次世代微細化技術への対応とは？課題と対策・製品を解説

ディスプレイ業界、特にタッチパネルにおいては、耐久性と信頼性の高い接合技術が求められます。温度変化や外部からの力にさらされるタッチパネルでは、接合部の剥離や劣化が製品の性能を大きく左右します。当社のAuSnはんだ接合技術は、優れた耐薬品性と高真空環境下での安定性を実現し、過酷な使用条件にも対応可能です。

【活用シーン】
・タッチパネル
・ディスプレイ
・電子機器

【導入の効果】
・高い信頼性
・長期的な製品寿命
・安定した性能維持

ウェアラブルディスプレイ業界では、小型化と高耐久性が求められています。特に、ディスプレイ部品の接合においては、耐衝撃性や耐環境性が重要です。従来の接着剤では、これらの要求を満たすことが難しい場合があります。当社のAuSnはんだ接合技術は、優れた耐薬品性と高真空環境下での安定性を実現し、過酷な使用条件にも対応可能です。

【活用シーン】
・ウェアラブルディスプレイの筐体接合
・ディスプレイ部品の封止
・高耐久性が求められる環境下での使用

【導入の効果】
・高い信頼性と長期的な製品寿命の実現
・小型化と軽量化への貢献
・多様な材料の組み合わせによる設計自由度の向上

当資料では、III-V族化合物半導体で電子・光学デバイスのバンド構造
エンジニアリングに必要となる、固体エネルギーバンド構造の詳細を
計算するため、Hartree-Fock-DFTハイブリッド汎関数であるHSE06を用いた
事例について報告します。

InAsのエネルギーバンド、特にその微細構造を例として、精度の高い
第一原理電子状態計算を用いることで、実験に匹敵する精度と信頼性を持つ
材料特性のデータが得られることを示しました。

【掲載内容】
■結晶構造
■バンド構造計算
■まとめ
■参考文献

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『MedeA』は、原子・分子スケールのシミュレーション技術を基に各種の物性評価を行うための統合支援環境です。

本適用事例集は、当製品の開発元であるMaterials Design社にて配布している適用例をまとめたものです。
第一原理計算プログラムVASPを用いて、電子状態から物性評価した事例を紹介します。

【適用事例】
■NiSi/Si間のショットキー障壁の評価
■VO2のバンドギャップ評価と金属絶縁体遷移（ハイブリッド汎関数）
■InAsのハイブリッド汎関数による高精度なバンド構造評価
■High-kゲートスタックにおける仕事関数の評価

※詳しくはダウンロードよりPDFをご覧ください。

『アルミナ基板』は、熱伝導性・絶縁性・耐熱せ性・強度・耐酸性・
経済性に優れたアルミナセラミックスでできた基板です。

基板の反りが極めて小さく、緻密で薄膜用としても使用可能。
大変、潤滑性に優れた製品です。

また、寸法精度が高く、安定したスリット・スルーホールによって、
ブレーク性が高く、チップネットワーク用基板・超小型チップ用基板の
対応にも適しております。

【特長】
■安定したスリット・スルーホール
■基板の反りが極めて小さい
■寸法精度が高い
■優れた潤滑性
■ブレーク性が高い

※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

3波長対応、超短パルスレーザー（フェムト秒レーザー、ピコ秒レーザー）対応のレーザー光源と高精密加工機から構成。
Light Covnersion社製フェムト秒レーザー光源を搭載。波長はUV、グリーン、1μmの3波長の自動切り替えが可能。バーストモードオプション（G Hz + M Hz BiBurst）。

SiC、GaN、ダイヤモンド等、次世代半導体向け高硬度脆性材料に対し、コールドアブレーション（非熱）での精密微細加工が可能となります。当社デモ機での試作加工から量産機の設計提案・納品までサポートいたします。

