設計している為、省スペースでの加熱が可能となっております。
昇温スピードも極めて高く、レスポンスに優れた製品です。
【特長】
■発熱体のタングステン抵抗体は高 温域での使用に適している
■筐体は薄くコンパクトに設計しており、省スペースでの加熱が可能
■昇温スピードが極めて高く、レスポンスに優れている
■約30~40秒程度で500℃まで昇温することができる
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
リニアPECVDプラズマ源
『リニアPECVDプラズマ源』は、標準的な静電容量結合プラズマ電極に類似した
製品です。
インラインダイナミックモードで動作しており、基板、キャリア、または
ウェブは絶えず電極を通過し、連続的に製膜されています。
CCP CVDを用いる静止モードで大型の基板を均一に製膜するという機械的、
電気的な大規模作業が求められる場合であっても、リニアPECVDは
空間パラメーター を一次元のタスクに削減。より高い製膜速度獲得のため、
VHF周波数による製膜が想定される場合でも、巧みに取り扱うことができます。
【特長】
■連続移動する基板には容量結合ダイナミックPECVD
■連続供給シート、キャリア、またはロール・ツー・ロールプロセス
■側面に統合されたガス分布システム
■組込まれたプロセスガス排気システム
■自由な運転姿勢:上向き、下向き、垂直
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
新対向ターゲットスパッタリング(NFTS)装置
新対向ターゲット式スパッタ(New Facing Targets Sputtering:NFTS)技術は
高密度プラズマを箱型空間に拘束することにより、堆積基板へのエネルギー種
(反跳粒子、イオン、電子)の衝撃によるダメージを抑制できる原理・構造を
特長とする成膜技術です。
NFTS技術により、これまでのスパッタ技術では困難とされていた低温・低ダメージで
高品質な薄膜を形成することができ、かつ高い生産を有する成膜技術となっています。
【特長】
■対向ターゲット構造
・対向ターゲット間におけるプラズマ拘束
→基板への高エネルギー粒子の抑制→低ダメージ成膜
→基板への大量の電子抑制(ジュール熱の抑制)→低温成膜
■プラズマ源の箱型化
・真空槽とプラズマ源の分離
→真空槽の小型化による装置全体の小型化を実現
→装置の操作性・メンテナンス性の向上
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
光ファイバケーブル製造装置

















