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半導体製造装置・材料

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酸化膜厚の均一化とは?課題と対策・製品を解説

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ウェーハ表面の酸化における酸化膜厚の均一化とは?

半導体製造プロセスにおいて、シリコンウェーハ表面に形成される酸化膜の厚みを、ウェーハ全体で均一に保つ技術のことです。これは、半導体デバイスの性能や歩留まりに直結する重要な工程であり、微細化が進むにつれてその重要性が増しています。

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【半導体向け】ラインスキャン膜厚計

【半導体向け】ラインスキャン膜厚計
半導体業界では、ウェーハ基板上の薄膜の正確な膜厚測定が、製品の品質管理と歩留まり向上に不可欠です。特に、微細化が進む半導体製造においては、薄膜のわずかな厚さの差異が、デバイスの性能に大きな影響を与えるため、高精度な測定が求められます。ラインスキャン膜厚計は、独自の分光干渉法と高精度膜厚演算処理技術を組み合わせることで、12inchウェーハの面内分布を高速に測定し、課題を解決します。 【活用シーン】 ・半導体ウェーハの製造工程における膜厚測定 ・研究開発における薄膜特性評価 ・品質管理における膜厚の均一性評価 【導入の効果】 ・ウェーハの面内膜厚分布を可視化し、製造プロセスの最適化に貢献 ・不良品の早期発見による歩留まり向上 ・研究開発におけるデータ取得の効率化

【半導体製造向け】多用途耐熱光ファイバー

【半導体製��造向け】多用途耐熱光ファイバー
半導体製造業界のプロセス制御では、高温環境下での精密な温度測定が求められます。特に、ウェーハ製造やアニール工程など、高温にさらされる環境下での正確な温度管理は、製品の品質と歩留まりを左右する重要な要素です。従来の光ファイバーでは耐熱性の問題から、測定が困難なケースがありました。当社の多用途耐熱光ファイバーは、250℃までの高温環境に耐え、安定した測定を実現します。 【活用シーン】 ・ウェーハ製造工程での温度測定 ・アニール工程での温度監視 ・高温環境下でのプロセス制御 【導入の効果】 ・高温環境下での正確な温度測定が可能 ・製品の品質向上と歩留まりの改善 ・プロセスの最適化によるコスト削減

【半導体向け】シート状被覆熱電対で高温管理

【半導体向け】シート状被覆熱電対で高温管理
半導体製造業界では、製品の品質と信頼性を確保するために、高温環境下での正確な温度管理が不可欠です。特に、CPUやその他の電子部品は、動作中に高温にさらされるため、温度管理の精度が製品の性能に大きく影響します。温度管理が不十分な場合、部品の故障や性能劣化を引き起こす可能性があります。当社のシート状被覆熱電対は、CPU表面や基板との隙間など、狭いスペースでも容易に温度測定が可能です。 【活用シーン】 ・CPUの温度測定 ・基板の温度測定 ・高温環境下の電子部品の温度測定 【導入の効果】 ・正確な温度測定による製品品質の向上 ・故障リスクの低減 ・製品開発における温度設計の最適化

【半導体製造向け】シリコンラバーヒーター

【半導体製造向け】シリコンラバーヒーター
半導体製造業界では、高品質な製品を安定的に生産するために、温度管理が非常に重要です。特に、ウェーハや基板の均熱は、製造プロセスにおける歩留まりや製品性能に大きく影響します。温度ムラは、製品の品質低下や不良品の発生につながる可能性があります。当社のシリコンラバーヒーターは、均熱性に優れ、精密な温度管理を実現することで、半導体製造における課題解決に貢献します。 【活用シーン】 ・ウェーハの均熱 ・基板の均熱 ・半導体製造装置の温度管理 【導入の効果】 ・温度分布の均一化による品質向上 ・歩留まりの改善 ・製品の信頼性向上

【半導体製造向け】各種ヒーター素線(電熱線)