『NEガラス』は、低誘電率・低誘電正接が向上する為、高速通信用材料
として期待されている低誘電グラスファイバーです。

電子基板、ミリ波レーダー、携帯電話アンテナなどにご使用いただけます。

【NEガラス特性(抜粋)】
■特性：低誘電率・低誘電正接
■密度(g/cm)：2.30
■引張り強度(GPa)：3.14
■引張り弾性率(GPa)：63.7
■最大伸び率(％)：4.8

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、独自開発した『S-CMC』を使用した半導体用ヒートシンクを
ご提供しております。

『S-CMC』は、Mo箔とCu箔の多層フラット板で構成されており、
Mo粉末品よりも高熱伝導、低熱膨張に優れた低熱膨張のクラッド材です。

各種半導体分野への適用が可能ですが、4G/5G通信で用いられるGAN素子の
ヒートシンクとして特に適しており、5G通信用の携帯電話基地局の
デバイスの放熱原料として期待されます。

【S-CMCの特長】
■日・米・中・欧にて特許取得済み、日・米・中にて商標登録を実施
■Moの使用量は、目的により自由に選択可能で、ご希望の熱膨張率に対応可能
■GaN要素を使用した衛星通信デバイスに10年以上の使用実績を有する

※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問合せください。

ティーイーアイ ソリューションズの『技術開発』についてご紹介します。

半導体デバイス・メモリー開発のほか、MEMS・Bioセンサー、
太陽光発電など様々な技術開発が可能。製品化のサポートも致します。

また、半導体に限らず、エネルギー、バイオ・メディカルセンサーなど
各種新興技術にも対応いたします。情報は完全に保護され、開発した技術は
お客様に帰属しますので、安心して開発いただけます。

【開発技術の例】
■新規トランジスタ
■新規メモリ
■太陽電池
■MEMS/Bio-MEMS

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

ティーイーアイ ソリューションズ株式会社は、研究開発支援を提供するインテグレーテッドファンウドリーです。
ナノテクノロジー、バイオテクノロジー、太陽電池、クリーンエネルギーなど、半導体技術を応用し、様々な分野の研究開発が可能です。
柔軟なビジネスモデル・厳密な情報管理・顧客第一主義を基本理念として、お客様の長期に渡るビジョンをサポートしていきます。

【事業内容】
○技術開発サポート
○テストウェハー販売
○分析・評価サービス
○コンサルティング事業

詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

由于“Therplim”具有良好的介电性能和耐高温高湿性，可用于5G相关材料（覆铜板）、CFRP原材料和音频设备部件。

[特征]
■ 在包括毫米波区域（10GHz 2.7）在内的宽频带内具有良好的介电特性
■ 高耐热性（Tm323℃/Tg185℃）
■ 耐化学性好，不溶于溶剂
■ 可从 25 μm 以下的薄膜加工至厚度为 100 mm 的大型构件

* 有关详细信息，请参阅 PDF 文档或随时与我们联系。

セイカが取り扱う、『TFMB』をご紹介いたします。

構造はビフェニル/メタ位フッ素含有の芳香族ジアミンで、5G用途樹脂をはじめ、半導体用途、フォルダブルデバイス部材、LCD/OLED部材にも好適。荷姿は20kg/ファイバードラムで、生産規模は商業生産です。

ホームページに掲載している製品以外にも様々な製品を扱っています。
サンプル・お見積をご検討されている方は、当社までお気軽にお問い合わせください。

【特長】
■化合物名：2,2'-Bis(trifluoromethyl)benzidine、
　　　　　　4,4'-Diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl
■化学式：C14H10F6N2
■M.W.(分子量)：320.23
■CAS No.：341-58-2
■HPLC純度：99.5％以上
■融点：182.0℃以上

※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、SEM-ECCI法によるGaNの転位観察を行っております。

窒化ガリウム（GaN）等のパワー半導体において、製造時に含まれる転位は
デバイス性能の低下や短寿命化の要因とされています。

半導体の転位観察は主に透過電子顕微鏡（TEM）やエッチピット法が用いられますが、
SEM-ECCI法を用いると容易な前処理で観察可能となります。

【測定事例】
■供試材：単結晶GaN（サファイア基板上にGaNを成膜したウェハ）
■面方位：C面（0001）±0.5°
■GaN膜厚：4.5±0.5μm
■測定条件：後方散乱モード

