長寿命化とは？課題と対策・製品を解説

宇宙用途では、過酷な環境下での電子部品の安定動作が求められます。特に、温度変化や放射線、真空といった環境要因に耐えうるコンデンサの選定が重要です。高誘電率単板コンデンサは、これらの要求に応えるべく開発されました。少量試験を繰り返し、最適な配合を見つけ出すことで、宇宙環境下での信頼性を高めます。

【活用シーン】
・人工衛星
・宇宙探査機
・ロケット

【導入の効果】
・過酷な環境下での安定動作
・長期的な信頼性の確保
・設計の自由度向上

安全上重要な電池管理用電流センサ、モータ制御・故障検出用電流センサ。
電動化車両に対応するバッテリー管理用の電流センサ、熱暴走検出用バッテリーセーフティセンサ。

当社は、-55℃という非常に低い温度環境下での動作を保証するメモリ
として、64KビットFeRAM​ 「MB85RS64TU」を開発し、量産品を
提供しています。
本製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジの動作電圧範囲をもち、
競合メモリよりも低温動作が可能な不揮発性メモリです。
-55℃の低温でも10兆回のデータ書換え回数を保証しており、
特に極寒地域での天然ガスやオイルの発掘に使われるフィールド装置
などの産業機械向けとして最適です。

■主な仕様
　・製品名： MB85RS64TU
　・容量（メモリ構成）： 64Kビット（8K x 8ビット）
　・インタフェース： SPI（シリアル・ペリフェラル・インタフェース）
　・動作周波数： 最大 10MHz
　・動作電源電圧： 1.8V～3.6V
　・動作温度範囲： -55℃～+85℃
　・書込み/読出し保証回数： 10兆回
　・パッケージ： 8ピンSOP、8ピンSON

■用途例
本FeRAM​は低温環境下だけではなく、一般的な計測機器、流量計、
ロボットなどの産業分野にも利用できます。

フェローテックが取り扱う、ペルチェ素子「サーモモジュール」の総合カタログです。
材料から組立てまでの一貫生産を行うと同時に、厳しい品質管理と競争力のある
価格設定により、常にお客様にご満足頂ける製品を販売しております。

◆掲載内容◆
　　〜用途に応じた様々な製品をご紹介〜

　　　・ミニチュア サーモモジュール
　　　・マイクロ　サーモモジュール
　　　・AuSn　サーモモジュール
　　　・シングルステージ　サーモモジュール
　　　・サーマルサイクル　サーモモジュール
　　　・センター・ホール　サーモモジュール
　　　・マルチ・ホール　サーモモジュール　　ほか

◆カタログご希望の方は資料請求よりお問合わせ下さい◆
　
　〜ダウンロードからラインナップがご覧いただけます～

昨今、半導体は様々な電子機器に使用されており、生活に欠かせないものとなっています。
そこで、半導体について『どんな種類があるの？』『それぞれどんな特長があるの？』『それぞれの素子の違いは？』といった今更聞けないような初歩的な疑問について、この一冊がお答えします！

6つの半導体素子、「ダイオード」「サイリスタ」「トライアック」「トランジスタ」「MOSFET」「IGBT」についてそれぞれの特徴や仕組みを横断的にご紹介させて頂きます。

【掲載内容】
■半導体素子の種類
■ダイオード
■サイリスタ
■トライアック
■トランジスタ
■MOSFET
■IGBT
■ジェルシステム製品の応用例

温度パワーセンサー常温用温度パワーセンサー2Amp.シリーズは、温度固定型バイメタルサーモスタットです。主力製品の温度パワーセンサー（TPS）はバイメタルサーモスタットでありながら上位機種である電子サーモスタットの代わりができる高性能コントロール型サーモスタットです。コントローラー用（制御用）とプロテクター用（過熱防止用）になります。詳しくはカタログをダウンロードしてください。

