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半導体製造装置・材料

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酸化膜厚の均一化とは?課題と対策・製品を解説

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ウェーハ表面の酸化における酸化膜厚の均一化とは?

半導体製造プロセスにおいて、シリコンウェーハ表面に形成される酸化膜の厚みを、ウェーハ全体で均一に保つ技術のことです。これは、半導体デバイスの性能や歩留まりに直結する重要な工程であり、微細化が進むにつれてその重要性が増しています。

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半導体製造業界では、高品質な製品を安定的に生産するために、温度管理が非常に重要です。特に、ウェーハや基板の均熱は、製造プロセスにおける歩留まりや製品性能に大きく影響します。温度ムラは、製品の品質低下や不良品の発生につながる可能性があります。当社のシリコンラバーヒーターは、均熱性に優れ、精密な温度管理を実現することで、半導体製造における課題解決に貢献します。

【活用シーン】
・ウェーハの均熱
・基板の均熱
・半導体製造装置の温度管理

【導入の効果】
・温度分布の均一化による品質向上
・歩留まりの改善
・製品の信頼性向上

【半導体製造向け】シリコンラバーヒーター

●テラテック工法とは…
硬質発泡ウレタン「テラテック樹脂」をコンクリート土間床下に注入し、
その膨張力で床下の空洞を埋め、沈下した床を水平にする特許工法です。
床を壊さないため、棚や機械の移動もなく業務を止めません!

▼解決してきた様々なお悩み
【傾き】
・工場の床の凹凸に困っている。コンクリート床を平らにしたい。
・倉庫の床が緩やかに傾斜し、自動ラックがズレて動作不良がある。
・機械を設置した場所が沈み、機械の傾きが発生している。

【沈下】
・コンクリート土間床が真ん中に向かって下がっている。
・学校の体育館の土間床が地中梁を除き沈下している。
・倉庫の床面に窪みがあり、商品の保管や作業員の安全面が不安。

【段差】
・床の段差や傾きに困っている。増し打ちで補修してきたが、根本解決したい。
・冷蔵倉庫の入り口に段差ができていてフォークリフトが通行しにくい。

【空洞・空隙】
・機械の振動が酷くなっている。空洞がないか調べてほしい。
・トラックが走行する床には亀裂が入っている。床下に空洞があるか不安。
・水害により、土間下の土砂が流されて空洞になっている。

床の傾き・沈下・段差・空洞対策にウレタン注入『テラテック工法』

卓上タイプで場所とらず低価格にて装置が購 入できます。仕様内容に付きましては各ユーザーの希望により設計いたします。

電気炉 卓上拡散炉

〜シリコンウエーハ表面の自然酸化膜を抑制する窒素置換型ストッカー〜

◆製品特長◆
・少量の窒素で確実な窒素置換が可能
・省エネ対応
・窒素置換スピードが従来品と比べて速い
・酸素濃度分布の均一化(各室±10%以内のバラツキ)
・ノンシール工法による有機ガス汚染防止
・各室独特のパーシャル収納で大気との遮断をはかる

パーシャルストッカー

『T/C ウエハー』は、ウエハの実温をリアルタイム測定できる
半導体製造装置用の面内温度分布測定ツールです。

装置側の設定温度のみではなく、実際にウエハにかかる温度分布特性を
知ることでプロセス温度設定・制御の簡略化、膜厚分布均一性の向上に貢献。

独自の埋め込み技術により、温接点位置の固体差も低減し、読み込み温度の
高い信頼性が得られます。

【特長】
■ウエハの実温をリアルタイム測定
■読み込み温度の高信頼性
■プロセス温度設定・制御の簡略化、膜厚分布均一性の向上に貢献
■独自の埋め込み技術により、温接点位置の固体差を低減
■読み込み温度の高い信頼性が得られる

