熱処理アニール工程の短縮とは？課題と対策・製品を解説

伝統と豊富な実績を持つウシオ社の 光加熱用光源の実用例（高速昇降温加熱）のご紹介です 【特徴】 ○使用光源：ハロゲンランプヒータ ○熱容量が小さく、3000K以上のフィラメントから照射される 　輻射光により、高温/急速昇降温といった加熱特性に優れた熱源 ○半導体や耐用電池の熱処理プロセスにおいて 　酸化膜形成、不純物拡散、シリサイド形成、電極焼成など 　多くの工程で使用される ●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。伝統と豊富な実績を持つウシオ社の

伝統と豊富な実績を持つウシオ社の 光加熱用光源によるRTPの事例紹介です。 かつての半導体熱処理は、ファーネス（断熱）が一般的だったが ナノオーダーのデバイスの場合、薄い膜形成や浅い接合が必要となり アイソサーマルの代名詞ともなっているRTPがキーテクノロジーとなっています。 また、次世代半導体においては、熱流束技術として フラッシュランプアニールが主流となっています。 ●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。

大村技研の『連続式熱処理炉』は、均一な温度による電子部品の 連続熱処理に用いることが出来る装置です。 あらゆる電子部品の熱処理に対応可能で、多品種・小ロットの電子部品の 熱処理に適しています。 高精度な温度コントロールにより歩留まり向上に貢献します。 【特長】 ■均一な温度による電子部品の連続熱処理に ■多品種・小ロットの電子部品に対応 ■高精度な温度コントロール ■要求仕様により設計製作が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

SiCのアニール前処理として最適なカーボン成膜をPBIIで、アニール処理をRTAで、アニール前後処理を弊社で行うことができます。

生産現場の多くで使用されているバッチ式の熱風加熱炉は、 加熱処理時間が長く、人手がかかるというデメリットがありました。 TPR商事の『遠赤外線卓上加熱炉』は、独自の遠赤ヒーターQUTクイックウルトラサーモを採用して、 樹脂やゴムのワークの加熱処理時間を劇的に短くできる可能性があります。 加熱処理の時短が叶えば、インライン化も可能です。 『遠赤外線卓上加熱炉』による時短事例を、無料で進呈しています。 興味がある方は、下記「PDFダウンロード」からダウンロード下さい。

ボンバータ加熱装置は、ゲッターを加熱する装置です。このゲッターは、ガラス管の中に入っていますから炎で温度を上げることはできません。そこで高周波誘導加熱によって加熱するわけです。 また、ゲッターの大きさは様々ですが直径１mm、長さ３～５ｍｍ程度のものから昇温させることが可能です。特にSUSのゲッターは温度が上がりにくい為、弊社では、約６０００ＫＨｚの 発振機を使用します。詳しくはカタログをダウンロードしてください。 また、蛍光灯のゲッター加熱装置は 『ジェミディス加熱装置』の方も御覧ください。

ワッティーが提供する『Hi-Watty Light』は、純アルミに近い熱伝導率を持つ 窒化アルミ製の小型ヒータです。 素材が持つ高い熱伝導性と独自のヒータパターン設計による ヒータ内に空気が残らない構造で、小型ながら高い発熱量と均一な温度特性を実現。 耐衝撃性に優れ、容器・金属・気体などの加熱用途に使用できます。 □5mm～□50mmの7サイズ、15種類をラインアップし、低コスト・短納期での提供が可能です。 ★さらに高い温度特性を持つ特注品や、コンパクトな昇降温制御ユニットも提供。 　詳しくは、資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■高速昇温・冷却に対応 ■アルミに近い熱伝導率 ■熱膨張率が小さい ■電気絶縁性が高い ■優れた耐食性 ※標準品の場合は、短納期での対応が可能です。 それ以外も、試作・カスタムのご要望を承っております。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ▼お問い合わせ先 TEL：相模原事業所　042-704-5352 MAIL：info@watty.co.jp

伝統と豊富な実績を持つウシオ社の 光加熱用光源による、電極の焼成の事例紹介です。 ハロゲンヒータを使用することで、ハロゲンヒータが持つ 高速昇温性、配熱分布や放射波長により 基板や電極材料の特性にマッチした熱処理を行うことができる ●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。

パイロリティックボロンナイトライド（PBN）やタンタルカーバイドは高い耐熱性や耐腐食性を有し、 急速昇降温・超高温を容易に実現できるセラミックスです。 PBNは色々な形状に蒸着製造または加工が可能。 超高温ヒータや高温静電チャック、グラファイト保護コーティングもございます。 PBN機能部品は有機ELの製造プロセス、半導体単結晶成長プロセス、 その他の高温真空プロセスなどの改善に貢献します。 【特長】 ■12インチウェハ（300mmウェハ）にも対応 ■超高真空・高温（1700℃※）条件で使用できる ■高温下でも高い電気絶縁性を維持できる ■靭性があるため割れにくい ■化学的に安定 ※詳しくはPDFをダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせください。

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plasma Based Ion Implantation)を使ってカーボンキャップ膜成膜のニーズにもお応え致します。 【掲載内容】 高温イオン注入 キャップ膜成膜 高温アニール処理 ※詳しくはPDFをダウンロードいただくか、お問い合わせください。