耐電圧向上とは？課題と対策・製品を解説

当社では、『イギリス・ダイネックス社製パワー半導体の販売』を行っております。

ダイネックス社は、イギリス・リンカーン市に本社をおく、
パワー半導体メーカーです。

チップ製造から組立、検査と全て一貫生産。
バイポーラ製品（ダイオード、FRD、サイリスタ、GTO）をはじめ、IGBTや
パワー半導体スタックを扱っております。

【主な製品】
■IGBTモジュール
■FRDモジュール
■一般整流平型サイリスタ
■GTOサイリスタ（平型）
■シンメトリック バイパス サイリスタ（平型）

サイリスタ、ダイオード、GTOなどのバイポーラ製品では、電流で11,000A、電圧で8,500Vまでのハイパワーをカバーする製品ランナップを揃えています。

IGBT、FRDモジュールは、シリコンウェハからパッケージングまで全て社内一貫生産で、6500Vまでの高耐圧クラスをラインナップしています。


※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

当資料は、超小型衛星用電源制御装置である『T01-PCU』について詳しく
ご紹介しています。

製品の概要や特長をはじめ、代表的なアプリケーションなどを
図や表を用いて全14ページで掲載。

製品の取り扱いにご活用ください。

【掲載内容(抜粋)】
■1.概要
■2.特長
■3.代表的なアプリケーション
■4.コネクタと定格
■5.Block Diagram　など

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

ファラッドは、HF、高周波GaN/LDMOSパワートランジスタを設計製造するISO9000/ISO14000認証メーカーInnogrationTechnologies（中国）社製品の取扱いを開始しました。

日本及び世界の半導体製造装置、工業用マイクロ波アンプ・ジェネレータ、4G/5G通信等の用途に数多く実績があります。

高効率・高出力を目指し2.45GHz帯390W GaN HEMT、5GHz帯100W GaNドーハティモジュール。各種パッケージに対応。

※詳しくはPDF資料をダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

NTDシリコン（中性子照射シリコン）は、面内の抵抗率の均一性に優れ、電力用サイリスタ（シリコン制御整流器）として使用され半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用されております。

現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。
詳しくはお問い合わせください。

『ディスクリート』は、電子部品・電子機器卸事業を行う、共和電子
株式会社の取り扱う半導体製品です。

「TRIAC」をはじめ「サイリスタ」や「高速ダイオード」といった製品を
ラインアップしています。

リード挿入型では7パッケージ、表面実装型では3パッケージ、
タブ端子タイプでは1パッケージの商品のご用意がございます。

【特長】
■豊富なパッケージラインアップ
■RoHS対応
■低損失　Vr＝1.4V
■トライアック 800Vまでラインナップ
■Tj=150℃保証（トライアックQシリーズ）

※詳しくはカタログをご覧下さい。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

『ダーリントントランジスタ』は、低ベース電流から高いコレクタ電流を
得るために使用されるディスクリート半導体です。

複数のトランジスタを直結したダーリントン接続により、電流増幅率を
非常に大きくできる製品。一般的なトランジスタの電流増幅率(hFE)は
100程度ですが、ダーリントントランジスタは 2000以上が可能です。

これにより、僅かなベース電流で大きなコレクタ電流を流すことができます。

【ラインアップ(抜粋)】
■STMicroelectronics NPN ダーリントンペア ULN2803A
■Texas Instruments NPN ダーリントントランジスタ ULN2803ADW
■Toshiba NPN ダーリントントランジスタ 2SD1223(TE16L1,NQ)
■Allegro Microsystems NPN+PNPダーリントントランジスタ A2982SLWTR-T
■onsemi NPN ダーリントントランジスタ MJH11022G

※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

半導体素子　絶縁・放熱キャップは放熱の必要な半導体素子に被せるだけで簡単に絶縁することが可能です。材質はUL防火クラス認証品と同等です。
優れた機械的耐久性、耐摩擦性、耐圧力性があります。
多彩なアプリケーションに対応できる５種類のサイズがあります。
詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。

ウルトラジャンクションシリーズや高電圧シリーズなどといった
Littelfuse (リテルヒューズ)の『ディスクリートMOSFET』を取り扱っております。

リテルヒューズの製品は、家電から自動車および産業施設に至るまで、
電気エネルギーを使用するアプリケーションにおける重要な
コンポーネントとなっています。

ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。

【ラインアップ】
■ウルトラジャンクションシリーズMOSFET
■PolarシリーズMOSFET
■トレンチシリーズMOSFET
■高電圧シリーズMOSFET
■PolarQ3シリーズMOSFET　など

