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半導体製造装置・材料

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ウェーハ表面の超平坦化とは?課題と対策・製品を解説

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平坦化におけるウェーハ表面の超平坦化とは?

半導体製造プロセスにおいて、ウェーハ表面の微細な凹凸を極限まで平坦化する技術です。これにより、次世代半導体の微細回路形成における歩留まり向上や性能向上が期待されます。

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半導体製造業界では、製品の品質と歩留まりを向上させるために、製造プロセスの各段階における精密な寸法管理が求められます。特に、ウェーハや基板の加工においては、平行度の精度が製品の性能に大きく影響します。平行度が適切に管理されていない場合、製造プロセスにおける不良品の発生や、製品の性能劣化につながる可能性があります。この動画では、幾何公差の一種である「平行度」の基本を解説し、半導体製造における品質管理に貢献します。

【活用シーン】
・半導体製造における品質管理
・ウェーハや基板の加工プロセス
・平行度に関する基礎知識の習得

【導入の効果】
・平行度の理解を深め、製造プロセスの改善に役立ちます。
・不良品の発生を抑制し、歩留まりを向上させます。
・製品の品質向上に貢献します。

【半導体製造向け】平行度の基本を解説!

半導体業界では、デバイスの高密度化に伴い、基板やウェーハの平坦性が非常に重要になります。平坦性の低い表面は、製造プロセスにおける歩留まりの低下や、デバイスの性能劣化につながる可能性があります。KFDシリーズは、PLC制御による精密な研磨制御により、半導体製造における平坦化工程の課題解決をサポートします。

【活用シーン】
・半導体ウェーハの平坦化
・薄膜の研磨
・CMP後の表面調整

【導入の効果】
・面粗度管理の容易化
・歩留まり向上への貢献
・デバイス性能の安定化

【半導体向け】KFDシリーズ テープ研磨ユニット

当社では『接合前CMP受託加工』を承っております。

接合前CMPの加工実績の一例として、半導体及び化合物半導体で使われる材料
Si、Cu、W、Ta、TaN、SiO2、TEOS、GaAs、SiC、GaN、InP
同種接合及びこれら相互の異種材料接合が可能です。

CMP受託加工でお客様のウェーハを処理する以前に、多数の自社実験から
裏付けされた確かな技術でお客様のニーズにお応え致します。

【加工実績一例】
■単結晶酸化物
・LiNbO3、LiTaO3、Al2O3(サファイア)など
■多結晶材料
・Poly-Si,SiC,Al2O3/YAGなど
■金属
・Au、Pt、Ag、Cu、Ti、TiN、Ni、W、Al、Sn、Pb、Znなど
■セラミクッス
・アルミナ、フェライト、ジルコニア

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

接合前CMP受託加工

EXTERION(TM)シリーズは、優れた発泡コントロール技術から生まれたポリウレタン発泡パッドです。シリコンウェーハや化合物基板などの一次研磨に使用され、高品位な仕上がり面と信頼性の高い研磨性能を得ることができます。また特殊な加工技術により 優れた厚み精度と立ち上げ性能を発揮します

発泡ポリウレタンパッド『EXTERION(TM)』

『LGP-712』はφ8"~φ12"ウェーハに対応し高精度技術の開発を支援する製品です。

2ポリッシングヘッドを備えデバイスの平坦化CMPに対応。

パッドやスラリーのご研究開発用の実験機としても適しております。
当社では、Cu-CMPなどのメタルCMPにも対応しお客様のご要望に
お応えできるように多くのオプションを用意しております。

【特長】
■超精密ポリッシングが可能
■2ポリッシングヘッドを備えデバイスの平坦化CMPに対応
■Cu-CMPなどのメタルCMPにも対応
■ご研究開発用の実験機としても適している