【半導体製造向け】各種ヒーター素線�(電熱線)
半導体製造業界では、製造プロセスにおける温度管理が製品の品質と歩留まりを大きく左右します。特に、高温環境下での精密な温度制御は、ウェーハの均一な加熱や、高品質な半導体素子の製造に不可欠です。温度ムラや制御の不安定さは、製品の不良や性能低下につながる可能性があります。当社の各種ヒーター素線(電熱線)は、これらの課題に対応し、安定した温度環境を提供します。 【活用シーン】 ・ウェーハ製造工程 ・半導体製造装置 ・高温焼成炉 【導入の効果】 ・精密な温度制御による歩留まり向上 ・製品品質の安定化 ・製造プロセスの効率化

【半導体製造向け】電気ヒーターユニット

【半導体製造向け】電気ヒーターユニット
半導体製造業界では、製造プロセスにおける温度管理が製品の品質を左右する重要な要素です。特に、ウェーハの製造や各種コーティング工程においては、温度の均一性と精密な制御が求められます。温度管理が不十分な場合、ウェーハの反りやクラックの発生、コーティングの均一性の低下など、様々な問題が生じる可能性があります。当社の電気ヒーターユニットは、シーズヒーターを応用し、これらの課題に対応します。 【活用シーン】 ・ウェーハ製造工程 ・各種コーティング工程 ・クリーンルーム内の温度管理 【導入の効果】 ・精密な温度制御による製品品質の向上 ・温度ムラを抑制し歩留まりを改善 ・多様な形状設計により、設置場所への柔軟な対応

【半導体向け】顕微分光膜厚計 OPTM series

【半導体向け】顕微分光膜厚計 OPTM series
半導体業界では、製品の品質と性能を維持するために、ウェーハ上の薄膜の正確な膜厚測定が不可欠です。特に、微細化が進む中で、膜厚のわずかな差異が製品の歩留まりや性能に大きな影響を与えるため、高精度な測定が求められます。顕微分光膜厚計 OPTM seriesは、1秒/pointの高速測定と、3μmからの微小領域測定を実現し、半導体製造における膜厚測定の課題を解決します。 【活用シーン】 ・ウェーハの膜厚測定 ・各種フィルムの膜厚測定 ・光学材料のコーティング膜厚測定 【導入の効果】 ・高精度な膜厚測定による歩留まり向上 ・高速測定による生産性の向上 ・非破壊・非接触測定による製品への影響軽減

【半導体プロセス制御向け】熱電対素線

【半導体プロセス制御向け】熱電対素線
半導体製造プロセスにおける温度管理は、製品の品質と歩留まりを左右する重要な要素です。特に、高温環境下での正確な温度測定は、ウェーハの処理や成膜工程において不可欠です。温度管理が不適切だと、製品の性能低下や不良品の発生につながる可能性があります。当社の熱電対素線は、このような課題に対し、信頼性の高い温度測定ソリューションを提供します。 【活用シーン】 ・半導体製造装置の温度制御 ・ウェーハプロセスにおける温度監視 ・高温炉、真空炉での温度測定 【導入の効果】 ・正確な温度管理による歩留まり向上 ・製品品質の安定化 ・装置の安定稼働

【半導体プロセス最適化向け】多点式センサー

【半導体プロセス最適化向け】多点式センサー
半導体業界では、製造プロセスの品質と歩留まりを向上させるために、精密な温度管理が不可欠です。特に、ウェーハ製造やアニール工程など、微妙な温度変化が製品の性能に大きく影響する場面では、正確な温度測定が求められます。温度分布の不均一さは、製品の不良や性能劣化を引き起こす可能性があります。多点式センサーは、1本の保護管で最大20箇所の温度を測定できるため、プロセス全体の温度分布を効率的に把握し、最適な条件を見つけ出すのに役立ちます。 【活用シーン】 ・ウェーハ製造工程の温度管理 ・アニール工程の温度均一性評価 ・CVD/PVD装置内の温度モニタリング ・その他、温度管理が重要な半導体製造プロセス 【導入の効果】 ・プロセスの最適化による歩留まり向上 ・製品品質の安定化 ・温度管理の効率化 ・不良品の削減

