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半導体製造装置・材料

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熱処理プロセスの最適化とは？課題と対策・製品を解説

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ウェーハ表面の酸化における熱処理プロセスの最適化とは？

半導体製造において、ウェーハ表面に高品質な酸化膜を形成するための熱処理プロセスを、歩留まり向上、コスト削減、性能改善などを目指して最適な条件に調整することです。これにより、デバイスの信頼性や性能を最大限に引き出すことが可能になります。

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【半導体向け】高温耐火チューブ

【半導体向け】高温耐火チューブ
竹内工業株式会社
半導体業界の熱処理工程では、精密な温度管理と周辺機器の保護が求められます。高温にさらされる環境下では、機器の劣化や誤作動のリスクが高まり、生産効率や製品品質に影響を及ぼす可能性があります。当社の高温耐火チューブは、このような厳しい条件下でも周辺機器を確実に保護し、安定した熱処理プロセスをサポートします。 【活用シーン】 ・半導体製造装置内の高温箇所からの保護 ・熱処理炉周辺の配線・配管保護 ・高温ガスや蒸気が通過する箇所の断熱 【導入の効果】 ・機器の長寿命化 ・生産ラインの安定稼働 ・メンテナンスコストの削減
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【半導体製造向け】多用途耐熱光ファイバー

【半導体製造向け】多用途耐熱光ファイバー
レック株式会社
半導体製造業界のプロセス制御では、高温環境下での精密な温度測定が求められます。特に、ウェーハ製造やアニール工程など、高温にさらされる環境下での正確な温度管理は、製品の品質と歩留まりを左右する重要な要素です。従来の光ファイバーでは耐熱性の問題から、測定が困難なケースがありました。当社の多用途耐熱光ファイバーは、250℃までの高温環境に耐え、安定した測定を実現します。 【活用シーン】 ・ウェーハ製造工程での温度測定 ・アニール工程での温度監視 ・高温環境下でのプロセス制御 【導入の効果】 ・高温環境下での正確な温度測定が可能 ・製品の品質向上と歩留まりの改善 ・プロセスの最適化によるコスト削減
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【電子部品向け】2室型箱型乾燥機 SBD-100W型

【電子部品向け】2室型箱型乾燥機 SBD-100W型
有限会社ステック
電子部品業界では、製品の品質を維持するために、精密な乾燥工程が求められます。特に、部品の性能や信頼性に影響を与える水分や残留溶剤の除去は、製品の長寿命化に不可欠です。不十分な乾燥は、部品の劣化や故障の原因となる可能性があります。当社の2室型箱型乾燥機 SBD-100W型は、2つの部屋でそれぞれ異なる温度設定が可能であり、多様な電子部品の乾燥ニーズに対応します。 【活用シーン】 ・電子部品の製造ラインにおける乾燥工程 ・試作品や少量生産品の乾燥 ・異なる温度条件での乾燥が必要な部品の処理 【導入の効果】 ・部品ごとの最適な乾燥条件設定による品質向上 ・生産効率の向上 ・多様な乾燥ニーズへの対応力強化
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【半導体製造向け】SiO2(石英)リング

【半導体製造向け】SiO2(石英)リング
株式会社スパッタコア
半導体製造業界では、高温環境下での精密な工程管理が求められます。特に、熱処理やエッチングなどのプロセスにおいては、部材の熱膨張や歪みが製品の品質を左右する重要な要素となります。SiO2(石英)リングは、高い耐熱性と寸法安定性を持ち、これらの課題に対応します。これにより、歩留まりの向上と安定した品質の製品製造に貢献します。 【活用シーン】 ・高温環境下での半導体製造プロセス ・熱処理工程 ・エッチング工程 ・精密部品の保護 【導入の効果】 ・高い耐熱性による安定した品質 ・寸法安定性による精密な工程管理 ・歩留まりの向上 ・製品の信頼性向上
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【太陽電池製造向け】SiO2(石英)リング