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ラップマスターCMPマシーン『LGP-712』

『HMS-400P』は、薄基板をセラミックや石英などの
支持基板(貼り付け板)にワックス接着させるための貼付装置です。

貼り合わせ時に真空脱泡を行い、貼り合わせ圧力は上蓋部の
空気圧送によるダイヤフラム方式(エアバック)で貼り付け。

冷却は間接水冷却にて昇降温時間のコントロールが可能です。

【仕様】
■対象支持基板:最大外径Φ400mm×20mmt
■貼り付け温度設定範囲:常温~200℃
■貼り付け方法:エアー加圧(ダイヤフラムエアバック方式)
■真空方法:バキュームポンプ(外置き)
■冷却方法:冷却水(間接水冷) など

※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

貼付装置『HMS-400P』

特徴
◆粒子径の均一性(シャープな粒子径分布、真球状の粒子)。
◆高能率(独自な配合、pHが変動しない)。
◆高平坦度(表面品質:Ra<0.2nm、TTV<3μ)。
◆循環使用回数が多い。
◆低温ポリッシュ加工可能(35℃以下)。
◆SICウェハー加工用に特殊配合したスラリーをご提案。
◆窒化アルミニウム加工用に中性・弱酸性のスラリーを対応可能。

CMPスラリー

グローバルネット株式会社では、GNCの加工ファンドリーをはじめ、
GNCパターンウエハサービス等を提供しています。

シリコンウエハ、ガラスなどを主に、お客様のニーズに応じた
加工サービスを提供。

基板の手配、マスク設計からの一貫生産の対応が可能です。

【事業概要】
■GNCの加工ファンドリー
・成膜ファンドリー
・プロセス評価
■GNCパターンウエハサービス
・GNC微細パターンウエハ
・GNC先端CMP評価用パターンウエハ
・GNC MEMS・シリコン特殊加工サービス
■GNC 2.1D/2.5D/3Dソリューション
・バンプウエハ・再配線加工/FOWLPプロセスサービス

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

GNCパターンウエハサービス等受託加工サービスのご紹介

磁気ヘッド、YAG、レーザー等の高精度加工を必要とする超精密研磨に最適です。プレート面の振れや摺動抵抗等の精度を追求することにより、加工対象物に無理な力をかけずに安定した加工レートを得られ、且つ加工中のスクラッチ発生を除去しています。
また、フェーシング機構・循環式水冷機構の採用により、プレートの平坦度を常に管理・維持ができます。
加えて、オシレーション機構・強制ドライブ機構の採用によりさまざまな高精度を要求する分野に対応したラッピング装置です。

精密片面ラッピングポリッシング装置 TR15S

『CMPクロス』は、特殊ポリエステル繊維から成る不織布にポリウレタンを
結合したCMP用クロスです。

加工面の高い平坦性とクロスの高耐久性を実現し、化合物半導体の鏡面加工、
酸化膜の除去等、基板の裏面基準でポリシングを行うことが可能です。

研磨加工における最終工程時やエッジの鏡面仕上げにも適しております。

【特長】
■特殊ポリエステル繊維から成る不織布にポリウレタンを結合
■加工面の高い平坦性とクロスの高耐久性を実現
■研磨加工における最終工程時の使用に好適
■基板の裏面基準でポリシングを行うことが可能
■ポリシングクロスの研磨工程で除去しきれない微細スクラッチを除去

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

CMPクロス

当カタログは、CMP及びウェハ直接接合試作・量産、それに伴う
プロセスの移管を行うD-processの総合カタログです。

CMP受託加工をはじめ、ウエーハ接合受託加工やシード層形成・
めっき受託加工などについて詳しく掲載しております。

【掲載内容(抜粋)】
■CMP受託加工
■ウエーハ接合受託加工
■シード層形成・めっき受託加工
■その他プロセス受託加工
■バックグラインディング(薄片化)・ラッピング/ダイアモンドポリッシング
■エッジ処理・ダイシング

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

接合前CMP受託加工サービス【総合カタログ進呈中】

当社では『TSV CMP受託加工』を承っております。

通常の半導体用Cu CMPに用いられるCu slurryに対して
10倍近くの加工速度を確保しているスラリーを用いたCMPプロセスを
適用しているため短時間に処理を終えることができます。

