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パワーデバイス＆パワーモジュール

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高出力・高集積化とは？課題と対策・製品を解説

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パワーモジュールにおける高出力・高集積化とは？

パワーモジュールの高出力・高集積化とは、より少ないスペースでより大きな電力処理能力を実現することを目指す技術動向です。これにより、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、産業機器など、様々な分野での小型化、高効率化、高性能化が可能になります。最終的には、エネルギー効率の向上と環境負荷の低減に貢献します。

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【パワーデバイス製造向け】エアベアリングシリンダ

【パワーデバイス製造向け】エアベアリングシリンダ
藤倉コンポジット株式会社
パワーデバイス製造業界では、精密な動きと高い耐久性が求められます。特に、精密制御時の滑らかな動作は、作業効率と製品の品質を左右する重要な要素です。従来のシリンダでは、摩擦抵抗により動作の遅延や位置精度の低下が発生することがありました。エアベアリングシリンダは、摩擦抵抗ゼロを実現し、滑らかな動作を可能にします。 【活用シーン】 ・ロボットアーム ・精密位置決め ・搬送システム ・荷重制御 【導入の効果】 ・動作の滑らかさ向上 ・位置精度の向上 ・製品寿命の向上
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【パワーデバイス製造向け】超小型複動エアベアリングシリンダ

【パワーデバイス製造向け】超小型複動エアベアリングシリンダ
藤倉コンポジット株式会社
パワーデバイス製造業界では、精密な動きと高い耐久性が求められます。特に、精密制御時の滑らかな動作は、作業効率と製品の品質を左右する重要な要素です。従来のシリンダでは、摩擦抵抗により動作の遅延や位置精度の低下が発生することがありました。エアベアリングシリンダは、摩擦抵抗ゼロを実現し、滑らかな動作を可能にします。 【活用シーン】 ・ロボットアーム ・精密位置決め ・搬送システム ・荷重制御 【導入の効果】 ・動作の滑らかさ向上 ・位置精度の向上 ・製品寿命の向上
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SiCSBD搭載高周波・大電流用モジュール

SiCSBD搭載高周波・大電流用モジュール
ジェルグループ【株式会社ジェルシステム／株式会社ナカ アンド カンパニー】
SiCSBDモジュールは、温度移動性が小さいスイッチング特性、高速スイッチングにより、高効率な電源設計を可能にしました。電流高容量化も実現し、より幅広い製品でSiCの特長が生かせる仕様となっています。 【活用シーン】 インバータ、高周波パルス電源、産業用電源、医療用電源など 【導入の効果】 高出力電源の高周波化による小型化、製品の高性能化、製品の安全性の向上
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【パワーデバイス製造】ACS-13.5-5エアベアリングシリンダ

【パワーデバイス製造】ACS-13.5-5エアベアリングシリンダ
藤倉コンポジット株式会社
パワーデバイス製造業界では、精密な動きと高い耐久性が求められます。特に、精密制御時の滑らかな動作は、作業効率と製品の品質を左右する重要な要素です。従来のシリンダでは、摩擦抵抗により動作の遅延や位置精度の低下が発生することがありました。エアベアリングシリンダは、摩擦抵抗ゼロを実現し、滑らかな動作を可能にします。 【活用シーン】 ・ロボットアーム ・精密位置決め ・搬送システム ・荷重制御 【導入の効果】 ・動作の滑らかさ向上 ・位置精度の向上 ・製品寿命の向上
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【パワーデバイス製造向け】ACS-4-5 エアベアリングシリンダ

【パワーデバイス製造向け】ACS-4-5 エアベアリングシリンダ
藤倉コンポジット株式会社
パワーデバイス製造業界では、精密な動きと高い耐久性が求められます。特に、精密制御時の滑らかな動作は、作業効率と製品の品質を左右する重要な要素です。従来のシリンダでは、摩擦抵抗により動作の遅延や位置精度の低下が発生することがありました。エアベアリングシリンダは、摩擦抵抗ゼロを実現し、滑らかな動作を可能にします。 【活用シーン】 ・ロボットアーム ・精密位置決め ・搬送システム ・荷重制御 【導入の効果】 ・動作の滑らかさ向上 ・位置精度の向上 ・製品寿命の向上
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【ディスクリート】バイポーラトランジスタ　ラインアップ一覧