GSI社のバーストSRAMは、高速かつ低消費電力・低発熱です。ＦＴ/PLモードピンの制御により、パイプライン/フロースルー出力の選択が可能です。

『QLF133x/QLD133x シリーズ』は、量子ドット技術をベースとした
GaAs上1300nm半導体レーザです。

150-200℃の超高温下でも動作可能で、プラント、地下資源探査等の
特殊用途にも対応可能。また、量子ドットレーザは高温度での安定した特性、
反射戻り光耐性に優れ、Siフォトニクス用光源として最適です。

データ通信用として既にお客様に360万台の出荷実績があります。

【特長】
■量子ドット
■FP/DFBレーザ
■波長1240-1310nm
■高温動作可能（100-200 ℃以上）
■優れた温度安定性
■優れた反射戻り光耐性

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
※こちらのPDF資料は英語版です。

長年培ってきたセラミックス粒子のハンドリング技術を駆使して、セラミックス成分のみで構成する蛍光体プレートを開発しました。
耐熱、耐光性に優れるだけでなく、高性能でデリケートな蛍光体も応用しやすいことから、高い演色性と効率の両立を実現します。
また印刷技術を活用しているため、様々な大きさ、形状に対応できます。

1872年設立の米国メーカーで、グローバルネットワーク、
世界統一品質基準でワールドワイドに幅広い採用実績がございます。
日本では神奈川（平塚）にLaboも備え、試作条件出しから
量産開始後のアフターサービス迄対応しており、
お客様ご自身で様々な施設装置の活用も可能です。

『パワーエレクトロニクス』は、パワーサイクルテスト性の大幅な改善に
向けた「Argomax」を用いた焼結プロセス・ソリューションです。

シンター接合剤と焼結プロセスの適用により、当製品における設計の
可能性を飛躍的に伸ばす事が可能です。

フィルムタイプの製品を用いて、チップ、クリップに対しシンター接合剤の
転写ができます。

【特長】
■独自のナノ技術の応用により、低加圧での焼結が可能
■フラットディスペンス工法でパッケージと冷却器の接合を可能にする
■フィルムタイプの製品を用いウェハーレベルでシンター接合剤の転写が可能
■プリフォームタイプの製品では、接合厚をカスタマイズする事ができる
■銅無垢の基材への焼結が可能

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

湖南三安半導体有限責任公司（Hunan Sanan Semiconductor Co.,Ltd.）は
中国 湖南省　長沙市に本社を置く、SiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパワー半導体製造会社です。
LEDチップの開発・製造において世界シェアトップ企業である三安光電(Sanan Optoelectronics）グループに属し、通信・車載・産業向けのパワー半導体、中でもSiC(シリコンカーバイド)に力を入れております。

リチウムイオン電池負極材料としても注目されるSiOパウダー

D50=１µｍ～数ミリのGranuleまで、要求スペックによりカスタマイズ。

塊状品（Lump）も承ります。

VRRM: 10KV
IF(AV): 30mA
IFSM: 3.0A
Trr: 80nS

GSI社のラド・ハード SRAMは、最先端のFPGA、ADC、DACを活用した高度なシステムの重要な要素として期待されています。 初期リリース品より、航空宇宙および防衛顧客の厳しい要件を満たすために、クラス-Qおよびクラス-Vレベルの認定を受けています。
既存のラド・ハード メモリソリューションの代替を待望されている衛星および防衛関連のお客様に是非ご検討いただきたい製品です。GSI社のラド・ハードSRAMは、実績のある技術と耐放射線性を備えたアーキテクチャを活用した、40nmテクノロジーノードにおける効率的で高性能な最先端メモリです。

半導体製造装置の延命化のため、他社では不可能な周辺機器の修理を致します。コスト低減はもとより省エネルギー化などの改造も行い、環境問題にも取り組んでいます。
詳しくはお問い合わせ、またはカタログをご覧ください。

地上とは異なる過酷な環境下で、安定した動作が求められる宇宙開発。放射線耐性は、宇宙開発で必須な要素のひとつです。そんな放射線耐性に優れたメモリやA/Dコンバータ等、幅広いラインナップを展開する「RAD-PAK」について、世界的メーカーのDDC/PDC社の専門家に詳しくお話を伺いました。

※記事の詳細内容は、関連リンクより閲覧いただけます。
　詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

