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半導体製造装置・材料

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膜質制御の精密化とは?課題と対策・製品を解説

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ウェーハ表面の酸化における膜質制御の精密化とは?

半導体製造プロセスにおいて、ウェーハ表面に形成される酸化膜は、絶縁膜や保護膜として不可欠な役割を果たします。この酸化膜の膜厚、均一性、欠陥密度といった膜質を極めて高い精度で制御することが、半導体デバイスの性能向上や歩留まり改善に直結します。精密な膜質制御は、微細化が進む半導体デバイスの信頼性を確保するための重要な技術です。

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【半導体製造向け】熱電対センサー

【半導体製造向け】熱電対センサー
半導体製造業界では、製造プロセスの品質管理において、正確な温度測定が不可欠です。特に、高温での処理や精密な温度制御が求められる工程では、温度測定の精度が製品の歩留まりや品質に大きく影響します。熱電対センサーは、極低温から超高温まで幅広い温度範囲に対応し、多様な形状と素材で、半導体製造現場の様々なニーズに応えます。 【活用シーン】 ・ウェーハ製造工程 ・高温焼成炉 ・真空蒸着装置 ・各種プロセスチャンバー 【導入の効果】 ・正確な温度測定による品質向上 ・プロセスの安定化 ・歩留まりの改善 ・多様な形状と素材による柔軟な対応

【半導体向け】熱電対関連製品

【半導体向け】熱電対関連製品
半導体業界における精密計測では、温度管理が製品の品質と性能を左右する重要な要素です。特に、製造プロセスにおける微細な温度変化の監視は、歩留まりの向上に不可欠です。熱電対は、このような精密な温度計測に広く利用されていますが、サプライチェーンの不安定さや、製品の選定の難しさから、最適な製品の調達に課題を抱える企業も少なくありません。石川産業の熱電対関連製品は、多様なニーズに対応し、安定供給を実現することで、半導体製造における温度管理の課題解決を支援します。 【活用シーン】 ・半導体製造プロセスの温度管理 ・研究開発における精密温度計測 ・品質管理における温度測定 【導入の効果】 ・安定した製品供給による生産効率の向上 ・多様な製品ラインナップによる最適な製品選定 ・専門知識に基づいた提案による課題解決

PBN坩堝熱処理炉『MAT-200KA』

PBN坩堝熱処理炉『MAT-200KA』
『MAT-200KA』は、4”&6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発された 電気炉です。 ガスフロー式で、N2,O2ガスを流すことが可能。 均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御されます。 また、オプションにて第三のガスを流すことができます。 【特長】 ■4”&6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発 ■均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御される ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

電気炉 卓上拡散炉

電気炉 卓上拡散炉
卓上タイプで場所とらず低価格にて装置が購 入できます。仕様内容に付きましては各ユーザーの希望により設計いたします。

高温恒温槽『クリーンオーブン』【半導体ウェハーの高温処理に!】

高温恒温槽『クリーンオーブン』【半導体ウェハーの高温処理に!】
『クリーンオーブン』は、クリーンエアによる高温恒温槽です。 装置内のHEPAフィルターにより高いクリーン度を保つ為、半導体ウェハー の高温処理に適しております。各寸法、使用温度の変更や操作スイッチの 配置等の細かい仕様をご使用条件に合わせて設計させていただきます。 【特長】 ■装置内のHEPAフィルターにより高いクリーン度を保つ ■半導体ウェハーの高温処理に好適 ■操作パネルに配置されたカラータッチパネルによる  操作、温度モニターが可能 ■プログラム温調計の採用によりプログラム運転が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

シリコンウェーハ 「熱電対付きシリコンウェーハ」

シリコンウェーハ 「熱電対付きシリコンウェーハ」
カスタマイズ製品。ウェーハサイズ5・8・12インチ,熱電対センサ点数1・5・9点,絶縁被覆テフロン・アルミナ繊維・石英など各仕様を選択することが可能。標準以外の仕様も製作可能。 【特徴】 ○全製品に試験成績書(無料)を添付 ○定期校正も可能 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

全自動RTP(高速熱処理)装置

全自動RTP(高速熱処理)装置
4~8インチに対応した、シングルチャンバ全自動RTP装置です。搬送方式はオープンカセット・SMIFどちらかの選択で、カセットステーションは2台になります。 ウェハをサセプタに格納してプロセス処理をするため、反り、厚さ、透過率等のウェハの特性に関わらず、抜群のRc・温度均一性を実現します。 熱源はハロゲンランプで、上下両面配列です。 温度測定範囲は20℃~1250℃となります。熱電対とパイロメータがリアルタイムの温度測定をし、その結果をスマートPIDおよびマルチゾーンSCRが制御することで、優れた温度コントロールを可能にします。 真空チャンバ内には酸素濃度モニターを搭載し、酸素フリーな環境維持をサポートします。 Windowsベースのソフトウェアはマルチリンガル対応。グラフィカルなユーザーインターフェースで直観的な操作を可能としています。 累積出荷台数500台以上の実績で得られたプロセスプロファイリングのノウハウと、常時5台用意されたデモ環境で、貴社のプロセス開発における課題解決のお手伝いを致します。

シリコンウェハーへの酸化膜受託加工サービス(研究、開発、量産用)