※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

株式会社新陽の主要製品である『GaN(窒化ガリウム,ガリウムナイトライド)』
のご紹介です。

シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍（3.42eV）広く、絶縁破壊電圧も
約10倍（3.0MV/cm）という特性を持っております。

Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1600Vに達します。
また、青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生でき、各種光デバイスにも
使用され、SiCと共に次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。

【特長】
■シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍広い
■絶縁破壊電圧も約10倍
■耐圧1600V
■青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生
■各種光デバイスにも使用される

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『バイポーラトランジスタ』は、半導体をNPN、または PNPと交互に
接合した素子です。

エミッタ、ベース、コレクタと呼ばれる3つの端子で構成され、
ベース-エミッタ間に微弱な電流を流すとコレクタ-エミッタ間に
数十倍から数百倍の電流が流れます。

主に電圧・信号増幅やスイッチング制御などに用いられる製品です。

【ラインアップ(抜粋)】
■onsemi トランジスタ KSC1815YTA
■Toshiba トランジスタ 2SC2712-Y(F)
■STMicroelectronics トランジスタ TIP31C
■ローム 抵抗内蔵トランジスタ DTC114EKAT146
■Toshiba 抵抗内蔵トランジスタ RN1102(TE85L,F)

※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

同社は中国江蘇省に1969年に設立されたダイオードメーカーで、
主力製品は高圧ダイオードで日系メーカーへの実績が多数ございます。

当カタログでは会社紹介、応用領域、高圧ダイオードの生産の流れなども
合わせて掲載しています。

【取り扱い高圧ダイオード】
●3kV品：2CL703　●4kV品：2CL704　●6kV品：2CL70A
●8kV品：2CL71A　●10kV品：2CL72A　●12kV品：2CL73A
●14kV品：2Cl74A

【掲載内容（一部）】
■会社概要
■製品紹介
■応用領域
■高圧ダイオード生産流れ
■生産ライン
※DHM3 シリーズの相当品の取り扱いもざいます。
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

セントラセミコンダクタ―社の下記4製品は自動運転システムの「LiDAR」に最適なデバイスとなっており、海外LiDARメーカーに採用されている製品となります。

当社が取り扱う『SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)』をご紹介します。

当製品の特長である高速逆回復時間(trr)だけでなく、JBS(ジャンクション
バリア ショットキー)構造を採用。

スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を実現した
650Vの製品を提供しています。

【特長】
■高い逆電圧
■JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用
■スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を
　実現した650Vの製品を提供

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『IPM IM818-LCC』は、高性能CIPOS Maxiのトランスファーモールドです。

6個のTRENCHSTOP IGBT4を、最適化された1200V 6チャネル
SOIゲートドライバと共に集積化することで信頼性の向上、
優れた保護、最適化されたPCBサイズとシステムコストを実現。

全チャネルの低電圧ロックアウト、保護時の全スイッチオフ、
上下短絡防止、過電流保護、温度モニターなどの優れた保護機能を
提供します。

【特長】
■優れた保護のために堅牢性を強化したゲートドライバ技術
■高い効率
■最大80kHzの速いスイッチング速度
■低電力損失で高速スイッチングアプリケーションに適合
■設計および製造の簡素化

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

通常の小型精密部品以外にも、フープ材への連続絶縁電着塗装が可能です。
ワークの表面への絶縁皮膜の電着塗装と焼付を連続的に行う設備を開発し特許を取得しました。
写真上から銅素材、錫めっき品、絶縁電着塗装品です。
インライン上にレーザー照射により塗膜を一部分剥離することでマスキングの手間も抑えることができます。
素材：銅素材に錫めっき品　膜厚：20～30μm

【フープ塗装とは】
線状又は帯状のワークの表面に均一な絶縁塗装皮膜を連続的に形成することができる電着塗装方法。リールtoリールとも呼ばれます。

【絶縁電着塗装の特徴】
■エッジカバー性‥塗膜が薄くなりがちな鋭角部分にも確実なエッジカバー
■薄膜での耐電圧性能‥35μm以上の塗膜をつければ安定的な性能をもたらすことができ、耐電圧性能に優れている
■つきまわり性‥つきまわり性が高いため、せまい隙間やパイプ内面にも絶縁被膜を形成