【太陽電池製造向け】SiO2(石英)リング
株式会社スパッタコア
太陽電池製造業界では、高品質な太陽電池セルの製造が求められます。特に、拡散工程における不純物の混入を防ぎ、効率的な拡散処理を行うことが重要です。不適切な材料の使用や管理は、太陽電池セルの性能低下や歩留まりの悪化につながる可能性があります。当社のSiO2(石英)リングは、高い純度と耐熱性により、拡散工程における最適な環境を提供し、高品質な太陽電池セルの製造をサポートします。 【活用シーン】 ・太陽電池セルの拡散工程 ・高温環境下での使用 ・不純物の混入防止 【導入の効果】 ・高品質な太陽電池セルの製造 ・歩留まりの向上 ・製品の信頼性向上
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【半導体向け】高温炉・真空炉用グラファイトトレー

【半導体向け】高温炉・真空炉用グラファイトトレー
東京炭素工業株式会社
半導体業界では、ウェーハの品質を維持するために、高温環境下での正確な搬送が求められます。特に、熱処理工程においては、ウェーハを均一に加熱し、歪みを防ぐことが重要です。不適切なトレーの使用は、ウェーハの破損や性能劣化につながる可能性があります。当社のグラファイトトレーは、耐熱性、耐薬品性に優れたグラファイト素材を使用し、ウェーハを安全に搬送します。 【活用シーン】 ・高温炉内でのウェーハ搬送 ・真空炉内でのウェーハ搬送 ・熱処理工程におけるウェーハの保持 【導入の効果】 ・ウェーハの破損リスクを低減 ・熱処理工程の効率化 ・製品の品質向上
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ヒートスプレッダ『TDMC CVDダイヤモンドインサート』

ヒートスプレッダ『TDMC CVDダイヤモンドインサート』
三国製鏡株式会社
ダイヤモンド・ヒートスプレッダ『TDMC CVDダイヤモンドインサート』は、 最大2,000W/m・Kの高い熱伝導率により、発熱源から熱を素早く拡散し、 性能低下や寿命短縮の大きな要因となるホットスポットだけを 効率的に冷却し、デバイス性能と信頼性の向上に貢献します。 QFN、BGA、SiPなど各種パッケージへ容易に組み込み可能で、 システム全体の設計変更を抑えた導入が可能です。 当社では、お客様の設計に合わせたCVDダイヤモンドインサートや、 OEM対応の熱対策ソリューションも提供しています。 【特長】 ■最大2,000W/m・Kの高い熱伝導率 ■ダイヤモンドならではの高い熱伝導率を生かした熱マネジメント ■デバイスの長寿命化と性能維持に貢献 ■QFN、BGA、SiPなど各種パッケージへ容易に組み込み可能 ※下記ダウンロードボタンよりTDMC社のダイヤモンド材料の紹介資料をご覧いただけます。 　本製品についてのお問い合わせもお気軽にどうぞ。
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クラス10,000クリーンルーム製造 ホットプレートユニット

クラス10,000クリーンルーム製造 ホットプレートユニット
株式会社サカエ
マイカヒーターをアルミプレートで挟み込んだ構造のヒーターです。 クラス10、000のクリーンルーム内で製造されており、均一な温度分布を実現しています。 主に半導体製造装置内でのウエハレジスト塗布・乾燥工程に使用されています。 【材質規格】 ■材質：AL ■材質：SUS ■材質：SIC ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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アニール炉『MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉』

アニール炉『MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉』
テルモセラ・ジャパン株式会社
◾️Max2000℃ ◾️有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式 ◾️ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン ◾️ヒーター材質： ・C/Cコンポジット ・SiCコーティンググ ・TaCコーティング ・タングステン ◾️使用雰囲気： ・真空（10-3Pa台@1800℃（*但し空炉、高真空ポンプ仕様の場合）、大気圧ガス置換（Ar, N2, O2）、APCプロセス圧力制御 ◾️PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・タッチパネル操作 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ（PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整
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水分発生装置『WVG』

水分発生装置『WVG』
株式会社フジキン(Fujikin Incorporated)
1.触媒を利用した反応炉。 2.幅広い濃度制御範囲。 3.優れた安全性。 4.各種インターロック。 5.安全仕様。
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アニール炉 Mini-BENCH-prism Max2000℃