シリコンウェハーへの酸化膜受託加工サービス(研究、開発、量産用)
当社は設立以来、一貫としたシリコンウェハーへの酸化膜加工を行っています。 試作などの少ロットから量産移行後の数量までお応えできます。 また、膜厚についても、他の企業ではマネのできない厚膜加工まで取り揃えており、お客様のあらゆるニーズにもお応えできるようにしております。 特に、当社独自の厚膜熱酸化膜形成技術は光通信を支える光デバイスに欠かす事のできない材料となっており、当社の製品・技術が世界の通信機器メーカーや光部品メーカーに採用されています。

半導体表面温度測定用熱電対

半導体表面温度測定用熱電対
当社で取り扱う『半導体表面温度測定用熱電対』をご紹介いたします。 先端にばね材を使用し、測定対象物と接触して安定した 温度測定が可能。 半導体温度測定装置に使用する消耗品のコストダウンが可能で、 自動車部品メーカー各社に納入実績があります。 【特長】 ■先端にばね材を使用 ■測定対象物と接触して安定した温度測定が可能 ■測定時の応答速度が早い ■アタッチメントの形状を自由に変更が可能 ■1000℃の高温でも高精度で温度測定が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

電気炉 大型拡散炉

電気炉 大型�拡散炉
各種の炉を一つの装置にパッケージすることで省スペースで機能的に使用できるシステムです。

水分発生装置『WVG』

水分発生装置『WVG』
1.触媒を利用した反応炉。 2.幅広い濃度制御範囲。 3.優れた安全性。 4.各種インターロック。 5.安全仕様。

水銀プローブCV/IV測定装置『MCVシリーズ』

水銀プローブCV/IV測定装置『MCVシリーズ』
『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・ ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。 当製品は、装置自身がゲート電極を持つため、メタルゲート作成なしに 酸化膜やウェハーの電気特性を得ることが可能。プロセスモニタリングによる 素早いフィードバックやR&Dにおける開発時間の短縮、Lowコスト化を 提供します。 【特長】 ■水銀プローブにより電極の形成が不要 ■抜群の再現性 ・ショットキー:0.3%(1σ)/MOS:0.1%(1σ) ■ウェハー面内のマッピング可 ■新開発水銀交換機構により安全かつ容易な水銀交換が可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

PN判定器 【PN-50α】

PN判定器 【PN-50α】
ナプソン株式会社は、半導体ウエハやFPD基板の各種測定システムを開発・製造・販売しております。 抵抗率/シート抵抗に関するあらゆるニーズにお応えし、仕様設計からアフターケアまで、最新の技術と豊富な経験を活かして、高精度・高性能なシステムをご提供いたします。 その他製品ございますので、詳細はお問い合わせ下さい。

石英ガラス 高純度アニール炉

石英ガラス 高純度ア�ニール炉
『石英ガラス 高純度アニール炉』は、アニール工程における 石英ガラス製品の表面汚染を大幅に減少させることが可能です。 ステンレス炉体と高純度断熱材を採用し、高いクリーン性能を実現。 処理製品の大口径化、長尺化に対応するべく炉体の大型化を進めており、 お客様のご要望に応じて専用設計いたします。 【特長】 ■ステンレス炉体と高純度断熱材を採用し、高いクリーン性能を実現 ■熱源はSiCヒーターを採用し温度分布性能の向上を図る ■対象製品の大きさに合わせて専用設計が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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ウェーハ表面の酸化における膜質制御の精密化

ウェーハ表面の酸化における膜質制御の精密化とは?

半導体製造プロセスにおいて、ウェーハ表面に形成される酸化膜は、絶縁膜や保護膜として不可欠な役割を果たします。この酸化膜の膜厚、均一性、欠陥密度といった膜質を極めて高い精度で制御することが、半導体デバイスの性能向上や歩留まり改善に直結します。精密な膜質制御は、微細化が進む半導体デバイスの信頼性を確保するための重要な技術です。

​課題

膜厚の均一性低下

ウェーハ全面で酸化膜の膜厚にばらつきが生じ、デバイス特性のばらつきや歩留まり低下を招く。

欠陥密度の増加

酸化膜中にピンホールやパーティクルなどの欠陥が発生し、絶縁破壊やリーク電流の原因となる。

膜質再現性の問題

製造ロット間や装置間で酸化膜の膜質にばらつきが生じ、安定した品質の製品供給が困難になる。

微細構造の制御困難

ナノメートルオーダーの微細な構造を持つ酸化膜の形成において、狙い通りの構造を再現することが難しい。

​対策

プロセスパラメータの最適化

酸化温度、時間、雰囲気ガス流量などのプロセス条件を精密に制御し、膜質を安定化させる。

リアルタイムモニタリング技術の導入

酸化プロセス中に膜厚や表面状態をリアルタイムで計測し、フィードバック制御を行うことで品質を確保する。

高精度ガス供給システムの活用

酸化反応に用いるガスの供給量を極めて精密に制御し、均一な酸化膜形成を実現する。

表面前処理技術の高度化

ウェーハ表面の清浄度や状態を最適化することで、欠陥の発生を抑制し、均一な酸化膜形成を促進する。

​対策に役立つ製品例

高精度温度制御装置

酸化炉内の温度を±0.1℃以下の精度で制御し、均一な酸化反応を促進する。

インライン膜厚測定システム

酸化プロセス中にウェーハ上の膜厚をリアルタイムで測定し、異常を早期に検知・修正する。

超高純度ガス供給ユニット

酸化反応に用いるガスの純度を極限まで高め、不純物による欠陥発生を抑制する。

表面状態解析装置

酸化前のウェーハ表面の状態を詳細に分析し、最適な前処理条件を設定するのに役立つ。

⭐今週のピックアップ

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