当社のCMP受託加工では、超高速Cu CMPの確立により
超高精度且つ低価格を実現しております。

【特長】
■加工時間を短縮
■加工精度の向上にも寄与
■超高速Cu CMPプロセス
■ディッシングを極限まで低減
■超高精度且つ低価格を実現

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

TSV CMP受託加工

『Machplaner(TM)シリーズ』は、さまざまな基板に効果的な
万能スラリーです。

当社では、各種難研磨物への高研磨レート等、お客様のニーズを
満たすラインアップを取り揃えています。

ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。

【概要】
■高品質な表面が要求されるガラス・サファイア基板をはじめ
 幅広い種類の基板研磨に対応
■表面粗さ低減と高研磨レートの両立
■希釈可能で循環使用時も高性能かつロングライフを実現

※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

各種基板向け研磨スラリー『Machplaner(TM)シリーズ』

当社のハンドラップ技術により、各種ニーズに応じた好適な石製品の
表面粗さに仕上げます。

精度面の表面粗さについて、通常のラップ面仕上げRa0.8に対し、
平面精度を維持したまま面粗し仕上げRa5.0から鏡面仕上げRa0.4まで
幅広く対応いたします。

【採用事例】
■極粗面仕上 ガラス基盤用吸着テーブル
・表面を粗くしてガラス基盤剥離時の帯電を抑え、ガラスの破損を防止
・平面精度を維持し、面粗し加工
・現地追加工にも対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【採用事例】グラナイトの表面粗さをコントロール

“Trinity-Y” シリーズから6Bサイズのコンパクトで多機能なCMP対応両面ポリッシング装置が誕生しました。 フルステンレス防塵カバーと細部に渡り徹底的に耐腐食性材料を使用し製作しているため、あらゆるスラリーに適合し、難削材の両面同時研磨に最適です。
また他のTrinity-Yと組み合わせることで省スペース化を実現し、無駄のない高機能な加工システムを構築することができます。

両面ポリッシングシステム『EJD-6BY』

白色アルミナ質研削材を原料として当社の高度なる微粉技術により
粉砕整粒した最高級微粉粒子で、安定した粒子形状によりシャープな
粒度分布が可能。

使用例として、精密仕上砥石や、塗料、樹脂、フィラー材、
金属・ガラス・水晶・半導体結晶のラッピングがございます。

【特長】
■削る力はGCには劣るが、傷付けにくく扱いやすい
■薬品、熱に強い
■白色なので混ぜ込んで使える
■硬い素材の為、削る力も高い
■ISO取得もしている国内粉砕なので安心の高品質

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

半導体結晶等のラッピング材料にピッタリな微粒子研磨材(WA)

『LGP-612』は、φ4"~φ8"ウェーハ対応の2ポリッシングヘッドを備えた
高精度技術の開発を支援する製品です。

ポリッシングプレートには超平坦アルミナセラミックスを採用。

ポリッシングヘッドはワンタッチで交換可能な機構となっており、
低摩擦シリンダーを採用したことにより、加圧の追従性を高めました。

【特長】
■偏荷重にも耐えうる剛性を高めた設計のスピンドルにより高精度研磨を実現
■ポリッシングプレートには超平坦アルミナセラミックスを採用
■高精度、高剛性LMガイドを採用し、加工中の不確定要素となる振動の低減を実現
■両軸(ヘッド)に対し「加圧力」「回転数」を単体入力可能
■複雑な研磨レシピに対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ラップマスターCMPマシーン『LGP-612』

あらゆる材料のアプリケーションに対応でき、そのラッピング/ポリッシングプロセスにおいて最高の利便性を発揮いたします。

【特徴】
○1~3台のWorkstation を稼動
○CMPのための耐薬品モデル
○多様なlapping & polishing プレートとクロスを供給
○スラリーの供給が不足すると自動的に運転を止めるInfra-red 機能(オプション)