VRRM: 12KV
IF(AV): 30mA
IFSM: 3.0A
Trr: 80nS

『光デバイス用サーミスタチップ』は、Au電極を採用し
独自のセンサ技術を駆使することで、高精度・高感度・長期信頼性を実現。

光通信機器（光トランシーバー、レーザーダイオード）や
各種表面温度検知などの用途にお使いいただけます。

【主な仕様】
■チップサイズ
□0.40mm・t＝0.25mm、
□0.34mm・t=0.25mm(開発中)
□0.23mm・t=0.20mm(開発中)
□0.46mm・t=0.20mm(開発中)
□0.48mm・t=0.30mm(開発中)

■特性
詳細は資料ご参照ください。

■使用温度範囲：－40～＋150℃

両面電極(光用チップサーミスタ)、片面電極(FTシリーズ)ラインナップにございます。
※片面電極(FTシリーズ)は下記URLにてご参照ください。
https://www.ipros.jp/product/detail/2000387942?hub=149+1283113

-各種アプリケーションの耐熱用途に適応します。
For Any High Temp Operating Devices.
高Tg、Low Out Gas、耐リフロー、耐環境性
Uniq Characters:High Tg,Low absorption, Low Outgas, 耐リフロー
ニチモリHPへの直接お問い合わせ先　
If u need contact directry Pls copy and paste to your google: https://www.daizo.co.jp/nichimoly/contact_form.html

当社が取り扱う『SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)』をご紹介します。

当製品の特長である高速逆回復時間(trr)だけでなく、JBS(ジャンクション
バリア ショットキー)構造を採用。

スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を実現した
650Vの製品を提供しています。

【特長】
■高い逆電圧
■JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用
■スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を
　実現した650Vの製品を提供

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

適したはんだ材料が無いと言うことで今まで除外されていた高融点はんだの鉛フリー化がいよいよ本格的になってきました。
と同時に次世代パワー半導体の能力を最大限に活かすことができる接合材料が求められています。
アルファArgomax シンターペーストは、その難しい両方の要求を解決できる接合材料です。
その他にも熱伝導度の高いエポキシペーストの開発に力を入れております。

ダイアタッチの信頼性と費用効果の高い大量生産（HVM）の向上に対する需要はかつてないほど高まっています。
環境に優しいArgomaxテクノロジーにより、高度に設計された粒子をベースにした低圧焼結ダイアタッチメントを作成することができます。
Argomaxは、非常に高い熱伝導率と電気伝導率の銀結合を作成し、高い信頼性と柔軟な結合線を備えています。

Tjmax 200℃以上のSiC/GaNパワーモジュール/デバイスの製造を可能とし、
チップ接合の信頼性向上とトータルコストダウンに役立ちます。
高信頼性接合の鉛フリー化にも対応できます。

用途に合わせてペースト、フィルム、プリフォーム各種を取り揃えております。

ゼクノ・ダイオードは、逆流防止機能だけではなく、電源の２次側整流に使用できる、従来にない画期的な省エネ化制御ICです。

ウルトラジャンクションシリーズや高電圧シリーズなどといった
Littelfuse (リテルヒューズ)の『ディスクリートMOSFET』を取り扱っております。

リテルヒューズの製品は、家電から自動車および産業施設に至るまで、
電気エネルギーを使用するアプリケーションにおける重要な
コンポーネントとなっています。

ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。

【ラインアップ】
■ウルトラジャンクションシリーズMOSFET
■PolarシリーズMOSFET
■トレンチシリーズMOSFET
■高電圧シリーズMOSFET
■PolarQ3シリーズMOSFET　など

※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

ＪＭＴ株式会社では、
様々な部材の加工経験を活用し、
リチウムイオン電池等各種蓄電池に関係した製品開発に携わる
研究・開発部門様の省力化・効率化が図れるようバックアップ致します。

正極・負極へのコーティング処理、
セパレータ(ＰＰ・アラミドペーパー)の抜き加工、
タブ端子の切断・電極への溶着、
アルミラミネートフィルムの断裁・シール加工など
といった加工内容の一例をご紹介致します。
詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。