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

半導体製造装置用 面内温度分布測定ツール『T/C ウエハー』

『ERHG-900』は、1400℃までの大気、還元ガス雰囲気中での
運転が可能な回転炉床式エレベータ炉です。

炉床径を従来の600mmから900mmに大幅に拡大することで、
ERHG600に比べて炉内容積が約2.7倍になりました。

炉床は回転することで、良好な温度分布と均一な炉内雰囲気ガス流れが得られ、
高精度焼成が可能。特に高容量積層セラミックコンデンサ焼成に威力を発揮。

その他バリスタ、ソフトフェライト、LTCCなど電子部品の焼成に適しています。

【特長】
■1400℃までの大気、還元ガス雰囲気中での運転が可能
■炉床径を従来の600mmから900mmに大幅に拡大
■ERHG600に比べて炉内容積が約2.7倍
■炉床は回転することで、良好な温度分布と均一な炉内雰囲気ガス流れが
 得られ、高精度焼成が可能
■その他バリスタ、ソフトフェライト、LTCCなど電子部品の焼成に
 適している

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

回転炉床式エレベータ炉『ERHG-900』

4~8インチに対応した、シングルチャンバ全自動RTP装置です。搬送方式はオープンカセット・SMIFどちらかの選択で、カセットステーションは2台になります。
ウェハをサセプタに格納してプロセス処理をするため、反り、厚さ、透過率等のウェハの特性に関わらず、抜群のRc・温度均一性を実現します。
熱源はハロゲンランプで、上下両面配列です。
温度測定範囲は20℃~1250℃となります。熱電対とパイロメータがリアルタイムの温度測定をし、その結果をスマートPIDおよびマルチゾーンSCRが制御することで、優れた温度コントロールを可能にします。
真空チャンバ内には酸素濃度モニターを搭載し、酸素フリーな環境維持をサポートします。
Windowsベースのソフトウェアはマルチリンガル対応。グラフィカルなユーザーインターフェースで直観的な操作を可能としています。
累積出荷台数500台以上の実績で得られたプロセスプロファイリングのノウハウと、常時5台用意されたデモ環境で、貴社のプロセス開発における課題解決のお手伝いを致します。

全自動RTP(高速熱処理)装置

≪LCDパネル等大型化する製品の加熱に苦労されてませんか?≫

シーズヒーターを熱源とし、アルミ合金の素材を使用して製作された一体型のホットプレートアルミ鋳込みヒーターです。

●ヒーターと本体が完全に一体化しているため、挟み込み方式やカートリッジヒーター挿入方式などで心配されるスキマからの空焚きの心配がありません。
●ホットプレートの表面粗度、平面度、平行度、取付穴などが自由かつ精密に機械加工ができ、精度の高い機器にインプラントすることが可能です。
●ホットプレート表面の温度分布は高温時でも良好で、さらに各種表面処理をすることにより、耐腐食性に優れた表面を形成できます。
●当社ホットプレートは、サイズ、定格電圧、容量、エレメント数、穴加工など、お客様のご要望に沿った仕様で製作いたします。
●特に純アルミニウムを選択した場合、不要なガスの発生が無いので、デリケートな半導体/液晶の加熱に最適です。
●温度分布を均一化しやすい構造のため、LCDパネル等大型化する製品の加熱に最適です。
サイズ:第8世代まで対応(2007年3月現在)

ホットプレート/クールプレート

XYZは新しい形状の半導体熱処理炉用ヒーターです。ウェハの表面温度均一性と昇降温特性に優れています。

【特長】
■制御熱電対
ヒータ側壁挿入方式
(制御用4箇所、過温保護用4箇所、アジャスト機構あり)
■断熱材材質
外周:ファインフレックスペーパー
内周:高純度ファイバーモールド

※総合カタログ進呈。詳しくはお問い合わせいただくかPDFをダウンロードしてご覧ください。

新しい形状の半導体熱処理炉用ヒーター

『MAT-200KA』は、4”&6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発された
電気炉です。

ガスフロー式で、N2,O2ガスを流すことが可能。
均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御されます。

また、オプションにて第三のガスを流すことができます。

【特長】
■4”&6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発
■均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御される