Φ12対応 高速アニール加熱システム VPO-300/産業機械

Φ12対応 高速アニール加熱システム VPO-300/産業機械
『VPO-1300』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 Φ12インチ・Φ6インチ・4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルの プロセスも可能。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。GaNやSiCなどの 新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス(水素+窒素)パージの他、  高濃度水素ガスパージにも対応 ■上下24本のIR (赤外)ヒーターで、正確な高速加熱が可能 ■高純度石英チャンバー ■窒素ガスパージ方式による降温に対応 ■プロセスガス最大4系統(MFC) ■到達真空度0.1Pa (TMP搭載のHVモデルなら10-3Paも可能) ■タッチパネル方式モニター標準装備で、オペレーションが簡単 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

シリコンウェーハ 「熱電対付きシリコンウェーハ」

シリコンウェーハ 「熱電対付きシリコンウェーハ」
カスタマイズ製品。ウェーハサイズ5・8・12インチ,熱電対センサ点数1・5・9点,絶縁被覆テフロン・アルミナ繊維・石英など各仕様を選択することが可能。標準以外の仕様も製作可能。 【特徴】 ○全製品に試験成績書(無料)を添付 ○定期校正も可能 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

新しい形状の半導体熱処理炉用ヒーター

新しい形状の半導体熱処理炉用ヒーター
新しい形状の半導体熱処理炉用ヒーターです。ウェハの表面温度均一性と昇降温特性に優れています。 【特長】 ■制御熱電対 ヒータ側壁挿入方式 (制御用4箇所、過温保護用4箇所、アジャスト機構あり) ■断熱材材質 外周:ファインフレックスペーパー 内周:高純度ファイバーモールド ※総合カタログ進呈。詳しくはお問い合わせいただくかPDFをダウンロードしてご覧ください。

回転炉床式エレベータ炉『ERHG-900』

回転炉床式エレベータ炉『ERHG-900』
『ERHG-900』は、1400℃までの大気、還元ガス雰囲気中での 運転が可能な回転炉床式エレベータ炉です。 炉床径を従来の600mmから900mmに大幅に拡大することで、 ERHG600に比べて炉内容積が約2.7倍になりました。 炉床は回転することで、良好な温度分布と均一な炉内雰囲気ガス流れが得られ、 高精度焼成が可能。特に高容量積層セラミックコンデンサ焼成に威力を発揮。 その他バリスタ、ソフトフェライト、LTCCなど電子部品の焼成に適しています。 【特長】 ■1400℃までの大気、還元ガス雰囲気中での運転が可能 ■炉床径を従来の600mmから900mmに大幅に拡大 ■ERHG600に比べて炉内容積が約2.7倍 ■炉床は回転することで、良好な温度分布と均一な炉内雰囲気ガス流れが  得られ、高精度焼成が可能 ■その他バリスタ、ソフトフェライト、LTCCなど電子部品の焼成に  適している ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

パーシャルストッカー

パーシャルストッカー
〜シリコンウエーハ表面の自然酸化膜を抑制する窒素置換型ストッカー〜 ◆製品特長◆ ・少量の窒素で確実な窒素置換が可能 ・省エネ対応 ・窒素置換スピードが従来品と比べて速い ・酸素濃度分布の均一化(各室±10%以内のバラツキ) ・ノンシール工法による有機ガス汚染防止 ・各室独特のパーシャル収納で大気との遮断をはかる

ランプアールユニット

ランプアールユニット
急速加熱、高精度温度分布を実現した ランプアールユニット 【特徴】 ○サークル形状の高出力赤外線ランプヒーターを用いて  基板の上下から加熱することで、急速加熱・高精度温度分布を実現 ○チャンバー内面に特殊表面処理の冷却反射プレートを採用  優れたプロセス再現性と、急速冷却が可能 ○処理基板:φ300mm ○最高使用温度:1000±10℃ ●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。

