熱処理プロセスの最適化とは？課題と対策・製品を解説

当社では、ニューセラミックスの製造販売を行っております。

鉄鋼・セメントメーカー向け耐火物の多くは、天然の鉱石を用いて
製造しますが、電子部品メーカー向け耐火物は、高純度に精製した天然原料や
人工原料を用いて製造するニューセラミックスを使用するのが一般的です。

ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。

【取扱品目】
■セラミック焼成用道具材
■焼成炉用炉材

※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。

センサーは信頼性が高く、測定されるウエハーに直接配置されているため、
センサーが配置された正確な場所で実際の温度を提供できます。また、ウエハーの温度プロファイルを正確に測定し、
ランピングアップ、クーリングダウン、遅延期間などの過渡状態を含む完全な熱サイクルの温度変化を連続的に監視することができます。

『MAT-200KA』は、4”＆6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発された
電気炉です。

ガスフロー式で、N2,O2ガスを流すことが可能。
均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御されます。

また、オプションにて第三のガスを流すことができます。

【特長】
■4”＆6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発
■均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御される

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

『HFC-Ox』は、C/Cコンポジット（炭素‐炭素複合材）を使用したヒーターが
石英ガラスに完全に覆われており、酸化雰囲気下で最高1,000℃までの
昇温が可能なガス分離型面状加熱ヒーターです。

主に、薄膜装置（CVD/スパッタリング等）や半導体製造装置（基板加熱/
フラッシュアニール等）への組み込みに適しています。

【特長】
■大気中や酸化雰囲気中で1,000℃まで昇温可能
■化学的に安定した石英ガラスを使用しており使用環境の影響を受けにくい設計
■コンタミの発生が極めて少なくクリーンな状態で使用可能
■ヒーターに用いるC/Cコンポジット素材は熱容量が小さく振動や衝撃及び
　サーマルショックに強く速やかな昇温及び降温が可能
■スペースを取らないコンパクトな設計

※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

卓上タイプで場所とらず低価格にて装置が購 入できます。仕様内容に付きましては各ユーザーの希望により設計いたします。

<特長>
1.触媒を利用した反応炉。
2.幅広い濃度制御範囲。
3.優れた安全性。
4.各種インターロック。
5.安全仕様。

各種の炉を一つの装置にパッケージすることで省スペースで機能的に使用できるシステムです。

株式会社ハイラックス電機は、工業用・産業用ハロゲンランプヒーター・
カーボンランプヒーターのカスタム製造・販売を行っております。

『ハロゲンランプヒーター』は、電力に対する熱損失が少なく、とても
効率の高いヒーター（熱源）です。また立ち上がり・立ち下がりの
応答性能も非常に高く瞬時加熱を得意としております。

直線タイプや丸型、異形状など様々な形状へのアレンジもできますので、
まずはお気軽にお問い合わせ下さい。

【特長】
■近赤外：約1μm
■色温度：約2500K
■寿命：約5000h
■クリーン
■即応答：約1～2秒

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社は、ハードデイスク（HDD)分野での磁性材料熱処理装置、
各種電子デバイス分野でのセラミックス、磁性材料などの製造装置、
各種単結晶育成装置および技術開発、
新規素材に関連する製造装置開発を事業領域としております。

各種の環境下での高精度な熱処理技術を自社技術として保有しており、
特に磁場中での熱処理技術では、多くの特許を取得。

顧客との共同開発による新規プロセス設備の開発でも実績を持っています。

【業務内容】
■磁気ヘッド関連装置の設計・製造・販売
■単結晶育成関連装置の設計・製造・販売
■ファインセラミックス用各種高温電気炉の設計・製造・販売
■新規素材開発関連装置の設計・製造・販売
■上記分野及びその他における委託研究開発及び
　関連装置・プロセスの設計・製造・販売

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・円筒上真空チャンバー外周には、８個の真空ポートがついた拡張性の高い真空チャンバーを採用。
・上面が大きく開き、試料の設置・取出し作業が容易にできる。

『RJ-CA型』は、自然冷媒(CO2)を採用した半導体製造装置
向けチラーです。

超小型キャンドポンプ内蔵・荏原のインバータ制御技術により
省スペース・省エネ化をはかることが可能。

また、±0.1℃の温度制御が可能となりプロセスの安定性向上
及び歩留まり向上へ貢献します。

【特長】
■自然冷媒(CO2)採用(GWP＝1)
■精密温度制御
■省エネ
■省スペース

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『RTP/VPOシリーズ』は、卓上型タイプの
真空・プロセスガス高速アニール装置です。

