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成膜プロセスの低ダメージ化とは?課題と対策・製品を解説

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ウェーハプロセスにおける成膜プロセスの低ダメージ化とは?
パワーデバイスやパワーモジュール製造におけるウェーハプロセスでは、半導体層や絶縁層などを形成するために様々な成膜プロセスが用いられます。これらの成膜プロセスにおいて、ウェーハ表面や既存の微細構造にダメージを与えずに高品質な膜を形成することが、デバイス性能の向上や歩留まり改善に不可欠です。低ダメージ化とは、この成膜プロセスにおける物理的・化学 的なダメージを最小限に抑える技術や手法全般を指します。
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NEP(CAS:2687-91-4)
パワーデバイス向け薄膜材料(ターゲット・蒸着材)
修理-1
超小型有機材料用蒸発源『ESC-100』
紫外面光源『UV-SHiPLA CSシリーズ』※応用事例集付き
『UV-SHiPLA CSシリーズ』は、水銀ランプを用いた既存UV応用製品を、
水銀フリーの環境対応型に改良できる水銀フリー紫外線光源です。
従来技術では実現できない薄型軽量・大面積照射などの新規製品開発向けに
好適です。
当社では、各波長域で高出力品の特注に対応いたします。
また、小型・計量で形状カスタマイズ可能なVUV光源である
「水銀フリー真空紫外面光源」もラインアップしております。
【特長】
■発光面サイズ・形状 カスタマイズ可能
■応用機器に合わせたモジュール化ができる
■既存製品を水銀フリー化
■新規・独自製品のキーデバイスに役立つ
■被照射対象に好適設計
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
減圧・常圧プロセス用高効率気化器 VU-450 series
軽接触式気化器 VU-900 series
真空加圧注液含浸装置
減圧・常圧プロセス用高効率気化器 VU-430A series
熱源 「加熱用ハロゲンランプ」
オプション説明一覧 (PICS3D)
半導体製造用高温ヒータ、静電チャックおよび耐熱衝撃セラミックス
パイロリティックボロンナイトライド(PBN)やタンタルカーバイドは高い耐熱性や耐腐食性を有し、
急速昇降温・超高温を容易に実現できるセラミックスです。
PBNは色々な形状に蒸着製造または加工が可能。
超高温ヒータや高温静電チャック、グラファイト保護コーティングもございます。
PBN機能部品は有機ELの製造プロセス、半導体単結晶成長プロセス、
その他の高温 真空プロセスなどの改善に貢献します。
【特長】
■12インチウェハ(300mmウェハ)にも対応
■超高真空・高温(1700℃※)条件で使用できる
■高温下でも高い電気絶縁性を維持できる
■靭性があるため割れにくい
■化学的に安定
※詳しくはPDFをダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせください。
Epistar社製LEDチップ
当社では、世界最大クラスのLEDチップメーカーEpistar社製の
『LEDチップ』を取り扱っております。
植物育成用をターゲットとした660nm、730nmの波長帯、
ハイパワー赤外チップとして850nm、940nmの波長帯など、
青色LEDの短波から、1000nmを超える赤外まで、幅広くラインアップ。
LEDベアチップから評価をご希望されるお客様はEpistar製品を
ぜひ一度 ご検討ください。
【主要ラインラップ(Epi Wafer/Bare Chip)】
■AlInGaP(四元素)LED
■InGaN LED
■AlGaAs High Power LED
■その他:UV関連、VCSEL、化合物太陽電池、Mini/Micro LED など
※詳しくは、お問い合わせください。