【ディスクリート】バイポーラトランジスタ　ラインアップ一覧
アールエスコンポーネンツ株式会社
『バイポーラトランジスタ』は、半導体をNPN、または PNPと交互に 接合した素子です。 エミッタ、ベース、コレクタと呼ばれる3つの端子で構成され、 ベース-エミッタ間に微弱な電流を流すとコレクタ-エミッタ間に 数十倍から数百倍の電流が流れます。 主に電圧・信号増幅やスイッチング制御などに用いられる製品です。 【ラインアップ(抜粋)】 ■onsemi トランジスタ KSC1815YTA ■Toshiba トランジスタ 2SC2712-Y(F) ■STMicroelectronics トランジスタ TIP31C ■ローム 抵抗内蔵トランジスタ DTC114EKAT146 ■Toshiba 抵抗内蔵トランジスタ RN1102(TE85L,F) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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カスタム(特注)二次電池の開発サービス

カスタム(特注)二次電池の開発サービス
双葉電気株式会社
当社で行っている「カスタム(特注)二次電池の開発サービス」について ご紹介いたします。 安全設計を大前提に、パック形状や寸法などお客様アプリケーションに 好適なバッテリーをご提案。 主に国産セルや台湾セルを選定しておりますが、 希望により、 他アジア系セルの検討も可能です。 【ポイント】 ■品質、サイズ、コストにおいてジャストフィットなバッテリーをご提供 ■医療クラスIII対応パックの製作が可能 ■国内でも数少ないパック技術 ■一部、標準開発仕様パックの取り扱いがある ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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SPF03-10表面実装ダイオード　10KV 30ｍA

SPF03-10表面実装ダイオード　10KV 30ｍA
鞍山雷盛電子有限会社
VRRM: 10KV IF(AV): 30mA IFSM: 3.0A Trr: 80nS
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ミニLED対応　多チャンネルLEDドライバーIC

ミニLED対応　多チャンネルLEDドライバーIC
オーツーマイクロインターナショナルジャパン株式会社
現在、TVやPCのDisplay業界はもちろんのこと、車載やゲーム機に至るまでローカルディミングを使った高精細パネル駆動技術が主流となりつつあります。 特にMini-LEDへのシフトによりさらにLEDバックライト分割数を増やした制御が求められております。LEDドライバーICとしては、低コストと省スペースを実現するため、多チャンネル化が求められており、O2Microではこれらを実現する最先端のMini-LED対応のLEDドライバーのラインナップを取り揃えております。 問い合わせ先： omj@o2micro.com
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【データシート】BP series：T01-PCU

【データシート】BP series：T01-PCU
株式会社アストレックス
当資料は、超小型衛星用電源制御装置である『T01-PCU』について詳しく ご紹介しています。 製品の概要や特長をはじめ、代表的なアプリケーションなどを 図や表を用いて全14ページで掲載。 製品の取り扱いにご活用ください。 【掲載内容(抜粋)】 ■1.概要 ■2.特長 ■3.代表的なアプリケーション ■4.コネクタと定格 ■5.Block Diagram　など ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
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BAW/SAWフィルタのラインアップ拡充！

BAW/SAWフィルタのラインアップ拡充！
アスニクス株式会社
この度アスニクス株式会社では、5G/Wi-Fi/オートモーティブ向け BAW/SAWフィルタのラインアップを拡充しました。 5GやWi-Fiの5GHz帯など、より高い周波数に対応するための BAWフィルタ技術の高度化と、オートモーティブへ対応するための 信頼性技術の向上によりラインアップの拡充化を図りました。 【製品仕様例(一部)】 ＜バンドパスフィルタ＞ ■型番：TA2580ABAWA ・中心周波数：5250MHz ・サイズ：2.5 x 2.0mm ■型番：TA18シリーズ ・対応周波数(LTE)：Band1/3/8/19 ・サイズ：1.1 x 0.9mm ＜デュプレクサ＞ ■型番：TF01シリーズ ・対応周波数(LTE)：Band1/3/8 ・サイズ：1.8 x 1.4mm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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Microchipバッファ付き高精度参照電圧生成器MCP1501