SiCの熱酸化プロセス及びGaNの結晶成長など高い純度や安定性を
要求される研究開発に適している「RTP-150」をはじめ「RTP-100」や
「VPO-1000-300」をラインアップしています。

【RTP-150　特長】
■φ6インチ対応
■最大到達温度1000℃
■リニアな温度コントロールを実現
■コンタミネーションの発生を大幅に低減
■オプションで様々な実験環境に対応

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『クリーンオーブン』は、クリーンエアによる高温恒温槽です。
装置内のHEPAフィルターにより高いクリーン度を保つ為、半導体ウェハー
の高温処理に適しております。各寸法、使用温度の変更や操作スイッチの
配置等の細かい仕様をご使用条件に合わせて設計させていただきます。

【特長】
■装置内のHEPAフィルターにより高いクリーン度を保つ
■半導体ウェハーの高温処理に好適
■操作パネルに配置されたカラータッチパネルによる
　操作、温度モニターが可能
■プログラム温調計の採用によりプログラム運転が可能

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当製品は、高温バッチ路で133℃/min(8000℃/h)急速昇温が可能な
ラックヒータ炉です。

均一な温度分布(R=6℃)で、消費電力削減しました。
(当社従来比20%削減)

用途例としては、電子部品材料の焼成や粉体材料の焼成、
二次電池材料の焼成、LED用蛍光体材料の焼成となっております。

【特長】
■高温バッチ路で133℃/min(8000℃/h)急速昇温が可能
■露点制御が可能(+10℃～+50℃)
■急速冷却が可能(1350℃～200℃まで150分以内)

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『IR硬化炉』は、フレキソ印刷機にて塗布された基板上の配向膜、
または絶縁膜をIRヒーターを上下に搭載し、焼成・硬化処理
冷却バッファーを行う装置です。

独立した多段炉なため、各段を自由に温度設定が出来ます。

主な用途先は半導体製造装置関連、FPD製造装置関連です。
ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。

【仕様】
■温度性能：室温〜350度(ガラス表面温度)
​■温度精度：表面温度±5度以内
■方式：マイカヒーター
■ヒーター出力：AC200V/50Hz　3φ　10KVA
​■熱量：10.78mj
​■圧縮空気：0.5Mpa　50L/min

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『AW-0505K-A-TS1-ANP』は、引張荷重200g以上という
高強度な熱接点固定部を実現し、さらに熱電対の経年変化による
精度ズレの影響を最小限に抑えることで再現性を向上させた
熱電対付シリコンウェーハです。

5インチウェーハに、アルミナ繊維スリーブを被覆した
熱電対センサを5本取り付けたタイプで、
熱電対センサの被覆に使用しているアルミナ繊維スリーブは
柔軟で軽量なため、手軽に取り扱えます。

【特長】
■アルミナ繊維スリーブを被覆
■精度ズレの影響を最小限に抑えられている
■高強度な熱接点固定部を実現　

※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

従来のシリコンデバイス用途のみならず、シリコン系パワーデバイス(IGBT)の熱処理用途や化合物半導体(GaN、SiC)のアニール処理、エピ成長装置としてご検討下さい。

『面状加熱CCヒータ』は、熱源にC／Cコンポジット（炭素－炭素複合材）を
使用した薄型でコンパクトな製品です。

C／Cコンポジットを使用することで、シースヒータを用いた
プレートヒータでは実現が困難な高い温度まで昇温することが可能。

また、ヒータ上部に設置したサセプタ上で加熱するため、均等に
加熱することができ、大気中では400℃以下、真空中や不活性ガス
雰囲気下であれば1200℃以上の昇温を行うことができます。

【特長】
■サセプタによる均熱性
■高温加熱の実現
■C／Cコンポジット素材採用によるメリット

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

急速加熱、高精度温度分布を実現した
ランプアールユニット

【特徴】
○サークル形状の高出力赤外線ランプヒーターを用いて
　基板の上下から加熱することで、急速加熱・高精度温度分布を実現
○チャンバー内面に特殊表面処理の冷却反射プレートを採用
　優れたプロセス再現性と、急速冷却が可能
○処理基板：φ300mm
○最高使用温度：1000±10℃