●詳しくはお問い合せ、またはカタログをダウンロードしてください。

CMP装置 LP50精密ラッピング&ポリッシングマシン

アドバンスマテリアルズテクノロジーでは、
テスト用ウェハの中でも特に、成膜・CMP・洗浄・エッチング・TSVの
研究開発に必要な先端の技術を盛り込んだウェハを供給しています。

画像はCuブランケットウェハの例です。
7KA、15KAで成膜した時のCross SEMのウェハです。

※詳しくはカタログダウンロード、もしくはお問い合わせください。

【CMP用テストウエハ】Ecu ブランケットウェハ

レンタルラボは、新商品の開発、テスト加工、製品評価、従来工法との比較など、必要な時に必要なだけ自由にお使いいただけます。真空中の熱硬化・UV硬化張合せ、曲面張合せ、フィルム成形、粉末成形、インプリント、熱転写、拡散接合、樹脂封止などの実験ができます。ミカドの最新機種が揃っております実験室をぜひご活用ください。詳しくはカタログをダウンロードしてください。

レンタルラボ

アイスモス・テクノロジーはMEMSや高度なエンジニアリング基板を提供するベストインクラスのサプライヤーです。

20年以上の経験をもとに、卓越した製造スキルと最新の技術的な開発で、アイスモスはすべてのお客様がお問合せから製品を受け取るまで優れたサービスをうけることをお約束します。 革新的な製品開発、デザインのご提案、特別なサービスなどエンジニアチームが技術的にサポートいたします。

既存製品がリストにない場合には、お客様とともに独自の特別な製品を開発もいたします。

それが弊社の強みとなるサービスです。

SOI = Silicon on Insulator
SiSi = Silicon Silcon bonded 
DSOI= Double SOI
DSP=Double Sided Polished
CSOI=Cavity SOI
Thin SOI 
TSOI=Trench SOI
TSV=Through-Silicon Vias
ファウンドリーサービス

是非お気軽にお問合せ下さい。
http://jp.icemostech.com/products.html

技術シリコンウエハー基板とファウンドリーサービス

これまでに数多くの採用実績があり、今もなお高いシェアを維持しています。
IC1000(TM)は、特殊な材料・製造・加工技術、そして高いアプリケーション・評価技術をベースにデザインされていますので、最適なパフォーマンスをお届けします。

発泡ポリウレタンパッド『IC1000(TM)』

『LTP-250』は、ワックス貼付時、真空脱泡することが可能な製品です。

ワックス膜厚の均一化や薄膜化が可能。

ワックスに含まれる泡や、反りの有るウェーハの貼付時に混入した空気等を
真空状態で貼付ける事により、脱泡させることが可能となります。

【貼付加工による効果】
■ワークの平行度向上
■研磨面平坦化向上
■ワックス膜厚の均一化
■薄膜化
■膜の歪み改善

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ウェーハワックス貼付装置『LTP-250』

高度な精密加工製品のユニークなサプライアーとして、高い評価を受けています。

ホイール バックグラインディング用ダイヤモンドホイール

半導体CMP工程に使用する『Ceria Slurry』は80~300nmの粒子と超純水
及びケミカルを混合して作った懸濁液です。

研磨対象物の膜質を科学的及び機械的に研磨する役割を果たします。

また研磨時にCeria Slurryと一緒に使用する「Additive」は膜質によって
半導体工程で要求する選択的な研磨を可能にします。

【特長】
■Slurryの低温、高温での安定性が優秀
■粒子の凝視が少ない
■添加剤とMixingすると常用性が優秀になる
■高い研磨率を保有
■優秀なDefect、Scratch、Dishingの制御能力を持っている

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

懸濁液『Ceria Slurry』

研削、研磨、切断、各分野のお客様より高い評価をいただき、
フアイングラインヂング、ラッピング・ポリッシング関連装置、半導体関連、ダイシングマシンと裏面研削機なとをの技術開発を行い、確かな信頼のもとで製品を提供してまいりました。