Microchipバッファ付き高精度参照電圧生成器MCP1501
グローバル電子株式会社
『MCP1501』は、20mAの電流をシンク/ソースできるバッファ付き 参照電圧生成器です。 参照電圧は、低ドリフトのバンドギャップ回路により生成され、 チョッパー型増幅器はドリフトを低減し、性能を低下させずに 大電流を出力します。 パッケージは、6ピンSOT-23/8ピンSOIC/8ピン2mmx2mm WDFN パッケージで提供。 下記関連動画は、BMS(バッテリーマネジメントシステム)に関する、 Microchip社のソリューションの紹介動画です。 その中の1つとして"MCP1501"の紹介がされております。是非、ご覧ください。 【特長】 ■温度誤差：50 ppm/ ℃以下(-40 ～ +125℃) ■低消費電流：140 μA(typ.) ■AEC-Q100 Grade1認定 ■8種類の電圧に対応する製品を提供 　・1,024V・1.250V・1.800V・2.048V・2.500V・3.000V・3.300V・4.096V ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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【ディスクリート】ダーリントントランジスタ　ラインアップ一覧

【ディスクリート】ダーリントントランジスタ　ラインアップ一覧
アールエスコンポーネンツ株式会社
『ダーリントントランジスタ』は、低ベース電流から高いコレクタ電流を 得るために使用されるディスクリート半導体です。 複数のトランジスタを直結したダーリントン接続により、電流増幅率を 非常に大きくできる製品。一般的なトランジスタの電流増幅率(hFE)は 100程度ですが、ダーリントントランジスタは 2000以上が可能です。 これにより、僅かなベース電流で大きなコレクタ電流を流すことができます。 【ラインアップ(抜粋)】 ■STMicroelectronics NPN ダーリントンペア ULN2803A ■Texas Instruments NPN ダーリントントランジスタ ULN2803ADW ■Toshiba NPN ダーリントントランジスタ 2SD1223(TE16L1,NQ) ■Allegro Microsystems NPN+PNPダーリントントランジスタ A2982SLWTR-T ■onsemi NPN ダーリントントランジスタ MJH11022G ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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光で電流を測る新発想！非接触電流センサ「OpECS」

光で電流を測る新発想！非接触電流センサ「OpECS」
シチズンファインデバイス株式会社
OpECS（Optical Probe Electric Current Sensor）は、磁気光学効果を利用した光電流センサです。 光ファイバ先端の超小型センサヘッドによって、従来の電流プローブでは測定が困難だった狭所や パワーモジュール内部の電流波形測定を可能にします。DC～150MHzの広帯域特性を有し、 SiC-MOSFETやGaN-HEMTなど次世代パワーデバイスのスイッチング損失評価、ボンディングワイヤ 測定、電流分布解析などに活用されています。 極低挿入インピーダンスによる低侵襲測定も大きな特長です。 【OpECSが選ばれる理由】 「測るために回路を変えない」 これがOpECS最大の価値です。 高速化が進むパワーエレクトロニクス分野では、測定系そのものが回路へ与える影響が大きな課題と なっています。 OpECSは光技術を活用することで、従来の測定方法では難しかった正確な電流波形観測を実現します。
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【資料】集積回路 選定ガイド

【資料】集積回路 選定ガイド
Littelfuse ジャパン合同会社
当資料は、様々な半導体デバイス、光絶縁体デバイスなどの 集積回路を掲載しております。 ソリッドステートリレーの特長、利点、用途などをご紹介。 多種多様な製品のほか、画像や図解も掲載しています。 是非、ご一読ください。 【掲載内容(一部)】 ■本ガイドについて ■製品 ■ソリッドステートリレー ■IGBT＆MOSFETゲートドライバー ■SiC MOSFET＆IGBTゲートドライバー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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不揮発性メモリ64KビットFeRAM​ 「MB85RS64TU」

不揮発性メモリ64KビットFeRAM​ 「MB85RS64TU」
RAMXEED株式会社
当社は、-55℃という非常に低い温度環境下での動作を保証するメモリ として、64KビットFeRAM​ 「MB85RS64TU」を開発し、量産品を 提供しています。 本製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジの動作電圧範囲をもち、 競合メモリよりも低温動作が可能な不揮発性メモリです。 -55℃の低温でも10兆回のデータ書換え回数を保証しており、 特に極寒地域での天然ガスやオイルの発掘に使われるフィールド装置 などの産業機械向けとして最適です。 ■主な仕様 　・製品名： MB85RS64TU 　・容量（メモリ構成）： 64Kビット（8K x 8ビット） 　・インタフェース： SPI（シリアル・ペリフェラル・インタフェース） 　・動作周波数： 最大 10MHz 　・動作電源電圧： 1.8V～3.6V 　・動作温度範囲： -55℃～+85℃ 　・書込み/読出し保証回数： 10兆回 　・パッケージ： 8ピンSOP、8ピンSON ■用途例 本FeRAM​は低温環境下だけではなく、一般的な計測機器、流量計、 ロボットなどの産業分野にも利用できます。
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GSI Technology社　ラド・ハードSRAM