※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『低誘電ガラス』は、誘電損失の小さいガラス繊維です。

優れた電波透過性を示す製品。様々な樹脂に対応する
表面処理技術が採用されています。

また、成形品の寸法精度に優れる扁平断面ガラス繊維も
ラインアップしております。

【特長】
■低誘電率、低誘電正接に優れる
■優れた電波透過性を示す
■様々な樹脂に対応する表面処理技術

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

◆窒化アルミの特徴◆

1. 高い熱伝導性
・アルミナの約6倍です。
2. Siに近い熱膨張率
・大型Siチップの搭載や熱サイクルに対する信頼性に優れています。
3. 優れた電気的特性
・優れた電気絶縁性と誘電特性を持っています。
4. 高い強度
・アルミナと同等の機械的強度を持っています。
5. 優れた耐食性
・優れた耐食性を持ち、ほとんどの溶融金属に濡れません。

セイカが取り扱う、『HFBAPP』をご紹介いたします。

ホームページに掲載している製品以外にも様々な製品を扱っています。
サンプル・お見積をご検討されている方は、当社までお気軽にお問い合わせください。

【特長】
■化合物名：2,2-Bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]hexafluoropropane
■化学式：C27H20F6N2O2
■M.W.(分子量)：518.45
■CAS No.：69563-88-8
■融点：160℃

※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

TEFレジンの持つユニークな特性を最大限に活用した
多種類の商品郡により、長年にわたり電子工業分野に貢献してきた
米国ポリフロン社が行う、PTEF基板加工のご紹介です。

【特徴】
○あらゆる形状への加工が可能
○高い性能を生み出し、技術者の理想を現実にする
○マイクロ波/ミリ波分野での極低損失高周波基板として最適

●その他機能や詳細については、カタログをダウンロードして下さい。

『TwinBit』は、標準ロジックプロセスで製造可能な不揮発メモリIPコアです。

0.18um世代から先端の16nm世代とその先まで、幅広いプロセスに対して
10万回以上の書き換えが可能。

従来のFlashメモリのような複雑なメモリセル構成を必要とせず、
少ない製造コストで高性能の不揮発メモリを提供いたします。

64bラッチタイプから2MByteのコード格納用メモリまで、
様々な不揮発メモリコア用途に合わせたカスタマイズも可能です。

【特長】
■世界最小クラスのメモリセルサイズ
■高速、低電力読み出し動作
■低電圧書込動作
■テスト回路内蔵

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

株式会社Piezo Studioは、東北大学発のベンチャー企業です。

東北大学が保有する材料開発技術をベースとして、市場の様々な
ニーズを掘り起こし、そのニーズに応えるため、試作検討により新たな技術を確立。

その技術を、地域企業で量産化技術に昇華させ、最終ユーザーと企業とを
結び付ける役割を果たします。

まずはお気軽にお問い合わせください。

【事業内容】
■電子部品及びその材料の設計・試作
■電子部品の開発・コンサルティング
■結晶加工
■材料評価

※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『かご型シルセスキオキサン型脂環式酸二無水物DDSQ』は、ダブルデッカー型
ポリシルセスキオキサンを脂環式酸二無水物にした二官能性モノマーです。

高耐熱樹脂原料（ポリイミド、エポキシ等）などの用途に好適。

ポリイミドやエポキシ等の高耐熱樹脂の主鎖にダブルデッカー型
シルセスキオキサンを組み込むことで、耐熱性の向上に加えて、
低誘電・低線熱膨張・靭性向上などの特性を付与することが期待できます。

【特長】
■高耐熱樹脂の主鎖に組み込むことで低誘電・低線熱膨張などの
　特性付与が可能
■低誘電：誘電率2.4～2.8
■高耐熱：耐熱温度500℃前後
■低Tg：Tg250～270℃

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。