CMP装置 POLI-400

東邦化研株式会社では、これまで成膜技術で培った真空のノウハウや、薄膜で得た経験を活かし、薄膜の受託加工サービスに加えて、GCIB(ガスクラスターイオンビーム)による『表面改質』の受託加工サービスを始めました。

GCIB(ガスクラスターイオンビーム)による表面改質の受託加工

株式会社三幸精機工業は、マシニングセンタによる高精度加工を強みとし、
半導体・医療装置部品などの精密部品を製作しています。

【対応素材・仕上げ】
・アルミ・無酸素銅・SUS・チタンなど幅広く対応
・平面度5μ以内の仕上げ

【事例概要】
■52S 鏡面部φ300 鏡面加工後精度 12t×φ320 平面度・平行度5μ以下、
 無電解Niメッキ処理からの仕上げ

< ワンストップの高精度加工なら三幸精機工業 >
弊社では、部品調達から仕上げまで一括対応。調達工数削減と安定した品質を実現します。

下記のカタログダウンロードボタンから会社案内もご確認ください。

半導体装置鏡面加工事例|52S材精密仕上げ

弊社の液晶製造装置関連部品は、アリ溝・シール面加工等の真空部品に不可欠な技術を用いて製作しております。
サイズも4m×3m(G10.5)等の大型なアルミ製品を加工しています。

これまで、液晶G4.5~G10.5向けチャンバー内製品、上部・下部電極等の納入実績有り。
アルマイトなど、表面処理まで一括管理いたします。

また、生産管理システムは自社開発品。フレキシブルな生産・納期管理を実現いたします。

【実績】
■液晶G4.5~G10.5向けチャンバー内製品
■上部・下部電極
■大型製品のアルマイト処理対応可!実績も多数有り

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

液晶製造装置部品関連の製作実績

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平坦化におけるウェーハ表面の超平坦化

平坦化におけるウェーハ表面の超平坦化とは?

半導体製造プロセスにおいて、ウェーハ表面の微細な凹凸を極限まで平坦化する技術です。これにより、次世代半導体の微細回路形成における歩留まり向上や性能向上が期待されます。

課題

微細な凹凸の検出限界

ナノメートル以下の微細な凹凸を正確に測定・評価する技術が追いついていない。

加工時の新たな欠陥発生

超平坦化を目指す加工プロセスにおいて、新たな微細な傷や汚染が発生するリスクがある。

均一な平坦化の難しさ

ウェーハ全面で均一な超平坦性を実現することが技術的に困難であり、場所によるばらつきが生じる。

コストと時間の増大

超平坦化を実現するための高度な装置や材料、および追加のプロセス工程により、製造コストと時間が大幅に増加する。

​対策

高精度計測技術の導入

原子レベルの表面状態を検出可能な次世代計測装置を導入し、微細な凹凸を正確に把握する。

クリーン度管理の徹底

超清浄環境下での加工と、高度な洗浄技術を組み合わせ、加工中の異物混入や欠陥発生を抑制する。

最適化された加工条件

材料特性と加工方法を詳細に分析し、ウェーハ全面で均一な超平坦性を実現する最適な加工条件を見出す。

自動化・効率化プロセスの開発

AIを活用したプロセス制御や、自動化された搬送システムを導入し、コストと時間を抑えつつ高品質な平坦化を実現する。

​対策に役立つ製品例

高解像度表面解析装置

原子間力顕微鏡や電子線散乱法などを応用し、ナノメートル以下の表面形状を精密に測定・評価できる。

超微細粒子除去洗浄液

ウェーハ表面に付着したナノレベルの微細な異物を、ウェーハを傷つけることなく効果的に除去する特殊な洗浄剤。

精密研磨用スラリー

均一な研磨レートと低ダメージを実現する、特殊な砥粒と添加剤を配合した研磨液。

インライン欠陥検査システム

製造ライン上でリアルタイムにウェーハ表面の微細な欠陥を検出し、早期のプロセス改善を可能にする。

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