GSI Technology社　ラド・ハードSRAM
株式会社ナセル
GSI社のラド・ハード SRAMは、最先端のFPGA、ADC、DACを活用した高度なシステムの重要な要素として期待されています。 初期リリース品より、航空宇宙および防衛顧客の厳しい要件を満たすために、クラス-Qおよびクラス-Vレベルの認定を受けています。 既存のラド・ハード メモリソリューションの代替を待望されている衛星および防衛関連のお客様に是非ご検討いただきたい製品です。GSI社のラド・ハードSRAMは、実績のある技術と耐放射線性を備えたアーキテクチャを活用した、40nmテクノロジーノードにおける効率的で高性能な最先端メモリです。
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『宇宙用太陽電池パネル（2017版）』

『宇宙用太陽電池パネル（2017版）』
合同会社先端技術研究所
当社では、超小型から中型の人工衛星向け『太陽電池パネル』の カスタマイズ製作を承っております。 例えば「超小型衛星、CubeSat」ならPCBボードと組み合わせたり、 「小型～中型衛星」であればアルミ合金やCFRP表皮のアルミハニカムパネルと 組み合わせるといった、形状・サイズごとに最適な設計・製造が可能です。 【その他の特長】 ■3U CubeSat用太陽電池パネルは展開型でのご提供も可能 ■中型～大型衛星向けのパネルもご用意可能 　（展開機構を備えたものもご提供できます） ★平均変換効率29.3％の「宇宙用3接合太陽電池」もご用意しております。 ※詳しくは資料をご覧ください。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
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【Boschman】シンタリング事業のご案内

【Boschman】シンタリング事業のご案内
株式会社進和
パワー半導体に求められる 高出力/高電圧/高電流/高速動作/高周波/熱容量増加/高効率化 といった要件に、シンタリング装置は対応します。 進和では2025年初旬から、シンタリングをお試しいただけるようになります。 ・シンタリングの試作から試作品評価まで、幅広くサポート致します。 ・量産向け設備の設計・仕様カスタマイズなどご相談ください。 ・シンタリング剤の持ち込みトライにも対応いたします。 ・シンタリングの前後装置もご用意しております。
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厚膜印刷

厚膜印刷
福島双羽電機株式会社
特長 ■高放熱 ■高耐熱 ■大電流対応 ■耐溶剤性 ■耐摩耗性 ■耐電圧 ■安定した誘電率
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CMUDM7004　MOSFET

CMUDM7004　MOSFET
日本ミック株式会社
セントラセミコンダクタ―社の下記4製品は自動運転システムの「LiDAR」に最適なデバイスとなっており、海外LiDARメーカーに採用されている製品となります。
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SDカード向けIPコア「SD UHS-II PHY IP」

SDカード向けIPコア「SD UHS-II PHY IP」
シリコンライブラリ株式会社
SDカードの新規格SDXCとSDHCに使用できる超高速インターフェイス「UHS-II」に対するPHY IPソリューションです。
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銀ナノ粒子『True NANO Silver(R)』

銀ナノ粒子『True NANO Silver(R)』
株式会社環境レジリエンス
『True NANO Silver(R)』は、アルミ同士を高導電・高熱伝導・ 高耐熱で接合可能な銀ナノ粒子です。 雰囲気調整炉や溶接機等の装置が不要で、材料コストのダウンを実現。 モーターをはじめとした電気電子機器の軽量化などが期待できます。 また、アルミ同士に限らず多種多様な材料の接合が可能です。 【特長】 ■優れた物性 ■高い生産性 ■低い導入コスト ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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リチウムイオン　電解液　注液実験機　大型電池用

リチウムイオン　電解液　注液実験機　大型電池用
長野オートメーション株式会社
i-ion（リチウムイオン）、Ni-MH（ニッケル水素）電池用の各種生産設備および実験装置の設計製作いたします。 円筒型、角型、ラミネートタイプ各種対応します。 工程によっては、デモ機・実験機がありますのでお気軽にお問い合わせください。
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SiCウェハー・SiCウエハー（６インチ/８インチ）

