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露光解像度とは？課題と対策・製品を解説
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ウェーハプロセスにおける露光解像度とは？
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ナイトライド・セミコンダクター株式会社 製
ハイパワーUV-LED
・NS365L-6SVG 365nm 690mW If500mA 3.8V（Tyｐ）
・NS375L-6SVG 375nm 710ｍW If500ｍA 3.8V（Typ)
・NS385L-6SVG 385nm 950ｍW If500ｍA 3.8V (Typ)
・NS395L-6SVG 395nm 900ｍW If500ｍA 3.6V (Typ)
・NS405L-6SVG 405nm 900ｍW If500ｍA 3.6V (Typ)
●詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
6SVGシリーズ UV-LED Power SMD 紫外線
【対応可能光源】
■超高圧水銀灯（g/h/i-line）対応ARコート
■超高圧水銀灯（g/h/ｉ-line）対応AL増反射ミラー
■365nmHR
■無偏光ビームスプリッター（ハイブリッドタイプ）
■780nmPBS
※詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
【用途別事例】半導体製造装置用光学部品
当製品は、手動一括等倍露光マスクアライメント装置です。
基板を露光ステージにセットし、露光を行う装置です。
ウエハを露光ステージへ手動でセッティング。
面倒なフォトマスクとウエハの平行調整やギャップ調整は自動で行います。
また，超精密UVW駆動ステージを搭載し高性能画像処理を行う事で
フォトマスクとウエハのアライメントを正確に行います。
ソフト、ハードコンタクトにも対応。
マニュアル機～フルオート機まで生産量に合わせたラインアップで、
設計から製造・販売まで自社で行っているので、低価格を実現しました。
基板が特殊等のオーダーメイドも承ります。
【特長】
■完全非接触でフォトマスクとウエハの平行出し&露光
■オートアライメント機能搭載
■段取り替えが容易で、複数基板サイズ対応可能
■多品種少量生産、研究、開発用途に好適
■省スペース&簡単メンテナンス
■低価格、コンパクトを実現
■超精密UVWステージ搭載
■特殊基板等のオーダーメイド可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
手動等倍露光装置（マニュアルマスクアライナー）
UVEシリーズは、超高圧水銀ランプ250W～2000Wまで高性能インテグレーターを使用し、コリメーターレンズを通してワーク面にUV光を均一照射させることができます。
多種の照射径ユニットを取り揃えております。（100～400ｍ/ｍΦ）
※その他大面積はご相談下さい。
また、各種フィルター等もご要望によりご提案致します。
用途として、半導体ウェハ、水晶発振子等の電子部品の露光、マスクアライナー用光源、各種光学、露光実験装置として幅広く利用して頂いております。
【特徴】
○ハィパワー・コンパクト化を実現した独自の光学設計
○高安定・長寿命・オゾンレスランプ使用
○用途に応じた照射波長域の選択が可能
○自動化ラインに対応する豊富なリモート機能
○万全なノイズ防止対策
詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
小型均一・平行光露光光源「デモ機あり」
露光機用 UV-LED光源『ULA シリーズ』は、露光機用のUV-LEDランプです。
【特長】
■ 各種光学仕様に対してカスタマイズ可能
■ 波長：365nm, 385nm, 405nm各種混合可能
■ プロキシミティ/コンタクトアライナーの光源と置き換え可能
■ 高生産：水銀ランプに対して同等以上の照度を実現
■ 消費電力削減：圧倒的なランニングコストダウンを実現
■ 省スペース：UV-LED 光源と電源部の分離が可能
■ 高速応答性：on/off 照射タイミングでの電子制御
(水銀ランプは 常時点灯、メカニカルシャッター)
※詳しくはお問い合わせいただくか、PDFをダウンロードしてご覧ください。
露光機用 UV-LED光源『ULA シリーズ』
ランプメーカーとして、光源と光学系技術の開発・応用力の粋を集めた超高圧水銀ランプ、クセノンショートアークランプ、DEEP UV ランプ、メタルハライドランプ（GLシリーズ）、低圧水銀ランプ、毛細管型高圧水銀ランプ、ハロゲンランプは、露光分野でも高く評価されています。
露光用 ランプシリーズ
『GA2400』は、PEEK樹脂製クランプでウェハ外周を把持する
エッジグリップ仕様アライナーです。
ウェハ外周を把持し、光センサによる位置決めが可能。
極単純構造にすることにより、製造コストを大幅に削減できます。
また、2相ステッピングモータを使用しています。
【特長】
■ウェハセンタリング：PEEK樹脂製クランプでウェハ外周を把持
■ノッチ位置決め ウェハ外周を把持し、光センサによる位置決め
■2相ステッピングモータ使用
■RS232C通信制御
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
卓上型アライナー『GA2400』
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ウェーハプロセスにおける露光解像度
ウェーハプロセスにおける露光解像度とは？
ウェーハプロセスの露光解像度とは、半導体製造における微細な回路パターンをウェーハ上に転写する際の最小パターンサイズを指します。パワーデバイスやパワーモジュールでは、高効率化や小型化のために、より高精細な回路パターン形成が求められており、露光解像度の向上が不可欠です。
課題
微細化によるパターン欠陥の増加
露光解像度を追求するほど、微細な欠陥がパターン形成に影響を与えやすくなり、歩留まり低下の原因となります。
露光装置の性能限界
現在の露光装置では、要求される微細な解像度を実現するための性能に限界があり、さらなる技術革新が必要です。
マスクの精度と耐久性
微細パターンを転写するためのマスク自体の精度が要求され、製造コストの増加や耐久性の問題が生じます。
材料の特性限界
フォトレジストなどの感光材料が、微細なパターンを忠実に再現するための特性限界に達しつつあります。
対策
次世代露光技術の導入
EUV（極端紫外線）露光などの新しい露光技術を導入し、より微細なパターン形成能力を獲得します。
プロセス最適化と欠陥管理
露光プロセス全体の条件を最適化し、高度な欠陥検出・修正技術を導入して歩留まりを向上させます。
高精度マスク製造技術
より高精度なマスク製造技術を開発・導入し、微細パターン転写の忠実度を高めます。
新規感光材料の開発
微細パターン形成に適した、高解像度かつ高感度の新しいフォトレジスト材料を開発・採用します。
対策に役立つ製品例
高解像度露光装置
従来の露光装置よりも高い解像度を実現し、微細な回路パターンをウェーハ上に正確に転写できる装置です。
先進フォトレジスト材料
微細なパターンを忠実に再現できる、高感度かつ高解像度なフォトレジスト材料で、露光解像度の向上に貢献します。
欠陥検査・修正システム
微細なパターンに生じた欠陥を早期に検出し、自動で修正することで、歩留まりの向上を支援します。
高精度マスク製造サービス
微細な回路パターンを正確に再現できる、高精度なフォトマスクを製造するサービスで、パターン転写の精度を高めます。
