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膜質制御の精密化とは?課題と対策・製品を解説

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ウェーハ表面の酸化における膜質制御の精密化とは?
半導体製造プロセスにおいて、ウェーハ表面に形成される酸化膜は、絶縁膜や保護膜として不可欠な役割を果たします。この酸化膜の膜厚、均一性、欠陥密度といった膜質を極めて高い精度で制御することが、半導体デバイスの性能向上や歩留まり改善に直結します。精密な膜質制御は、微細化が進む半導体デバイスの信頼性を確保するための重要な技術です。
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【半導体製造向け】熱電対センサー
【半導体向け】熱電対関連製品
半導体業界における精密計測では、温度管理が製品の品質と性能を左右する重要な要素です。特に、製造プロセスにおける微細な温度変化の監視は、歩留まりの向上に不可欠です。熱電対は、このような精密な温度計測に広く利用されていますが、サプライチェーンの不安定さや、製品の選定の難しさから、最適な製品の調達に課題を抱える企業も少なくありません。石川産業の熱電対関連製品は、多様なニーズに対応し、安定供給を実現することで、半導体製造における温度管理の課題解決を支援します。
【活用シーン】
・半導体製造プロセスの温度管理
・研究開発における精密温度計測
・品質管理における温度測定
【導入の効果】
・安定した製品供給による生産効率の向上
・多様な製品ラインナップによる最適な製品選定
・専門知識に基づいた提案による課題解決
PBN坩堝熱処理炉『MAT-200KA』
電気炉 卓上拡散炉
高温恒温槽『クリーンオーブン』【半導体ウェハーの高温処理に!】
シリコンウェーハ 「熱電対付きシリコンウェーハ」
全自動RTP(高速熱処理)装置
4~8インチに対応した、シングルチャンバ全自動RTP装置です。搬送方式はオープンカセット・SMIFどちらかの選択で、カセットステーションは2台になります。
ウェハをサセプタに格納してプロセス処理をするため、反り、厚さ、透過率等のウェハの特性に関わらず、抜群のRc・温度均一性を実現します。
熱源はハロゲンランプで、上下両面配列です。
温度測定範囲は20℃~1250℃となります。熱電対とパイロメータがリアルタイムの温度測定をし、その結果をスマートPIDおよびマルチゾーンSCRが制御することで、優れた温度コントロールを可能にします。
真空チャンバ内には酸素濃度モニターを搭載し、酸素フリーな環境維持をサポートします。
Windowsベースのソフトウェアはマルチリンガル対応。グラフィカルなユーザーインターフェースで直観的な操作を可能としています。
累積出荷台数500台以上の実績で得られたプロセスプロファイリングのノウハウと、常時5台用意されたデモ環境で、貴社のプロセス開発における課題解決のお手伝いを致します。
シリコンウェハーへの酸化膜受託加工サービス(研究、開発、量産用)
半導体表面温度測定用熱電対
電気炉 大型拡散炉