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

PBN坩堝熱処理炉『MAT-200KA』

急速加熱、高精度温度分布を実現した
ランプアールユニット

【特徴】
○サークル形状の高出力赤外線ランプヒーターを用いて
 基板の上下から加熱することで、急速加熱・高精度温度分布を実現
○チャンバー内面に特殊表面処理の冷却反射プレートを採用
 優れたプロセス再現性と、急速冷却が可能
○処理基板:φ300mm
○最高使用温度:1000±10℃

●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。

ランプアールユニット

近年、半導体製造・液晶製造工程において大型石英加工品のご要求が多い中で、当社は最大寸法が直径φ700×長さ1500Lの製造が可能です。

石英ガラス大口径製品

カスタマイズ製品。ウェーハサイズ5・8・12インチ,熱電対センサ点数1・5・9点,絶縁被覆テフロン・アルミナ繊維・石英など各仕様を選択することが可能。標準以外の仕様も製作可能。

【特徴】
○全製品に試験成績書(無料)を添付
○定期校正も可能

詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

シリコンウェーハ 「熱電対付きシリコンウェーハ」

当社は設立以来、一貫としたシリコンウェハーへの酸化膜加工を行っています。
試作などの少ロットから量産移行後の数量までお応えできます。
また、膜厚についても、他の企業ではマネのできない厚膜加工まで取り揃えており、お客様のあらゆるニーズにもお応えできるようにしております。

特に、当社独自の厚膜熱酸化膜形成技術は光通信を支える光デバイスに欠かす事のできない材料となっており、当社の製品・技術が世界の通信機器メーカーや光部品メーカーに採用されています。

シリコンウェハーへの酸化膜受託加工サービス(研究、開発、量産用)

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ウェーハ表面の酸化における酸化膜厚の均一化

ウェーハ表面の酸化における酸化膜厚の均一化とは?

半導体製造プロセスにおいて、シリコンウェーハ表面に形成される酸化膜の厚みを、ウェーハ全体で均一に保つ技術のことです。これは、半導体デバイスの性能や歩留まりに直結する重要な工程であり、微細化が進むにつれてその重要性が増しています。

課題

温度分布の不均一性

酸化炉内の温度が均一でないと、ウェーハ上の場所によって酸化速度が異なり、膜厚のばらつきが生じます。

ガス流量の不均一性

酸化ガス(酸素や水蒸気など)のウェーハ表面への供給量が場所によって異なると、酸化反応の進行度に差が出て膜厚が不均一になります。

ウェーハ搬送時の影響

ウェーハの搬送や配置方法によっては、特定の領域にガスが届きにくくなったり、熱がこもりやすくなったりして、膜厚の均一性が損なわれることがあります。

成膜メカニズムの複雑性

酸化反応は、温度、ガス濃度、時間など多くの要因が複雑に絡み合っており、これらの制御がわずかにずれるだけで膜厚の均一性に影響を与えます。

​対策

精密な温度制御システム

炉内の温度をゾーンごとに細かく制御し、ウェーハ全体で均一な温度分布を実現します。

均一ガス供給機構

ウェーハ表面全体に酸化ガスを均一に供給するためのノズル設計やガス流路の最適化を行います。

最適化されたウェーハ配置

ウェーハの積載方法やキャリアの設計を工夫し、ガスフローや熱伝達を均一化します。

プロセスパラメータの最適化

シミュレーションや実験を通じて、温度、ガス流量、時間などの最適な組み合わせを見つけ出し、膜厚の均一性を最大化します。

​対策に役立つ製品例

高精度温度制御酸化炉

複数の温度センサーと独立したヒーターゾーンを備え、ウェーハ全体で±0.5℃以下の温度精度を実現し、均一な酸化を実現します。

多点ガス供給システム

ウェーハ表面に微細な穴が開いたノズルを多数配置し、各点からのガス流量を独立制御することで、ガス供給の均一性を高めます。

特殊構造ウェーハキャリア

ウェーハ間のガスフローを妨げず、熱の偏りを抑制するような通気性や熱伝導率を考慮した素材・構造のキャリアです。

プロセスシミュレーションソフトウェア

酸化炉内の温度分布やガスフローを詳細に解析し、最適なプロセス条件を事前に予測・検証することで、試行錯誤を減らし均一化を実現します。

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