半導体製造装置用 面内温度分布測定ツール『T/C ウエハー』

半導体製造装置用 面内温度分布測定ツール『T/C ウエハー』
『T/C ウエハー』は、ウエハの実温をリアルタイム測定できる 半導体製造装置用の面内温度分布測定ツールです。 装置側の設定温度のみではなく、実際にウエハにかかる温度分布特性を 知ることでプロセス温度設定・制御の簡略化、膜厚分布均一性の向上に貢献。 独自の埋め込み技術により、温接点位置の固体差も低減し、読み込み温度の 高い信頼性が得られます。 【特長】 ■ウエハの実温をリアルタイム測定 ■読み込み温度の高信頼性 ■プロセス温度設定・制御の簡略化、膜厚分布均一性の向上に貢献 ■独自の埋め込み技術により、温接点位置の固体差を低減 ■読み込み温度の高い信頼性が得られる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

PBN坩堝熱処理炉『MAT-200KA』

PBN坩堝熱処理炉『MAT-200KA』
『MAT-200KA』は、4”&6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発された 電気炉です。 ガスフロー式で、N2,O2ガスを流すことが可能。 均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御されます。 また、オプションにて第三のガスを流すことができます。 【特長】 ■4”&6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発 ■均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御される ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

ギ酸水素還元真空はんだリフロー装置 /産業機械

ギ酸水素還元真空はんだリフロー装置 /産業機械
『RSS-110-S』は、フラックスレスやボイド除去、鉛フリーへの課題解決に 好適な、卓上型真空はんだリフロー装置です。 従来の”フラックス”や”水素還元”、「ギ酸」を使っての還元に対応。 ギ酸の強力な還元作用で、基板などの金属表面の酸化膜を効果的に除去し、 フラックス無しでも濡れ性の向上を実現。さらに真空技術を組み合わせ、 最高0.01%のボイドフリーを可能にします。 多彩なリフロープロファイル設定と抜群の温度コントロール性で、 パワーデバイスや航空宇宙などに求められる水準の高信頼性実装を実現します。 【特長】 ■毎秒2℃のスピード昇温、水冷式なのでタクトタイムを大幅削減 ■最大到達温度400℃対応(オプションで500℃) ■ギ酸・水素・窒素など様々な雰囲気環境に対応 ■設定した温度プロファイルをほぼそのまま実現  繰返し精度も高く、オーバーシュートも殆どゼロ ■加熱プレート上の面内温度差がゼロに近く大きなワークもムラなく加熱 ※無償デモのご依頼も承ります。お気軽にお問い合わせ下さい。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

シリコンウェハーへの酸化膜受託加工サービス(研究、開発、量産用)

シリコンウェハーへの酸化膜受託加工サービス(研究、開発、量産用)
当社は設立以来、一貫としたシリコンウェハーへの酸化膜加工を行っています。 試作などの少ロットから量産移行後の数量までお応えできます。 また、膜厚についても、他の企業ではマネのできない厚膜加工まで取り揃えており、お客様のあらゆるニーズにもお応えできるようにしております。 特に、当社独自の厚膜熱酸化膜形成技術は光通信を支える光デバイスに欠かす事のできない材料となっており、当社の製品・技術が世界の通信機器メーカーや光部品メーカーに採用されています。

電気炉 卓上拡散炉

電気炉 卓上拡散炉
卓上タイプで場所とらず低価格にて装置が購 入できます。仕様内容に付きましては各ユーザーの希望により設計いたします。

ホットプレート/クールプレート

ホットプレート/クールプレート
≪LCDパネル等大型化する製品の加熱に苦労されてませんか?≫ シーズヒーターを熱源とし、アルミ合金の素材を使用して製作された一体型のホットプレートアルミ鋳込みヒーターです。 ●ヒーターと本体が完全に一体化しているため、挟み込み方式やカートリッジヒーター挿入方式などで心配されるスキマからの空焚きの心配がありません。 ●ホットプレートの表面粗度、平面度、平行度、取付穴などが自由かつ精密に機械加工ができ、精度の高い機器にインプラントすることが可能です。 ●ホットプレート表面の温度分布は高温時でも良好で、さらに各種表面処理をすることにより、耐腐食性に優れた表面を形成できます。 ●当社ホットプレートは、サイズ、定格電圧、容量、エレメント数、穴加工など、お客様のご要望に沿った仕様で製作いたします。 ●特に純アルミニウムを選択した場合、不要なガスの発生が無いので、デリケートな半導体/液晶の加熱に最適です。 ●温度分布を均一化しやすい構造のため、LCDパネル等大型化する製品の加熱に最適です。 サイズ:第8世代まで対応(2007年3月現在)