当資料は、超小型衛星用電源制御装置である『T01-PCU』について詳しく
ご紹介しています。

製品の概要や特長をはじめ、代表的なアプリケーションなどを
図や表を用いて全14ページで掲載。

製品の取り扱いにご活用ください。

【掲載内容(抜粋)】
■1.概要
■2.特長
■3.代表的なアプリケーション
■4.コネクタと定格
■5.Block Diagram　など

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。

パワー半導体やパワーモジュールなど、電源ON/OFFを繰り返すと、部品・モジュールの自己発熱と冷却の繰り返しにより接合材料の膨張差から歪が発生し接合信頼性の劣化を招きます。自己発熱と冷却の繰り返しサイクルにより発熱動作を考慮したパワーサイクル試験を受託します。

■パワー半導体・パワーモジュールの採用が進んでいる部品・ユニット・装置
・電気自動車（EV）、ハイブリッド車（HEV）のトラクションインバーター
・車載充電器、DC-DCコンバーター
・モーター制御、ロボット、工作機械、エレベーター
・産業用インバーターや無停電電源装置（UPS）
・太陽光発電システムや風力発電システム

当社では、ES碍子シリーズをはじめ、EM碍子シリーズ、小型碍子など
各種エポキシ樹脂碍子をご用意。
豊富なネジサイズから用途にあわせてお選びいただけます。

【材質】
○真鍮
○鉄

詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

同社は中国江蘇省に1969年に設立されたダイオードメーカーで、
主力製品は高圧ダイオードで日系メーカーへの実績が多数ございます。

当カタログでは会社紹介、応用領域、高圧ダイオードの生産の流れなども
合わせて掲載しています。

【取り扱い高圧ダイオード】
●3kV品：2CL703　●4kV品：2CL704　●6kV品：2CL70A
●8kV品：2CL71A　●10kV品：2CL72A　●12kV品：2CL73A
●14kV品：2Cl74A

【掲載内容（一部）】
■会社概要
■製品紹介
■応用領域
■高圧ダイオード生産流れ
■生産ライン
※DHM3 シリーズの相当品の取り扱いもざいます。
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

御国色素では、日本基幹産業の"最後の砦"と期待されるリチウムイオン
電池部材の研究開発を行っています。

カーボンブラック、カーボンナノチューブ（CNT）の分散性を向上した
分散液を開発しており、この分散液を用いると、電池の品質のばらつきを
おさえ、歩留まり良好、高放電容量で、しかもサイクル劣化が小さい
リチウムイオン電池を製造することができます。

当社は、独自の微粒子化・分散安定化技術を用いた機能性顔料分散液で
お客様のニーズにお応えいたしますので、お気軽にお問い合わせください。

【特長】
■電池の品質ばらつきが小さく、歩留まりが良好で高放電容量かつ
　サイクル劣化が小さい二次電池正極用分散液を提供

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ASU/PM-Lifetimeは、パワーモジュール実装信頼性評価を効率的に行うためのシステムであり、材料開発やモジュール設計を強力に支援します。
本システムでは、温度サイクル/パワーサイクル試験時の接合材やワイヤボンディングの寿命評価や、実装信頼性に対するモジュール寸法や材料物性などの因子の影響度を評価することができます。パワーモジュール評価専用にユーザーインターフェースが整えられているため扱いやすく、シミュレーションに関する専門知識が無くてもパワーモジュールの評価が可能となります。

【特徴】
■パワーモジュールの寿命評価
　実装材料の単体特性を入力すると、パワーモジュールへの実装状態での寿命が予測できます
■実装材料設計における目標設定
　多数の材料パラメータ因子を統計的に評価し、材料設計の目標設定を支援します
■産学連携プロジェクトで活用
　産学連携の実装材料開発プロジェクト（KAMOME A-PJ）の成果をソフトウェアにノウハウとして組込んでいます

株式会社新陽の主要製品である『GaN(窒化ガリウム,ガリウムナイトライド)』
のご紹介です。

シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍（3.42eV）広く、絶縁破壊電圧も
約10倍（3.0MV/cm）という特性を持っております。

Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1600Vに達します。
また、青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生でき、各種光デバイスにも
使用され、SiCと共に次世代パワー半導体デバイスとしても期待されています。

【特長】
■シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍広い
■絶縁破壊電圧も約10倍
■耐圧1600V
■青色や緑色といった比較的短い波長の光を発生
■各種光デバイスにも使用される

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、チップの温度を上下させた際の自己発熱に対する
熱疲労の寿命を推測するパワーサイクル試験を承ります。

水冷式コールドプレートを採用しており、安定した放熱特性のもと試験実施が可能。
お客様ご指定のコールドプレート手配、持ち込み品の設置など、
仕様により柔軟に対応させて頂きます。

【特長】
■当社オリジナルTEGチップを使用した周辺材料評価も可能
■ご来社頂き、サンプルの設置、条件出し等を立会のもと
　実施させて頂く事も可能
■非破壊による試験前後のSAT観察、X線観察（非破壊検査）、
　電気特性の確認を行う事が可能

※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問合せください。

当資料は、様々な半導体デバイス、光絶縁体デバイスなどの
集積回路を掲載しております。

ソリッドステートリレーの特長、利点、用途などをご紹介。

多種多様な製品のほか、画像や図解も掲載しています。
是非、ご一読ください。

【掲載内容(一部)】
■本ガイドについて
■製品
■ソリッドステートリレー
■IGBT＆MOSFETゲートドライバー
■SiC MOSFET＆IGBTゲートドライバー

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

現在開発が進められているEV（電気自動車）やPHEV（プラグインハイブリッド車）に用いられているリチウム電池。
EVやPHEVの差別化には長寿命のバッテリーの開発・研究が不可欠です。

当社はリチウム電池の基材として使われる「芯体」を製造しています。
24時間機械を稼働させることで生産性を上げ、かつ安定した温度を常に保つことで高い品質を実現しました。

【コスト削減の理由】
・5ライン×２台　回転数270rpmでの稼働開始で生産性120％UP！
・機械の24時間連続加工で日夜安定した温度を保つことで、高品質を実現！
・材料を送り出しラス加工し製品（芯体）完成までを一貫ラインにて製造

※詳細はカタログをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。

長年培われた三菱マテリアルの独自の材料技術及び製造技術により、小型、高精度、高信頼性のＮＴＣサーミスタを表面実装型のチップで実現！
車載環境でも優れた特性をもち、熱設計に高精度の温度検知でお応えします。

高精度　：　Ｂ定数、抵抗値特性が安定しばらつきが少ない
小型化　：　チップサイズ0.3×0.6mm、0.5×1.0mm、0.8×1.6mm
実装性　：　テーピングリールで自動実装可能
耐熱性　：　125℃耐熱、150℃耐熱をラインナップ。(175℃耐熱については問合せ下さい)
低容量　：　容量性が低く高周波部でも設計容易
耐ESD　：　静電気環境に強い構造採用
超高精度：　温度精度0.5℃（@-40℃～100℃）対応(TX、TZシリーズ)
耐マイグレーション　：　硫化マイグレーション、イオンマイグレーション等の劣悪環境にも強い構造
信頼性試験：　AEC-Q200 REV D対応

●詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。

当社では、International Rectifier HiRel Products社製の
航空・防衛・宇宙分野向けのパワー半導体や電子部品を取り扱っております。

ハイブリッドDC-DCコンバータやEMIフィルタ、MOSFETなど、
高信頼性と耐環境性能に優れ、国内外の様々なプロジェクトで
採用実績がある製品のご提供が可能です。

【International Rectifier HiRel Products社製品の実績】
■JAXA関連プロジェクトに多数採用
■宇宙関連プロジェクトにパワー半導体を3万個以上納品
■宇宙関連プロジェクトにDC-DCコンバータを500個以上納品

