故障解析の時間短縮とは？課題と対策・製品を解説

高耐圧・大電流部品のIGBT等のパワーモジュールには、パッケージ封止樹脂に充填剤が多く含まれているなど、樹脂開封が困難なものがあります。パッケージ樹脂を薬液等により除去し、内部観察を行い、ご要望に応じ開封後の内部部品に対して、評価／解析／分析などを行います。 ※事前に開封用トライアルサンプルをご提供いただき開封可否を確認させていただきます（無償） ※IGBT（insulated-gate bipolar transistor　絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）       大電力の高速スイッチングが可能な、パワー半導体の一種。

研究開発によく用いられる2032型、2016型、2025型のセルを分解するための装置です。 試験終了後の正負極・セパレーター等の部材の状態の確認や、ゴミの分別等にもお使い頂けます。 その他規格についてご相談下さい。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社は、エレクトロニクス分野で培った高度な技術と先端装置で トラブル解決をサポートします。 当資料では、"MSECの分析評価対応分野"をはじめとした「対応分野」や、 "Liイオン電池の一貫解析"などの「解析事例」、「分析装置紹介」を掲載。 ぜひ、ダウンロードしてご覧ください。 【掲載内容（一部）】 ＜対応分野＞ ■MSECの分析評価対応分野 ■パワーデバイス・モジュールの一貫解析システム ＜解析事例＞ ■前工程解析 ■パワーデバイスパッケージ不具合解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

株式会社エルテックは『短絡耐量評価・解析レポート』を販売しています。 短絡故障の瞬間に爆発する他のSiC MOSFETと比較して、 INFINEON CoolSiC MOSFETは爆発することなくソフトに故障します。 このレポートでは、短絡耐量性を測定し、故障メカニズムを明らかにしています。 【特長】 ■試験測定データの結果と先端SiCトランジスタの短絡耐量を制限する 　物理的メカニズムを特定するための解析評価 ■破壊までの臨界温度および破壊エネルギーが抽出される ■破壊モードとの物解析を行う ■INFINEONと他社の1200Vトランジスタの短絡耐量を比較する ■短絡耐性を高めるためのトランジスタ構造とプロセスの変化を明らかにする ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社では、『東芝デバイス&ストレージ SiC MOSFET(TW070J120B) 構造解析、プロセス、デバイス特性解析レポート』をご提供しております。 プロセス・デバイス特性解析レポートでは、構造解析結果に基づき、 製造プロセスフローの推定、フォト/マスキングのプロセス工程数の見積、 N-エピ層(ドリフト層)のドーピング濃度分析、オン抵抗解析やブレークダウン 電圧の解析を行っています。 【解析のポイント】 ■構造解析レポート 　・SiC-MOSFETの平面レイアウトおよび断面構造を明らかにしている 　・本製品の特長であるSBD領域についての断面構造とSBDメタルのEDX分析を実施 ■プロセス・デバイス特性解析レポート 　・Schottkyダイオード特性の測定を行い、他社SiC-MOSFET製品の 　　内蔵Bodyダイオード特性と比較している　など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。