膜質制御の精密化とは？課題と対策・製品を解説

カスタマイズ製品。ウェーハサイズ５・８・１２インチ，熱電対センサ点数１・５・９点，絶縁被覆テフロン・アルミナ繊維・石英など各仕様を選択することが可能。標準以外の仕様も製作可能。

【特徴】
○全製品に試験成績書（無料）を添付
○定期校正も可能

詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

『MAT-200KA』は、4”＆6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発された
電気炉です。

ガスフロー式で、N2,O2ガスを流すことが可能。
均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御されます。

また、オプションにて第三のガスを流すことができます。

【特長】
■4”＆6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発
■均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御される

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

卓上タイプで場所とらず低価格にて装置が購 入できます。仕様内容に付きましては各ユーザーの希望により設計いたします。

当社で取り扱う『半導体表面温度測定用熱電対』をご紹介いたします。

先端にばね材を使用し、測定対象物と接触して安定した
温度測定が可能。

半導体温度測定装置に使用する消耗品のコストダウンが可能で、
自動車部品メーカー各社に納入実績があります。

【特長】
■先端にばね材を使用
■測定対象物と接触して安定した温度測定が可能
■測定時の応答速度が早い
■アタッチメントの形状を自由に変更が可能
■1000℃の高温でも高精度で温度測定が可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

<特長>
1.触媒を利用した反応炉。
2.幅広い濃度制御範囲。
3.優れた安全性。
4.各種インターロック。
5.安全仕様。

各種の炉を一つの装置にパッケージすることで省スペースで機能的に使用できるシステムです。

『クリーンオーブン』は、クリーンエアによる高温恒温槽です。
装置内のHEPAフィルターにより高いクリーン度を保つ為、半導体ウェハー
の高温処理に適しております。各寸法、使用温度の変更や操作スイッチの
配置等の細かい仕様をご使用条件に合わせて設計させていただきます。

【特長】
■装置内のHEPAフィルターにより高いクリーン度を保つ
■半導体ウェハーの高温処理に好適
■操作パネルに配置されたカラータッチパネルによる
　操作、温度モニターが可能
■プログラム温調計の採用によりプログラム運転が可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

4～8インチに対応した、シングルチャンバ全自動RTP装置です。搬送方式はオープンカセット・SMIFどちらかの選択で、カセットステーションは2台になります。
ウェハをサセプタに格納してプロセス処理をするため、反り、厚さ、透過率等のウェハの特性に関わらず、抜群のRc・温度均一性を実現します。
熱源はハロゲンランプで、上下両面配列です。
温度測定範囲は20℃～1250℃となります。熱電対とパイロメータがリアルタイムの温度測定をし、その結果をスマートPIDおよびマルチゾーンSCRが制御することで、優れた温度コントロールを可能にします。
真空チャンバ内には酸素濃度モニターを搭載し、酸素フリーな環境維持をサポートします。
Windowsベースのソフトウェアはマルチリンガル対応。グラフィカルなユーザーインターフェースで直観的な操作を可能としています。
累積出荷台数500台以上の実績で得られたプロセスプロファイリングのノウハウと、常時5台用意されたデモ環境で、貴社のプロセス開発における課題解決のお手伝いを致します。

ナプソン株式会社は、半導体ウエハやFPD基板の各種測定システムを開発・製造・販売しております。
抵抗率/シート抵抗に関するあらゆるニーズにお応えし、仕様設計からアフターケアまで、最新の技術と豊富な経験を活かして、高精度・高性能なシステムをご提供いたします。

その他製品ございますので、詳細はお問い合わせ下さい。

当社は設立以来、一貫としたシリコンウェハーへの酸化膜加工を行っています。
試作などの少ロットから量産移行後の数量までお応えできます。
また、膜厚についても、他の企業ではマネのできない厚膜加工まで取り揃えており、お客様のあらゆるニーズにもお応えできるようにしております。

特に、当社独自の厚膜熱酸化膜形成技術は光通信を支える光デバイスに欠かす事のできない材料となっており、当社の製品･技術が世界の通信機器メーカーや光部品メーカーに採用されています。

『石英ガラス 高純度アニール炉』は、アニール工程における
石英ガラス製品の表面汚染を大幅に減少させることが可能です。

ステンレス炉体と高純度断熱材を採用し、高いクリーン性能を実現。

処理製品の大口径化、長尺化に対応するべく炉体の大型化を進めており、
お客様のご要望に応じて専用設計いたします。

【特長】
■ステンレス炉体と高純度断熱材を採用し、高いクリーン性能を実現
■熱源はSiCヒーターを採用し温度分布性能の向上を図る
■対象製品の大きさに合わせて専用設計が可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や
MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。

従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・
ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。

当製品は、装置自身がゲート電極を持つため、メタルゲート作成なしに
酸化膜やウェハーの電気特性を得ることが可能。プロセスモニタリングによる
素早いフィードバックやR&Dにおける開発時間の短縮、Lowコスト化を
提供します。

【特長】
■水銀プローブにより電極の形成が不要
■抜群の再現性
・ショットキー：0.3％(1σ）／MOS：0.1％(1σ）
■ウェハー面内のマッピング可
■新開発水銀交換機構により安全かつ容易な水銀交換が可

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。