全自動RTP(高速熱処理)装置

全自動RTP(高速熱処理)装置
4~8インチに対応した、シングルチャンバ全自動RTP装置です。搬送方式はオープンカセット・SMIFどちらかの選択で、カセットステーションは2台になります。 ウェハをサセプタに格納してプロセス処理をするため、反り、厚さ、透過率等のウェハの特性に関わらず、抜群のRc・温度均一性を実現します。 熱源はハロゲンランプで、上下両面配列です。 温度測定範囲は20℃~1250℃となります。熱電対とパイロメータがリアルタイムの温度測定をし、その結果をスマートPIDおよびマルチゾーンSCRが制御することで、優れた温度コントロールを可能にします。 真空チャンバ内には酸素濃度モニターを搭載し、酸素フリーな環境維持をサポートします。 Windowsベースのソフトウェアはマルチリンガル対応。グラフィカルなユーザーインターフェースで直観的な操作を可能としています。 累積出荷台数500台以上の実績で得られたプロセスプロファイリングのノウハウと、常時5台用意されたデモ環境で、貴社のプロセス開発における課題解決のお手伝いを致します。

Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システム/産業機械

Φ4対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システム/産業機械
『RTP-100』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 Φ4インチ対応、専用サセプタにより小片サンプルのプロセスも可能です。 最大到達温度1200℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス(水素+窒素)パージの他、  高濃度水素ガスパージにも対応 ■上下18本のIR (赤外)ヒーターで、正確な高速加熱が可能 ■高純度石英チャンバー ■窒素ガスパージ方式による降温に対応 ■プロセスガス最大4系統(MFC) ■到達真空度10-1Pa (TMP搭載のHVモデルなら10-3Paも可能) ■タッチパネル方式モニター標準装備で、オペレーションが簡単 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

分光干渉式ウェーハ膜厚計 SF-3  

分光干渉式ウェーハ膜厚計 SF-3  
『SF-3』は、ウェーハ等の研削研磨プロセスにおいて、非接触でウェーハや 樹脂の厚みを超高速・高精度に測定を行う、分光干渉式ウェーハ膜厚計です。 光学式により非接触・非破壊での厚み測定ができ、高い測定再現性を実現し、 高速でリアルタイムに研磨モニタも可能です。 また、長いWD(ワークディスタンス)を実現し、機器への組み込みが容易で 多層厚み測定も可能です。 【特長】 ■光学式により非接触・非破壊での厚み測定が可能 ■高い測定再現性を実現 ■高速でリアルタイムに研磨モニタが可能 ■長いWD(ワークディスタンス)を実現し、機器への組み込みが容易 ■ホスト機器からLANを使用したTCP/IP通信で制御 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

石英ガラス大口径製品

石英ガラス大口径製品
近年、半導体製造・液晶製造工程において大型石英加工品のご要求が多い中で、当社は最大寸法が直径φ700×長さ1500Lの製造が可能です。

Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システム/産業機械

Φ6対応真空・プロセスガス高速アニール加熱システム/産業機械
『RTP-150』は、業界最小クラス、研究開発及び試作開発に好適な、 卓上型真空プロセス高速加熱炉です。 最大到達温度1000℃で多彩なガスパージ環境に対応。 GaNやSiCなどの新材料の結晶成長やペースト材料の焼結など、 多目的にお使い頂けます。 【特長】 ■窒素ガス、酸素ガス、フォーミングガス(水素+窒素)パージの他、  高濃度水素ガスパージにも対応 ■上下24本のIR (赤外)ヒーターで、正確な高速加熱が可能 ■高純度石英チャンバー ■窒素ガスパージ方式による降温に対応 ■プロセスガス最大4系統(MFC) ■到達真空度10-1Pa (TMP搭載のHVモデルなら10-3Paも可能) ■タッチパネル方式モニター標準装備で、オペレーションが簡単 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