アニール炉 Mini-BENCH-prism Max2000℃
テルモセラ・ジャパン株式会社
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉カスタマイズ自在なヒーター構造： - 円筒状ヒーター：るつぼ内サンプル焼成（固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用） - 面状ヒーター：Φ1"〜Φ6"ウエハー、小片チップ焼成用 ◉PLCセミオートコントロール タッチパネル画面で温度調節計以外の全ての操作を行います。 煩わしいバルブ開閉・ポンプ起動操作が不要、焼成作業前の「真空/パージ」サイクルと焼成作業後の「ベント」を1ボタンで自動シーケンスで行います。 ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。
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マルチ雰囲気炉｜液体原料を気化導入する熱CVDコーティング炉

マルチ雰囲気炉｜液体原料を気化導入する熱CVDコーティング炉
株式会社サーモニックENG
従来のコーティングでは、原料溶液を部材表面に塗布し、乾燥後に電気炉で焼成する方式が一般的です。 しかし、狭い隙間、内面、凹部、段差部を持つ部材では、塗布ムラや未塗布部が発生しやすく、塗布量・乾燥収縮・焼成後膜厚のばらつきが課題になる場合があります。 当社のマルチ雰囲気炉は、Wetter方式だけでなく、気化器を接続することで、液体原料や有機金属前駆体を気化導入する熱CVD炉としての構成も検討可能です。 気化器で原料を安定供給し、キャリアガスで炉内へ導入することで、部材表面に気相反応による膜形成・コーティングを行うプロセス開発に活用できます。 【特長】 ■ 液体原料・有機金属前駆体の気化導入に対応 ■ 熱CVD、表面改質、コーティング条件の検討が可能 ■ 狭隙、内面、凹部、段差部を持つ部材への成膜を検討可能 ■ 塗布・乾燥工程の省略による工程短縮を期待 ※詳しくは資料ダウンロードまたはお問い合わせください。
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ランプアールユニット

ランプアールユニット
株式会社メープル
急速加熱、高精度温度分布を実現した ランプアールユニット 【特徴】 ○サークル形状の高出力赤外線ランプヒーターを用いて 　基板の上下から加熱することで、急速加熱・高精度温度分布を実現 ○チャンバー内面に特殊表面処理の冷却反射プレートを採用 　優れたプロセス再現性と、急速冷却が可能 ○処理基板：φ300mm ○最高使用温度：1000±10℃ ●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。
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ろう付け不要。カシメ方式クーリングプレート

ろう付け不要。カシメ方式クーリングプレート
株式会社サカエ
アルミ材を機械加工し、SUSパイプをカシメて組み込む方式のクーリングプレートです。 鋳込み式やろう付け・溶接方式に比べて、軽量化と短納期を実現しています。 主に半導体製造装置などに使用されています。 【材質規格】 ■材質：AL ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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【冷媒規制対応/低GWP冷媒のR454C対応可能】チラーユニット

【冷媒規制対応/低GWP冷媒のR454C対応可能】チラーユニット
株式会社AFREX
当社で取り扱う「チラーユニット」は、低GWP対応のチラーユニットを お探しの方におすすめです。 地球温暖化に配慮した冷媒R454Cに対応。用途に応じ、冷媒の種類も含め カスタマイズ設計ができます。 ご要望の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■地球温暖化に配慮した低GWP(冷媒R454C)に対応 ■用途に応じ、冷媒の種類も含めカスタマイズ設計が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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IR硬化炉

IR硬化炉
株式会社IPC
『IR硬化炉』は、フレキソ印刷機にて塗布された基板上の配向膜、 または絶縁膜をIRヒーターを上下に搭載し、焼成・硬化処理 冷却バッファーを行う装置です。 独立した多段炉なため、各段を自由に温度設定が出来ます。 主な用途先は半導体製造装置関連、FPD製造装置関連です。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【仕様】 ■温度性能：室温〜350度(ガラス表面温度) ​■温度精度：表面温度±5度以内 ■方式：マイカヒーター ■ヒーター出力：AC200V/50Hz　3φ　10KVA ​■熱量：10.78mj ​■圧縮空気：0.5Mpa　50L/min ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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石英ガラス　サーマルプロセス用製品

石英ガラス　サーマルプロセス用製品
東ソー・クォーツ株式会社
当社では、高耐熱、高純度、パーティクル対策などの要求にこたえる CVD工程や酸化・拡散工程に不可欠なチューブ、ボート等の サーマルプロセス用製品を取り扱っております。 大型化要求に対しては、φ1000mmを超えるチューブやフランジ等の 大口径石英ガラス部材を実現。 新鋭の測定技術と実績ある加工技術で高度な要望に対応します。 【製品例】 ■チューブ ■フランジ ■大型フランジ（不透明） ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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電気炉　大型拡散炉