●その他機能や詳細については、カタログダウンロード下さい。

当社では、150mmまたは200mmのシリコン半導体、125mmまたは
150mmの化合物半導体、および第3世代の半導体への中古製造装置設置、
再生装置販売を行っております。

製造装置には酸化拡散、注入装置、リソグラフィーマシン、エッチング、
洗浄装置、薄膜、CMP、測定などを含んでおります。

ご用命の際は、お気軽にお問い合わせください。

【対象の半導体】
■150mmまたは200mmのシリコン半導体
■125mmまたは150mmの化合物半導体
■第3世代の半導体

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

4～8インチに対応した、シングルチャンバ全自動RTP装置です。搬送方式はオープンカセット・SMIFどちらかの選択で、カセットステーションは2台になります。
ウェハをサセプタに格納してプロセス処理をするため、反り、厚さ、透過率等のウェハの特性に関わらず、抜群のRc・温度均一性を実現します。
熱源はハロゲンランプで、上下両面配列です。
温度測定範囲は20℃～1250℃となります。熱電対とパイロメータがリアルタイムの温度測定をし、その結果をスマートPIDおよびマルチゾーンSCRが制御することで、優れた温度コントロールを可能にします。
真空チャンバ内には酸素濃度モニターを搭載し、酸素フリーな環境維持をサポートします。
Windowsベースのソフトウェアはマルチリンガル対応。グラフィカルなユーザーインターフェースで直観的な操作を可能としています。
累積出荷台数500台以上の実績で得られたプロセスプロファイリングのノウハウと、常時5台用意されたデモ環境で、貴社のプロセス開発における課題解決のお手伝いを致します。

ワトローウルトラミック(R)は、半導体や電気自動車(EV) 等の開発において、好適なパフォーマンスを提供する窒化アルミヒーターです。
高い熱伝導性、急速な温度変化への対応能力、高温時でも安定した電気的特性、そして正確な温度制御が可能な熱電対内蔵構造を持つ当ヒーターは、高度な熱処理ニーズに応えます。

【特長】
○熱伝導性の高い窒化アルミ基板を採用
○急速昇温(最大150℃/sec)・急速降温に対応
○優れた電気的特性
○熱電対(Kタイプ)内蔵構造

詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

当カタログは、大和鉄原工産が取り扱う『半導体製品』の総合カタログです。

配管やタンクなどを安全に加熱できる「産業用/工業用ヒーター」をはじめ、
「シース熱電対」や「シリコンウエハー」などをラインアップ。

当社は、技術革新の速い半導体業界でお客様のニーズに対応し貢献します。

【掲載内容】
■PHILOSOPHY
■BUSINESS CONTENTS
■産業用/工業用ヒーター
■熱電対/測温抵抗体/ウエハーT/C
■シリコンウエハー

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当社では、高耐熱、高純度、パーティクル対策などの要求にこたえる
CVD工程や酸化・拡散工程に不可欠なチューブ、ボート等の
サーマルプロセス用製品を取り扱っております。

大型化要求に対しては、φ1000mmを超えるチューブやフランジ等の
大口径石英ガラス部材を実現。
新鋭の測定技術と実績ある加工技術で高度な要望に対応します。

【製品例】
■チューブ
■フランジ
■大型フランジ（不透明）

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『石英ガラス 高純度アニール炉』は、アニール工程における
石英ガラス製品の表面汚染を大幅に減少させることが可能です。

ステンレス炉体と高純度断熱材を採用し、高いクリーン性能を実現。

処理製品の大口径化、長尺化に対応するべく炉体の大型化を進めており、
お客様のご要望に応じて専用設計いたします。

【特長】
■ステンレス炉体と高純度断熱材を採用し、高いクリーン性能を実現
■熱源はSiCヒーターを採用し温度分布性能の向上を図る
■対象製品の大きさに合わせて専用設計が可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

XYZは新しい形状の半導体熱処理炉用ヒーターです。ウェハの表面温度均一性と昇降温特性に優れています。

【特長】
■制御熱電対
ヒータ側壁挿入方式
(制御用4箇所、過温保護用4箇所、アジャスト機構あり)
■断熱材材質
外周：ファインフレックスペーパー
内周：高純度ファイバーモールド

※総合カタログ進呈。詳しくはお問い合わせいただくかPDFをダウンロードしてご覧ください。