【絶縁電着塗装 性能（抜粋）】
■メイン樹脂：特殊変性ノボラックエポキシ樹脂
■推奨膜厚：35～50μm
■推奨焼付温度：90～230℃×20～60min以上（被塗物温度）
■耐熱性：270℃

当資料は、様々な半導体デバイス、光絶縁体デバイスなどの
集積回路を掲載しております。

ソリッドステートリレーの特長、利点、用途などをご紹介。

多種多様な製品のほか、画像や図解も掲載しています。
是非、ご一読ください。

【掲載内容(一部)】
■本ガイドについて
■製品
■ソリッドステートリレー
■IGBT＆MOSFETゲートドライバー
■SiC MOSFET＆IGBTゲートドライバー

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

岡部マイカ工業所は、電気絶縁体の製造メーカーとして長年の実績を
持っていますが、発電機メーカーのお客様の製品特性の向上のために新たな分野への挑戦を行いました。

発電機は内部の電位差が大きく、何らかの欠陥(空隙)があると、種々の
放電が発生し絶縁劣化の原因となってしまいます。

これを解決するために「半導電」性を持つシートを開発。
このシートは発電機コイルの複雑な形状の隙間にも充填し易くするため、
接着剤を半硬化状とし流動性を良くしました。

この半導電性シートは、複雑な形状においても形状を変化・硬化させる事ができる導電性材料のため、発電機のみならず、様々な用途にお使い頂けます。

【事例】
■背景
・お客様の製品特性の向上のために新たな分野への挑戦
■課題
・発電機は内部の電位差が大きく、何らかの欠陥(空隙)があると
　種々の放電が発生し絶縁劣化の原因となってしまう

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では独自の工法により、賦形が難しい絶縁紙や耐熱フィルムに
賦形することができます。

立体トリミングすることで高い設計自由度を保持。
射出成形品では実現できない厚みで絶縁成形部品を生み出します。

【特長】
■モータなどで多くの使用実績がある絶縁紙や、耐熱温度が高いPENフィルム
　など従来成形が困難であった機能性材料を立体形状に賦形
■ハイブリッド自動車のPCU内絶縁やPHEV車の充電器などに採用

※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

当社では、International Rectifier HiRel Products社製の
航空・防衛・宇宙分野向けのパワー半導体や電子部品を取り扱っております。

ハイブリッドDC-DCコンバータやEMIフィルタ、MOSFETなど、
高信頼性と耐環境性能に優れ、国内外の様々なプロジェクトで
採用実績がある製品のご提供が可能です。

【International Rectifier HiRel Products社製品の実績】
■JAXA関連プロジェクトに多数採用
■宇宙関連プロジェクトにパワー半導体を3万個以上納品
■宇宙関連プロジェクトにDC-DCコンバータを500個以上納品

※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

【次世代パワー半導体】
SiCウエハは従来のSiウエハより電力損失や熱の発生が少ない為、近年ではパワー半導体としての需要がますます高まっています。
大きな電圧、電流にも耐えられるため、EV自動車への搭載
や鉄道車両、冷蔵庫やLED電球等の身近なところにも活用されています。

【トリニティーでは】
トリニティーではSiCウエハを扱っております。複数メーカーから調達が可能でございます。また仕様用途に合わせて、ウエハをご提案させていただきますので、どうぞお気軽にご相談ください。

『BMS(バッテリー・マネジメント・システム)』は、電池ひとつひとつを
正確に監視し、アクティブバランスにより、充電時、放電時に関わりなく
常に各セルのバランスを整える特許技術です。

バッテリーモジュールのセル電圧、電流、温度を測定して、規定の範囲を
超えた場合、出力端子を切り離し、過充電、過放電から保護します。

お客様のご要望に応じた仕様でカスタマイズしたBMSをご用意いたします。

【特長】
■各セルをひとつひとつ正確に管理
■BMS停止時、消費電流はゼロ
■セルのアンバランスを防ぐ
■4セル、8セル、16セル対応
■各種電池パックに応用可能(EVバス、EV車等)

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、超小型から中型の人工衛星向け『太陽電池パネル』の
カスタマイズ製作を承っております。

例えば「超小型衛星、CubeSat」ならPCBボードと組み合わせたり、
「小型～中型衛星」であればアルミ合金やCFRP表皮のアルミハニカムパネルと
組み合わせるといった、形状・サイズごとに最適な設計・製造が可能です。

【その他の特長】
■3U CubeSat用太陽電池パネルは展開型でのご提供も可能
■中型～大型衛星向けのパネルもご用意可能
　（展開機構を備えたものもご提供できます）
★平均変換効率29.3％の「宇宙用3接合太陽電池」もご用意しております。