電気炉　大型拡散炉
株式会社アサヒ理化製作所
各種の炉を一つの装置にパッケージすることで省スペースで機能的に使用できるシステムです。
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高温恒温槽『クリーンオーブン』【半導体ウェハーの高温処理に！】

高温恒温槽『クリーンオーブン』【半導体ウェハーの高温処理に！】
三田産業株式会社
『クリーンオーブン』は、クリーンエアによる高温恒温槽です。 装置内のHEPAフィルターにより高いクリーン度を保つ為、半導体ウェハー の高温処理に適しております。各寸法、使用温度の変更や操作スイッチの 配置等の細かい仕様をご使用条件に合わせて設計させていただきます。 【特長】 ■装置内のHEPAフィルターにより高いクリーン度を保つ ■半導体ウェハーの高温処理に好適 ■操作パネルに配置されたカラータッチパネルによる 　操作、温度モニターが可能 ■プログラム温調計の採用によりプログラム運転が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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熱電対（TC）付ウェハー

熱電対（TC）付ウェハー
インターテック・スクエアード株式会社
センサーは信頼性が高く、測定されるウエハーに直接配置されているため、 センサーが配置された正確な場所で実際の温度を提供できます。また、ウエハーの温度プロファイルを正確に測定し、 ランピングアップ、クーリングダウン、遅延期間などの過渡状態を含む完全な熱サイクルの温度変化を連続的に監視することができます。
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スーパータル　シングルウェハーリアクター

スーパータル　シングルウェハーリアクター
アレイマジャパン株式会社
従来のシリコンデバイス用途のみならず、シリコン系パワーデバイス(IGBT)の熱処理用途や化合物半導体(GaN、SiC)のアニール処理、エピ成長装置としてご検討下さい。
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ラックヒータ炉

ラックヒータ炉
東海高熱工業株式会社
当製品は、高温バッチ路で133℃/min(8000℃/h)急速昇温が可能な ラックヒータ炉です。 均一な温度分布(R=6℃)で、消費電力削減しました。 (当社従来比20%削減) 用途例としては、電子部品材料の焼成や粉体材料の焼成、 二次電池材料の焼成、LED用蛍光体材料の焼成となっております。 【特長】 ■高温バッチ路で133℃/min(8000℃/h)急速昇温が可能 ■露点制御が可能(+10℃～+50℃) ■急速冷却が可能(1350℃～200℃まで150分以内) ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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【セラミックヒーター】窒化アルミ製　ワトローウルトラミック(R)

【セラミックヒーター】窒化アルミ製　ワトローウルトラミック(R)
坂口電熱株式会社
ワトローウルトラミック(R)は、半導体や電気自動車(EV) 等の開発において、好適なパフォーマンスを提供する窒化アルミヒーターです。 高い熱伝導性、急速な温度変化への対応能力、高温時でも安定した電気的特性、そして正確な温度制御が可能な熱電対内蔵構造を持つ当ヒーターは、高度な熱処理ニーズに応えます。 【特長】 ○熱伝導性の高い窒化アルミ基板を採用 ○急速昇温(最大150℃/sec)・急速降温に対応 ○優れた電気的特性 ○熱電対(Kタイプ)内蔵構造 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
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面状加熱CCヒータ

面状加熱CCヒータ
株式会社ナガノ
『面状加熱CCヒータ』は、熱源にC／Cコンポジット（炭素－炭素複合材）を 使用した薄型でコンパクトな製品です。 C／Cコンポジットを使用することで、シースヒータを用いた プレートヒータでは実現が困難な高い温度まで昇温することが可能。 また、ヒータ上部に設置したサセプタ上で加熱するため、均等に 加熱することができ、大気中では400℃以下、真空中や不活性ガス 雰囲気下であれば1200℃以上の昇温を行うことができます。 【特長】 ■サセプタによる均熱性 ■高温加熱の実現 ■C／Cコンポジット素材採用によるメリット ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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自然冷媒チラー『RJ-CA型』