※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。

『StrongIRFET2 パワーMOSFET』は、幅広いアプリケーションに対応する
インフィニオンのMOSFET技術です。

低周波および高周波の両方のスイッチング周波数に好適。

当製品は、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な製品を
提供します。

【特長】
■販売パートナーからの幅広い供給
■優れた価格/性能比
■高いスイッチング周波数と低いスイッチング周波数に好適
■高い電流定格

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

Microsemi社は、Silicon Carbide（シリコンカーバイド）チップを独自開発 しています。
ラインナップはMOSFET（700V、1200V、1700Vクラス）およびSCHOTTKY DIODE（650V、1200V、1700V）です。
使用環境（温度、湿度、負荷）異常時においても性能を維持する頑強さがあ り、また高周波動作においても優れた動作性能を発揮します。

【特長】
○カタログ標準品だけでな くお客様のアプリケーションに最適化した
　カスタムモジュールの提案を行う
○カスタムモジュール開発においては、チップ、回路形態、パッケージ形態、
　放熱素材、で多様な選択肢を用意
○お客様の要望に最適なモジュールの設計提案～量産供給を行う

詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

当社では、『イギリス・ダイネックス社製パワー半導体の販売』を行っております。

ダイネックス社は、イギリス・リンカーン市に本社をおく、
パワー半導体メーカーです。

チップ製造から組立、検査と全て一貫生産。
バイポーラ製品（ダイオード、FRD、サイリスタ、GTO）をはじめ、IGBTや
パワー半導体スタックを扱っております。

【主な製品】
■IGBTモジュール
■FRDモジュール
■一般整流平型サイリスタ
■GTOサイリスタ（平型）
■シンメトリック バイパス サイリスタ（平型）

サイリスタ、ダイオード、GTOなどのバイポーラ製品では、電流で11,000A、電圧で8,500Vまでのハイパワーをカバーする製品ランナップを揃えています。

IGBT、FRDモジュールは、シリコンウェハからパッケージングまで全て社内一貫生産で、6500Vまでの高耐圧クラスをラインナップしています。


※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

当資料は、パルメトリクスが発行する技術資料です。

長期間使用の劣化電池について、吸発熱曲線から判断しようとする
測定データなどを掲載しております。

【掲載内容】
■日産リーフ・EVモジュールまるごと 充放電プロセスの熱量測定
■日産リーフ・EVモジュールをまるごと比熱測定

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『VX-3657A/B』は、エレクトロニクス製品の高機能化・コンパクト化に
伴う高耐熱要求に適応したエポキシ樹脂液状配合材料です。

高耐熱、高流動性、低応力といった特長から、
パワーモジュールなどに適用。

また、低線膨張、低収縮率のため、
高耐熱基板封止などにも用いられております。

【物性データ(一部)】
■硬化条件
　・100℃×1h＋180℃×2h
■ガラス転移温度
　・200℃
■線膨張係数α1
　・14ppm

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社は民生用、産業用、自動車用（HEV・EV）などに使用されるラミネート型リチウムイオン電池およびキャパシタ（EDLC・LIC）に組み込まれるタブリードの開発・製造・販売を行っています。

電解液浸漬試験やフィルム剥離強度試験・断面観察等により、タブリードの耐電解液性、溶着強度性能を評価。

量産品はもちろん、研究用・試作用サンプル等、ニーズに応じ小型用タブリードから大型用タブリードまで、各種サイズのタブリードをご提供いたします。

【特長】
■表面導電率の低下を抑え、研磨無しでの溶接が可能
■それぞれの層に機能を有する多層構造フィルム
■自社開発のフィルム溶着機を使用
　⇒高い寸法精度、確実な封止を実現

※詳細についてはお気軽にお問い合わせください。

『wafer level burn-in』は、GaN、SiCデバイスをウェーハでバーンインでき、パワーモジュールの検査ロースを大幅にカットできる設備です。

最大6枚のウエハーの同時バーンインに対応できます。
また、治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能。完全なハードウェアで
各回路を保護します。

【特長】
■GaN、SiCウェーハのバーンインに好適
■治具ごとに独立でburn-in条件設定が可能
■ウェハー上のすべてのチップを同時に電源投入してバーンイン可能
■HTGB電圧±75V、HTRB電圧2000V（アップグレード可）
■Igss、Idss、Vth、Idson検査に対応
■温度範囲 RT-200C


