表面下の欠陥を検出とは？課題と対策・製品を解説

ロックイン発熱解析において、ホットスポットを絞るためには周波数を上げることが望ましいですが、一方で感度が悪くなってしまうという問題があります。そこで、高周波数側から低周波数側に測定条件を振っていき、発熱信号が得られ始める周波数を見際めることが重要となります。 本事例では円筒状のパッケージ品において、リーク電流に伴う発熱箇所を非破壊で特定した事例をご紹介します。このように液晶法では難しい立体構造の試料でも発熱箇所の特定を行うことが可能です。

MSTでは電子デバイス内部の構造評価に適した技術を取り揃えており、観察視野や目的に応じた分析手法をご提案します。 本資料では、X線CTとFIB-SEMを用いてデバイスの特異箇所を調査した事例を紹介します。まずX線CTを用いてサンプル全体の内部構造を観察し、特異箇所を探索しました。続いて、ビア上に確認された特異的な構造物について、FIB-SEMを用いて詳細な構造を確認しました。

『TXR-H1R50PS-01』は、マイクロフォーカスX線源と高精細検出器を 用いた微小撮影システムです。 パルスX線を用いて、電子部品の微小欠陥検出に好適。 小型軽量かつ超高精度で、簡単操作にて安全安心にお使いいただけます。 【特長】 ■小型軽量 ■超高精度 ■操作簡単 ■安全安心 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

弊団では、ARXPS(角度分解XPS)による極薄膜の組成分布評価を 承っております。 X線照射によって放出される光電子を取出角ごとに検出し、 それぞれ検出深さの異なるスペクトルを用いて サンプル表面極近傍のデプスプロファイルを評価。 従来のArイオンスパッタを用いた方法と比較すると、 深さ方向分解能が向上し、かつ選択スパッタやミキシングによる 組成変化が無いといったメリットがあり、基板上の極薄膜(数nm程度)の デプスプロファイル評価に有効です。 【測定法・加工法】 ■[XPS]X線光電子分光法 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

『IR-MEMS100』は、ロボットにより自動的に貼り合わせウエハーを 搬送してウエハーの内部状態を特殊赤外線光学系で画像を撮影し、欠陥検出 アルゴリズムを使用して各種欠陥を検出するMEMS全自動欠陥検査装置です。 赤外線顕微鏡にセットした高感度赤外線カメラで画像を撮影し独自の 欠陥検出ソフトウエアにて見えにくい欠陥部を検出します。 【特長】 ■赤外線顕微鏡にセットした高感度赤外線カメラで画像を撮影し独自の 　欠陥検出ソフトウエアにて見えにくい欠陥部を検出する ■コントラストの低い画像を見やすくする処理（エフェクト処理）を 　使用して見つけにくい欠陥部を検出する ■対応ウエハーサイズは4インチ、6インチ、8インチ ■欠陥検出能力は約10μm ■検査時間は30分/ウエハー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

超音波C-SCAN画像診断装置「InsightScan IS-350」は、超音波を使って非破壊で半導体内部を評価する装置です。 高速・高解像度新型スキャンシステムで、最小0.5μm各軸移動量、超高速A/D変換ボードとの組合わせにより微小欠陥検出が可能です。オプションで最高500MHzの高周波対応可能です。 ※詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてご覧ください。

GaN系LEDは照明用途としても広く用いられるようになりました。光の取り出し効率を高めるため、取り出し面に凹凸を設けることがありますが、この凹凸が深さ方向分析における深さ分解能の劣化を招きます。 テクスチャ凹凸面に平坦化加工を施すことにより深さ分解能の劣化を抑えて深さ方向濃度分布を評価した事例と、バックサイド(基板側)から分析を行った事例をご紹介します。

STEM(走査型透過電子顕微鏡 )とEDS(エネルギー分散型Ｘ線分析装置)では細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報（原子番号を反映したコントラスト像）が取得できます。 以下の特長もあります。 ・電子線の入射角度を変えることで、回折コントラストの変化を観察 ・観察対象が結晶質であるかの判断 ・結晶内にある結晶欠陥（転位、双晶等）の情報の獲得 本事例では 「STEMによるAuめっきされたコネクタ端子接点不良解析」 を紹介します。 ぜひPDF資料をご一読ください。 また、弊社では本STEMに加えTEM、SEM各種断面解析を行っております。 お気軽にご相談いただければ幸いです。 セイコーフューチャークリエーション 公式HP https://www.seiko-sfc.co.jp/ ※その他の資料もあります。問い合わせボタンからご用命いただければ送付いたします。

ABF-STEM像（走査透過環状明視野像）により軽元素の原子位置を直接観察することができます。 HAADF-STEM像との同時取得で、より詳細な構造解析が可能となりました。 本事例では、チタン酸ストロンチウムSrTiO3の原子カラムを観察した事例をご紹介します。EDX元素分布分析を組み合わせることで、視覚的に原子の分布を明らかにすることができます。 測定法：TEM・EDX 製品分野：LSI・メモリ 分析目的：形状評価・構造評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。