自然冷媒チラー『RJ-CA型』
株式会社荏原製作所
『RJ-CA型』は、自然冷媒(CO2)を採用した半導体製造装置 向けチラーです。 超小型キャンドポンプ内蔵・荏原のインバータ制御技術により 省スペース・省エネ化をはかることが可能。 また、±0.1℃の温度制御が可能となりプロセスの安定性向上 及び歩留まり向上へ貢献します。 【特長】 ■自然冷媒(CO2)採用(GWP＝1) ■精密温度制御 ■省エネ ■省スペース ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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ガス分離型　面状加熱ヒーター『HFC-Ox』

ガス分離型　面状加熱ヒーター『HFC-Ox』
株式会社ナガノ
『HFC-Ox』は、C/Cコンポジット（炭素‐炭素複合材）を使用したヒーターが 石英ガラスに完全に覆われており、酸化雰囲気下で最高1,000℃までの 昇温が可能なガス分離型面状加熱ヒーターです。 主に、薄膜装置（CVD/スパッタリング等）や半導体製造装置（基板加熱/ フラッシュアニール等）への組み込みに適しています。 【特長】 ■大気中や酸化雰囲気中で1,000℃まで昇温可能 ■化学的に安定した石英ガラスを使用しており使用環境の影響を受けにくい設計 ■コンタミの発生が極めて少なくクリーンな状態で使用可能 ■ヒーターに用いるC/Cコンポジット素材は熱容量が小さく振動や衝撃及び 　サーマルショックに強く速やかな昇温及び降温が可能 ■スペースを取らないコンパクトな設計 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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半導体製品　総合カタログ

半導体製品　総合カタログ
大和鉄原工産株式会社
当カタログは、大和鉄原工産が取り扱う『半導体製品』の総合カタログです。 配管やタンクなどを安全に加熱できる「産業用/工業用ヒーター」をはじめ、 「シース熱電対」や「シリコンウエハー」などをラインアップ。 当社は、技術革新の速い半導体業界でお客様のニーズに対応し貢献します。 【掲載内容】 ■PHILOSOPHY ■BUSINESS CONTENTS ■産業用/工業用ヒーター ■熱電対/測温抵抗体/ウエハーT/C ■シリコンウエハー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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アプリケーション『半導体製造装置』

アプリケーション『半導体製造装置』
株式会社ハイラックス電機
株式会社ハイラックス電機は、工業用・産業用ハロゲンランプヒーター・ カーボンランプヒーターのカスタム製造・販売を行っております。 『ハロゲンランプヒーター』は、電力に対する熱損失が少なく、とても 効率の高いヒーター（熱源）です。また立ち上がり・立ち下がりの 応答性能も非常に高く瞬時加熱を得意としております。 直線タイプや丸型、異形状など様々な形状へのアレンジもできますので、 まずはお気軽にお問い合わせ下さい。 【特長】 ■近赤外：約1μm ■色温度：約2500K ■寿命：約5000h ■クリーン ■即応答：約1～2秒 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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PBN坩堝熱処理炉『MAT-200KA』

PBN坩堝熱処理炉『MAT-200KA』
有限会社マテルズ
『MAT-200KA』は、4”＆6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発された 電気炉です。 ガスフロー式で、N2,O2ガスを流すことが可能。 均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御されます。 また、オプションにて第三のガスを流すことができます。 【特長】 ■4”＆6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発 ■均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御される ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
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熱電対付きシリコンウェーハ　AW-0505K-A-TS1-ANP

熱電対付きシリコンウェーハ　AW-0505K-A-TS1-ANP
安立計器株式会社
『AW-0505K-A-TS1-ANP』は、引張荷重200g以上という 高強度な熱接点固定部を実現し、さらに熱電対の経年変化による 精度ズレの影響を最小限に抑えることで再現性を向上させた 熱電対付シリコンウェーハです。 5インチウェーハに、アルミナ繊維スリーブを被覆した 熱電対センサを5本取り付けたタイプで、 熱電対センサの被覆に使用しているアルミナ繊維スリーブは 柔軟で軽量なため、手軽に取り扱えます。 【特長】 ■アルミナ繊維スリーブを被覆 ■精度ズレの影響を最小限に抑えられている ■高強度な熱接点固定部を実現　 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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石英ガラス 高純度アニール炉