※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社で取り扱う、『先進電池向け鉄系金属箔』をご紹介します。

硫化水素暴露環境下において硫化変色なく高い安定性があり、
安定した電池性能と充放電時の耐久性がある製品。

ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。

【開発材】
■電解鉄箔
■Fe-Ni合金箔

※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

Cambridge GaN Devices（CGD）は、より環境に
配慮したエレクトロニクスを可能にする一連のエネルギー効率の高い
GaNベースのパワーデバイスを開発するファブレス半導体企業です。

様々な民間投資に加えて、iUK、BEIS、EU（ペンタ）から資金提供を受け、
4つのプロジェクトに成功。

CGDチームの持つ技術的および商業的専門知識が、パワーエレクトロニクス
市場における広範な実績と組み合わさり、パワーエレクトロニクス市場を
牽引する基礎となっております。

【事業内容】
■一連のエネルギー効率の高いGaNベースのパワーデバイスを開発

※英語版カタログをダウンロードいただけます。
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

三和マテリアルの「工業用ダイヤモンドパウダー」は、ダイヤモンドが持つその素晴らしい高熱伝導率の特性から、今までのフィラーでは実現できなかった放熱特性を発揮する未知なる可能性を秘めた材料です。　

【特長】
■高放熱特性
・銅や銀を超える熱伝導率（最大2000W/m・K）を持ち、熱の効率的な拡散を実現！
・高発熱部品の熱問題対策に適しています。
■低熱膨張係数
・電子基板やセラミック素材と優れた適合性を持ち、温度変化による応力を低減。高信頼性が要求される分野に好適
■軽量性と耐環境性
・軽量で、酸化や腐食の心配がなく、過酷な環境化でも高信頼性を維持
■少量からでも対応可能

※設計などお気軽にご相談ください。
※詳細はPDFをダウンロード頂くか直接お問い合わせください。

イソウールLTCシリーズは、高まる省エネ需要にお応えするために開発したRCF規制対象外のマイクロポーラス系超低熱伝導率材料です。

新製品のご紹介
LTC-FLは可撓性（柔軟性があり、外部応力でたわむ性質）をもつ開発品です。

各製品の特長
LTC-A：高強度、結露・水蒸気に強い耐水性
LTC-ES：軽量、大判形状
LTC-HT：高温用、高強度、結露・水蒸気に強い耐水性
LTC-FL：可撓性


※詳しくははカタログ・リーフレットをダウンロードしてください。

『DBC基板(Direct Bonded Copper)』は、
イオンマイグレーションリスクを低減できるパワーモジュール用絶縁基板です。

厚銅絶縁基板の製造では、従来技術としてCuとセラミックスの接合に
チタンなどの活性金属を含んだAg接合材を使用しています。

しかしパターン形成後に高湿度環境下で高電圧がかかると、
接合材に含まれるAgが電極間にシミ状、突起状に成長し
ショートするイオンマイグレーションリスクがあります。

当社の提供するDBC基板は、AgフリーでCuとセラミックスを
接合させる為にイオンマイグレーションリスクが低減され、
パワーモジュール用絶縁基板としての信頼性が大きく向上しています。

【特長】
■優れた放熱、耐熱性
■優れた電気絶縁性
■高強度
■低熱膨張
■優れたW/B性、はんだ濡れ性

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、これまでに導電助剤向け材料の量産体制を構築し、2017年より
シリコン系負極向け材料の開発及び量産体制の構築を進めています。

工業的製法確立済のシリコン系負極材をご提案いたしますので
ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。

【特長】
■高容量とサイクル特性を両立

※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせください。

日本ISSI合同会社では、DRAM/SRAM ラインナップに続き、車載向けSPI Flash Memoryをリリース致しました。

【特長】
○製品名：IS25LQ080B(8Mb),IS25LQ016B(16Mb),IS25LQ032B(32Mb)
○スピード：416MHz equivalent Quad SPI
○電源電圧：2.3V ～ 3.6V
○動作温度範囲：-40’C ～ + 125℃

詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
※こちらのカタログは英語のカタログになります。