床の傾き・沈下・段差・空洞対策にウレタン注入『テラテック工法』

床の傾き・沈下・段差・空洞対策にウレタン注入『テラテック工法』
●テラテック工法とは… 硬質発泡ウレタン「テラテック樹脂」をコンクリート土間床下に注入し、 その膨張力で床下の空洞を埋め、沈下した床を水平にする特許工法です。 床を壊さないため、棚や機械の移動もなく業務を止めません! ▼解決してきた様々なお悩み 【傾き】 ・工場の床の凹凸に困っている。コンクリート床を平らにしたい。 ・倉庫の床が緩やかに傾斜し、自動ラックがズレて動作不良がある。 ・機械を設置した場所が沈み、機械の傾きが発生している。 【沈下】 ・コンクリート土間床が真ん中に向かって下がっている。 ・学校の体育館の土間床が地中梁を除き沈下している。 ・倉庫の床面に窪みがあり、商品の保管や作業員の安全面が不安。 【段差】 ・床の段差や傾きに困っている。増し打ちで補修してきたが、根本解決したい。 ・冷蔵倉庫の入り口に段差ができていてフォークリフトが通行しにくい。 【空洞・空隙】 ・機械の振動が酷くなっている。空洞がないか調べてほしい。 ・トラックが走行する床には亀裂が入っている。床下に空洞があるか不安。 ・水害により、土間下の土砂が流されて空洞になっている。
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ウェーハ表面の酸化における酸化膜厚の均一化

ウェーハ表面の酸化における酸化膜厚の均一化とは?

半導体製造プロセスにおいて、シリコンウェーハ表面に形成される酸化膜の厚みを、ウェーハ全体で均一に保つ技術のことです。これは、半導体デバイスの性能や歩留まりに直結する重要な工程であり、微細化が進むにつれてその重要性が増しています。

​課題

温度分布の不均一性

酸化炉内の温度が均一でないと、ウェーハ上の場所によって酸化速度が異なり、膜厚のばらつきが生じます。

ガス流量の不均一性

酸化ガス(酸素や水蒸気など)のウェーハ表面への供給量が場所によって異なると、酸化反応の進行度に差が出て膜厚が不均一になります。

ウェーハ搬送時の影響

ウェーハの搬送や配置方法によっては、特定の領域にガスが届きにくくなったり、熱がこもりやすくなったりして、膜厚の均一性が損なわれることがあります。

成膜メカニズムの複雑性

酸化反応は、温度、ガス濃度、時間など多くの要因が複雑に絡み合っており、これらの制御がわずかにずれるだけで膜厚の均一性に影響を与えます。

​対策

精密な温度制御システム

炉内の温度をゾーンごとに細かく制御し、ウェーハ全体で均一な温度分布を実現します。

均一ガス供給機構

ウェーハ表面全体に酸化ガスを均一に供給するためのノズル設計やガス流路の最適化を行います。

最適化されたウェーハ配置

ウェーハの積載方法やキャリアの設計を工夫し、ガスフローや熱伝達を均一化します。

プロセスパラメータの最適化

シミュレーションや実験を通じて、温度、ガス流量、時間などの最適な組み合わせを見つけ出し、膜厚の均一性を最大化します。

​対策に役立つ製品例

高精度温度制御酸化炉

複数の温度センサーと独立したヒーターゾーンを備え、ウェーハ全体で±0.5℃以下の温度精度を実現し、均一な酸化を実現します。

多点ガス供給システム

ウェーハ表面に微細な穴が開いたノズルを多数配置し、各点からのガス流量を独立制御することで、ガス供給の均一性を高めます。

特殊構造ウェーハキャリア

ウェーハ間のガスフローを妨げず、熱の偏りを抑制するような通気性や熱伝導率を考慮した素材・構造のキャリアです。

プロセスシミュレーションソフトウェア

酸化炉内の温度分布やガスフローを詳細に解析し、最適なプロセス条件を事前に予測・検証することで、試行錯誤を減らし均一化を実現します。

⭐今週のピックアップ

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