石英ガラス 高純度アニール炉
アドバンエンジ株式会社
『石英ガラス 高純度アニール炉』は、アニール工程における 石英ガラス製品の表面汚染を大幅に減少させることが可能です。 ステンレス炉体と高純度断熱材を採用し、高いクリーン性能を実現。 処理製品の大口径化、長尺化に対応するべく炉体の大型化を進めており、 お客様のご要望に応じて専用設計いたします。 【特長】 ■ステンレス炉体と高純度断熱材を採用し、高いクリーン性能を実現 ■熱源はSiCヒーターを採用し温度分布性能の向上を図る ■対象製品の大きさに合わせて専用設計が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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ニューセラミックス

ニューセラミックス
株式会社ヨータイ
当社では、ニューセラミックスの製造販売を行っております。 鉄鋼・セメントメーカー向け耐火物の多くは、天然の鉱石を用いて 製造しますが、電子部品メーカー向け耐火物は、高純度に精製した天然原料や 人工原料を用いて製造するニューセラミックスを使用するのが一般的です。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【取扱品目】 ■セラミック焼成用道具材 ■焼成炉用炉材 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
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全自動RTP（高速熱処理）装置

全自動RTP（高速熱処理）装置
インターテック・スクエアード株式会社
4～8インチに対応した、シングルチャンバ全自動RTP装置です。搬送方式はオープンカセット・SMIFどちらかの選択で、カセットステーションは2台になります。 ウェハをサセプタに格納してプロセス処理をするため、反り、厚さ、透過率等のウェハの特性に関わらず、抜群のRc・温度均一性を実現します。 熱源はハロゲンランプで、上下両面配列です。 温度測定範囲は20℃～1250℃となります。熱電対とパイロメータがリアルタイムの温度測定をし、その結果をスマートPIDおよびマルチゾーンSCRが制御することで、優れた温度コントロールを可能にします。 真空チャンバ内には酸素濃度モニターを搭載し、酸素フリーな環境維持をサポートします。 Windowsベースのソフトウェアはマルチリンガル対応。グラフィカルなユーザーインターフェースで直観的な操作を可能としています。 累積出荷台数500台以上の実績で得られたプロセスプロファイリングのノウハウと、常時5台用意されたデモ環境で、貴社のプロセス開発における課題解決のお手伝いを致します。
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真空・プロセスガス高速アニール装置『RTP/VPOシリーズ』

真空・プロセスガス高速アニール装置『RTP/VPOシリーズ』
ユニテンプジャパン株式会社
『RTP/VPOシリーズ』は、卓上型タイプの 真空・プロセスガス高速アニール装置です。 SiCの熱酸化プロセス及びGaNの結晶成長など高い純度や安定性を 要求される研究開発に適している「RTP-150」をはじめ「RTP-100」や 「VPO-1000-300」をラインアップしています。 【RTP-150　特長】 ■φ6インチ対応 ■最大到達温度1000℃ ■リニアな温度コントロールを実現 ■コンタミネーションの発生を大幅に低減 ■オプションで様々な実験環境に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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電気炉　卓上拡散炉

電気炉　卓上拡散炉
株式会社アサヒ理化製作所
卓上タイプで場所とらず低価格にて装置が購 入できます。仕様内容に付きましては各ユーザーの希望により設計いたします。
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株式会社フューテックファーネス　事業紹介

株式会社フューテックファーネス　事業紹介
株式会社フューテックファーネス
当社は、ハードデイスク（HDD)分野での磁性材料熱処理装置、 各種電子デバイス分野でのセラミックス、磁性材料などの製造装置、 各種単結晶育成装置および技術開発、 新規素材に関連する製造装置開発を事業領域としております。 各種の環境下での高精度な熱処理技術を自社技術として保有しており、 特に磁場中での熱処理技術では、多くの特許を取得。 顧客との共同開発による新規プロセス設備の開発でも実績を持っています。 【業務内容】 ■磁気ヘッド関連装置の設計・製造・販売 ■単結晶育成関連装置の設計・製造・販売 ■ファインセラミックス用各種高温電気炉の設計・製造・販売 ■新規素材開発関連装置の設計・製造・販売 ■上記分野及びその他における委託研究開発及び 　関連装置・プロセスの設計・製造・販売 ※詳しくはPDF（英語版）をダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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中古製造装置設置提案サービス

