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半導体製造装置・材料

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化学機械研磨プロセスの安定化とは?課題と対策・製品を解説

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平坦化における化学機械研磨プロセスの安定化とは?

半導体製造において、ウェハー表面をナノメートルオーダーで平坦化する化学機械研磨(CMP)プロセスは、微細回路形成に不可欠です。このプロセスの安定化は、歩留まり向上と製品性能維持のために極めて重要であり、均一な研磨レートと表面粗さを実現することを目指します。

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『CIPクラッドパイプ』は、真空溶解・ガスアトマイズ法により
製造された高品質の粉末を熱間押出して製造されています。

HIP、遠心鋳造、溶射、肉盛溶接に比べ、微細な炭化物が均一に分散されており、
より硬く耐磨耗性に優れています。

また、HIP、遠心鋳造、溶射、肉盛技術では、製造不可能な長尺細径管の
製造も可能です。

【特長】
■耐磨耗性が極めて高く、恒久対策に好適
■錆によるベレットへの着色がない
■高クローム鋼の配管に比べ、軽量であるため、取付作業が容易
■熱間ベンド加工により、様々な角度に曲げ加工が可能
■曲げ加工による内面ステライト合金へのクラックがない
■外径がステンレス鋼のため、フランジ、アースラグの溶接が可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

半導体製造用の耐摩耗部品・耐摩耗配管

有限会社ファーストダックは、研磨機・CMPマシンに付着したスラリー(研磨材)の洗浄剤、洗浄方法を提供している会社です。

当社が行った、スラリーアームの洗浄前と洗浄後をご紹介しています。

今なら資料を無料進呈中!

※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

Slurry Arm Fumed Silica

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平坦化における化学機械研磨プロセスの安定化

平坦化における化学機械研磨プロセスの安定化とは?

半導体製造において、ウェハー表面をナノメートルオーダーで平坦化する化学機械研磨(CMP)プロセスは、微細回路形成に不可欠です。このプロセスの安定化は、歩留まり向上と製品性能維持のために極めて重要であり、均一な研磨レートと表面粗さを実現することを目指します。

課題

研磨レートのばらつき

ウェハー上の位置やバッチ間で研磨レートにばらつきが生じ、均一な平坦化が困難になる。

表面欠陥の発生

研磨中にスクラッチやパーティクルなどの表面欠陥が発生し、ウェハーの品質を低下させる。

スラリーの劣化

研磨に使用するスラリーの成分や粒子の状態が時間とともに変化し、研磨性能に影響を与える。

装置の摩耗

研磨パッドやキャリアなどの装置部品が摩耗し、研磨結果の再現性を損なう。

​対策

精密なプロセス制御

研磨圧、回転数、スラリー供給量などをリアルタイムで監視・調整し、安定した研磨条件を維持する。

高品質な研磨材料の使用

均一な粒子径と組成を持つスラリーや、耐久性の高い研磨パッドを選定・使用する。

定期的な装置メンテナンス

研磨パッドの交換や装置部品の点検・清掃を定期的に実施し、装置の性能を維持する。

高度な検査・分析

研磨後のウェハー表面を詳細に検査し、欠陥の種類や発生原因を特定して改善策を講じる。

​対策に役立つ製品例

高精度研磨スラリー

均一な粒子分布と安定した化学組成により、研磨レートのばらつきを抑制し、表面欠陥の発生を低減する。

自己修復型研磨パッド

研磨中の摩耗を最小限に抑え、長期間にわたり安定した研磨性能を維持し、装置のメンテナンス頻度を削減する。

リアルタイムプロセス監視システム

研磨中の各種パラメータをリアルタイムで取得・分析し、異常を早期に検知して自動でプロセスを補正する。

AI駆動型欠陥解析ソフトウェア

研磨後のウェハー画像を高速かつ高精度に解析し、微細な欠陥も正確に特定・分類して原因究明を支援する。

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