※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

『MCP1501』は、20mAの電流をシンク/ソースできるバッファ付き
参照電圧生成器です。

参照電圧は、低ドリフトのバンドギャップ回路により生成され、
チョッパー型増幅器はドリフトを低減し、性能を低下させずに
大電流を出力します。

パッケージは、6ピンSOT-23/8ピンSOIC/8ピン2mmx2mm WDFN
パッケージで提供。

下記関連動画は、BMS(バッテリーマネジメントシステム)に関する、
Microchip社のソリューションの紹介動画です。
その中の1つとして"MCP1501"の紹介がされております。是非、ご覧ください。

【特長】
■温度誤差：50 ppm/ ℃以下(-40 ～ +125℃)
■低消費電流：140 μA(typ.)
■AEC-Q100 Grade1認定
■8種類の電圧に対応する製品を提供
　・1,024V・1.250V・1.800V・2.048V・2.500V・3.000V・3.300V・4.096V

※英語版カタログをダウンロードいただけます。
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

VRRM: 12KV
IF(AV): 30mA
IFSM: 3.0A
Trr: 80nS

当社では、ES碍子シリーズをはじめ、EM碍子シリーズ、小型碍子など
各種エポキシ樹脂碍子をご用意。
豊富なネジサイズから用途にあわせてお選びいただけます。

【材質】
○真鍮
○鉄

詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

3PEAK 社は2012年に設立され、2020年9月21日に上場しました。 現在、上海張江、上海曹家井、上海臨港、北京、蘇州、成都、天津、西安、杭州に9つの研究開発センターと、深セン、青島、武漢、厦門に事務所があり、研究開発を進めています。
シグナルチェーンアナログチップ、パワーマネージメントアナログチップ、デジタル・アナログ混在アナログフロントエンドなどの高性能、高品質、高信頼性のIC製品を開発しています。
応用分野は、情報通信、産業制御、監視・セキュリティ、医療・健康、計測器、新エネルギー、自動車など多岐にわたります。

高性能アナログチップと組み込みプロセッサの開発に注力する半導体企業、3PEAK（証券コード：688536）はこのほど、中国で初めて選択型ウェイクアップフレームをサポートする車載用CANトランシーバー、TPT1145xQシリーズを発表しました。

TPT1145xQシリーズは、ISO 11898-2:2016規格に準拠しています。製品のIEC 61000-4-2接触放電ESD能力は10kVに達し、国際的なリーディングレベルを表しています。

当社で行っている「カスタム(特注)二次電池の開発サービス」について
ご紹介いたします。

安全設計を大前提に、パック形状や寸法などお客様アプリケーションに
好適なバッテリーをご提案。

主に国産セルや台湾セルを選定しておりますが、 希望により、
他アジア系セルの検討も可能です。

【ポイント】
■品質、サイズ、コストにおいてジャストフィットなバッテリーをご提供
■医療クラスIII対応パックの製作が可能
■国内でも数少ないパック技術
■一部、標準開発仕様パックの取り扱いがある

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

VRRM: 10KV
IF(AV): 30mA
IFSM: 3.0A
Trr: 80nS

当社では「GaN基盤」の製造販売を行っております。

GaN(窒化ガリウム)という半導体を使用した基盤。青色発光ダイオードの
材料として世に広まりましたが、絶縁破壊電解強度や熱伝導率の高さが
注目され、近年では先進パワー半導体の材料として応用されています。

ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。

【基本仕様(一部)】
■直径：Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6"
■GaN膜厚：3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、6μm、～100μm特別指定可能
■結晶方位：C-axis(0001)
■導電タイプ：Un Dope、N-type、P-type
■XRD：(002)≦300arsec、(102)≦400arsec

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

湖南三安半導体有限責任公司（Hunan Sanan Semiconductor Co.,Ltd.）は
中国 湖南省　長沙市に本社を置く、SiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパワー半導体製造会社です。
LEDチップの開発・製造において世界シェアトップ企業である三安光電(Sanan Optoelectronics）グループに属し、通信・車載・産業向けのパワー半導体、中でもSiC(シリコンカーバイド)に力を入れております。

●スプレーして焼付けるだけで耐薬品性、耐熱性、絶縁性、耐食性に優れたポリイミド樹脂の皮膜を簡単につくれます。
●金属、ガラス、セラミックス、耐熱プラスチックにコーティング可能です。
●連続使用可能温度　４００℃

※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。