中古製造装置設置提案サービス
TST SEMICONDUCTOR株式会社
当社では、150mmまたは200mmのシリコン半導体、125mmまたは 150mmの化合物半導体、および第3世代の半導体への中古製造装置設置、 再生装置販売を行っております。 製造装置には酸化拡散、注入装置、リソグラフィーマシン、エッチング、 洗浄装置、薄膜、CMP、測定などを含んでおります。 ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。 【対象の半導体】 ■150mmまたは200mmのシリコン半導体 ■125mmまたは150mmの化合物半導体 ■第3世代の半導体 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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マルチ雰囲気炉｜雰囲気焼成から熱CVDプロセスまで対応

マルチ雰囲気炉｜雰囲気焼成から熱CVDプロセスまで対応
株式会社サーモニックENG
「マルチ雰囲気炉」は、真空・不活性雰囲気に加え、H2、NH3、O2など複数の雰囲気ガスを切り替えながら加熱できる汎用型の雰囲気炉です。 酸化、還元、窒化、加湿雰囲気での焼成など、複雑な反応条件を1台で再現できるため、材料開発・表面処理・粉末焼成・反応評価に適しています。 また、Wetterによる加湿ラインだけでなく、気化器を組み合わせることで、液体原料や有機金属溶液を気化導入する熱CVD炉としての構成も検討可能です。 薄膜形成、表面改質、コーティング、前駆体反応評価など、通常の雰囲気焼成より一歩進んだプロセス開発にも活用できます。 【特長】 ■ 真空、不活性、酸化、還元、窒化雰囲気に対応 ■ H2、NH3、O2、N2、Arなど各種ガスを切替可能 ■ Wetter接続により加湿雰囲気焼成に対応 ■ 気化器接続により熱CVDプロセスにも拡張可能 ■ 最高温度1700℃、昇温速度10℃/minに対応 ■ 排気・除害・安全機器との連携も検討可能 ※詳しくは資料ダウンロードまたはお問い合わせください。
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新しい形状の半導体熱処理炉用ヒーター

新しい形状の半導体熱処理炉用ヒーター
株式会社三幸
新しい形状の半導体熱処理炉用ヒーターです。ウェハの表面温度均一性と昇降温特性に優れています。 【特長】 ■制御熱電対 ヒータ側壁挿入方式 (制御用4箇所、過温保護用4箇所、アジャスト機構あり) ■断熱材材質 外周：ファインフレックスペーパー 内周：高純度ファイバーモールド ※総合カタログ進呈。詳しくはお問い合わせいただくかPDFをダウンロードしてご覧ください。
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ウェーハ表面の酸化における熱処理プロセスの最適化

ウェーハ表面の酸化における熱処理プロセスの最適化とは？

半導体製造において、ウェーハ表面に高品質な酸化膜を形成するための熱処理プロセスを、歩留まり向上、コスト削減、性能改善などを目指して最適な条件に調整することです。これにより、デバイスの信頼性や性能を最大限に引き出すことが可能になります。

​課題

酸化膜の均一性不足

ウェーハ全面で酸化膜の厚みや特性にばらつきが生じ、デバイス性能のばらつきや歩留まり低下の原因となる。

熱処理時間の長期化によるコスト増

目的とする酸化膜厚を得るために長時間の熱処理が必要となり、装置稼働率の低下やエネルギー消費量の増加を招く。

欠陥密度の増加

不適切な熱処理条件により、酸化膜中にピンホールやパーティクルなどの欠陥が増加し、デバイスの電気特性や信頼性を損なう。

プロセスウィンドウの狭さ

わずかな条件変動で品質が大きく変化するため、安定した生産が困難であり、歩留まりの再現性が低い。

​対策

精密な温度・圧力制御

熱処理炉内の温度分布やガス圧力を高精度に制御し、ウェーハ全面で均一な酸化反応を促進する。

ガス流量・組成の最適化

酸化剤ガスの流量や種類、混合比率を調整し、酸化速度と膜質を最適化することで、熱処理時間の短縮を図る。

プロセスシミュレーションの活用

コンピュータシミュレーションを用いて、様々な熱処理条件における酸化膜の成長挙動や欠陥発生メカニズムを予測し、最適な条件を効率的に探索する。

インライン計測・フィードバック制御

熱処理中に酸化膜の成長状態をリアルタイムで計測し、その結果を基にプロセス条件を自動調整することで、品質の安定化と歩留まり向上を実現する。

​対策に役立つ製品例

高精度温度制御熱処理装置

均一な温度分布と精密な温度制御により、ウェーハ全面で一様な酸化膜形成を可能にする。

ガス混合・供給制御システム

酸化剤ガスの流量や組成を自在に制御し、最適な酸化反応条件を安定的に供給する。

プロセスシミュレーションソフトウェア

熱処理プロセスにおける酸化膜成長を詳細にシミュレーションし、最適な条件探索を支援する。

インライン膜厚・欠陥計測システム

熱処理中のウェーハ状態をリアルタイムでモニタリングし、プロセス制御にフィードバックする。

目的・課題で絞り込む

回路・パターン設計

酸化膜厚の均一化
界面特性の向上
リーク電流の抑制
製造時間の短縮
不純物混入の防止
膜質制御の精密化
熱処理プロセスの最適化

フォトマスク作成

酸化膜厚の均一化
界面特性の向上
リーク電流の抑制
製造時間の短縮
不純物混入の防止
膜質制御の精密化
熱処理プロセスの最適化

シリコンインゴット切断

酸化膜厚の均一化
界面特性の向上
リーク電流の抑制
製造時間の短縮
不純物混入の防止
膜質制御の精密化
熱処理プロセスの最適化

ウェーハの研磨

酸化膜厚の均一化
界面特性の向上
リーク電流の抑制
製造時間の短縮
不純物混入の防止
膜質制御の精密化
熱処理プロセスの最適化

ウェーハ表面の酸化

酸化膜厚の均一化
界面特性の向上
リーク電流の抑制
製造時間の短縮
不純物混入の防止
膜質制御の精密化
熱処理プロセスの最適化

薄膜形成

酸化膜厚の均一化
界面特性の向上
リーク電流の抑制
製造時間の短縮
不純物混入の防止
膜質制御の精密化
熱処理プロセスの最適化

フォトレジスト塗布

酸化膜厚の均一化
界面特性の向上
リーク電流の抑制
製造時間の短縮
不純物混入の防止
膜質制御の精密化
熱処理プロセスの最適化

露光・現像

酸化膜厚の均一化
界面特性の向上
リーク電流の抑制
製造時間の短縮
不純物混入の防止
膜質制御の精密化
熱処理プロセスの最適化

エッチング

酸化膜厚の均一化
界面特性の向上
リーク電流の抑制
製造時間の短縮
不純物混入の防止
膜質制御の精密化
熱処理プロセスの最適化

レジスト剥離・洗浄

酸化膜厚の均一化
界面特性の向上
リーク電流の抑制
製造時間の短縮
不純物混入の防止
膜質制御の精密化
熱処理プロセスの最適化

イオン注入

酸化膜厚の均一化
界面特性の向上
リーク電流の抑制
製造時間の短縮
不純物混入の防止
膜質制御の精密化
熱処理プロセスの最適化

平坦化

酸化膜厚の均一化
界面特性の向上
リーク電流の抑制
製造時間の短縮
不純物混入の防止
膜質制御の精密化
熱処理プロセスの最適化

電極形成

酸化膜厚の均一化
界面特性の向上
リーク電流の抑制
製造時間の短縮
不純物混入の防止
膜質制御の精密化
熱処理プロセスの最適化

ウェーハ検査

酸化膜厚の均一化
界面特性の向上
リーク電流の抑制
製造時間の短縮
不純物混入の防止
膜質制御の精密化
熱処理プロセスの最適化

ダイシング

酸化膜厚の均一化
界面特性の向上
リーク電流の抑制
製造時間の短縮
不純物混入の防止
膜質制御の精密化
熱処理プロセスの最適化

ワイヤーボンディング

酸化膜厚の均一化
界面特性の向上
リーク電流の抑制
製造時間の短縮
不純物混入の防止
膜質制御の精密化
熱処理プロセスの最適化

モールディング

酸化膜厚の均一化
界面特性の向上
リーク電流の抑制
製造時間の短縮
不純物混入の防止
膜質制御の精密化
熱処理プロセスの最適化

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