SiCウェハー・SiCウエハー（６インチ/８インチ）
エムシーオー株式会社
『SiCウェハー・SiCウエハー』とは、電子部品を構成する材料であるウェハーの1種です。 弊社ではSiCウェハーを1枚から低コストで提供が可能。パワー半導体の開発や試作時に低価格・小ロットで利用できます。 また、納期も最短2週間から対応できますので、ぜひ、ご用命ください。 【特長】 ■高い電界をかけても壊れにくい ■熱に強い機器の製造に役立つ ■機器の動作上限温度を向上させる ■熱伝導率が高いため放熱性に優れている 【提供ウェハ】 ８インチ N型 Production　４H-SiC ８インチ N型 Dummy　４H-SiC ６インチ N型 Production　４H-SiC ６インチ N型 Dummy ４H-SiC ６インチ高純度半絶縁性ウエハー　４H-SiC ６インチ N型 P-MOS　４H-SiC ６インチ N型 P-SBD　４H-SiC ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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アライアンスメモリ動作電圧1.2V、4Gb DDR4 SDRAM

アライアンスメモリ動作電圧1.2V、4Gb DDR4 SDRAM
株式会社アークテイク
本製品は信頼性の高いdrop-in, pin-for-pin互換の置換えを提供し、コストのかかる再設計や部品の再認定の必要性をなくします。 非常に高い転送速度で1333MHzまでの高速クロックを提供します。 JEDECおよびRoHS2準拠、デバイスは鉛（Pb）およびハロゲンフリー品です。 【動作温度】 商業用：TC = 0〜95℃ 工業用：TC = -40〜95°C 対象アプリケーション： インダストリアル、医療、IoT、自動車、ゲーム等の消費者市場 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。
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量子ドットレーザ『QLF133x/QLD133x シリーズ』

量子ドットレーザ『QLF133x/QLD133x シリーズ』
株式会社QDレーザ
『QLF133x/QLD133x シリーズ』は、量子ドット技術をベースとした GaAs上1300nm半導体レーザです。 150-200℃の超高温下でも動作可能で、プラント、地下資源探査等の 特殊用途にも対応可能。また、量子ドットレーザは高温度での安定した特性、 反射戻り光耐性に優れ、Siフォトニクス用光源として最適です。 データ通信用として既にお客様に360万台の出荷実績があります。 【特長】 ■量子ドット ■FP/DFBレーザ ■波長1240-1310nm ■高温動作可能（100-200 ℃以上） ■優れた温度安定性 ■優れた反射戻り光耐性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。 ※こちらのPDF資料は英語版です。
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超微粒子チタン酸バリウム『BT-HP9DX』

超微粒子チタン酸バリウム『BT-HP9DX』
共立マテリアル株式会社
当社では、分散・合成・分析技術を向上させる事により、微粒子かつ 高結晶度を特長とするチタン酸バリウムの量産化を実現しました。 これによりMLCCの更なる薄層化・高積層化を達成でき、小型高容量化に貢献。 車載用及び産業用から民生用電子機器まで、幅広い製品に採用実績がございます。 【『BT-HP9DX』商品群】 ■粒子径：100/150/200/250/300/400nm ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
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LDドライバ・温度コントローラ(OEMパッケージ)

LDドライバ・温度コントローラ(OEMパッケージ)
株式会社オプトロンサイエンス
【485シリーズ LaserPak】 　■ベンチトップタイプと同等のクオリティー 　■アナログコントロールインターフェース有 　■RS232／USBインターフェースを備えております 【585シリーズ TECPak】 　■ベンチトップタイプと同等のクオリティー 　■アナログコントロールインターフェース有 　■RS232／USBインターフェースを備えております 【586シリーズ TECPak】 　■ベンチトップタイプと同等のクオリティー 　■ハイパワーTECコントローラー 【685シリーズ ComboPak】 　■ベンチトップタイプと同等のクオリティー 　■レーザコントローラ＆TECコントローラ(ローパワー向け)
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リチウムイオン電池向けシリコン系負極材料　開発サービス

リチウムイオン電池向けシリコン系負極材料　開発サービス
テックワン株式会社
当社では、これまでに導電助剤向け材料の量産体制を構築し、2017年より シリコン系負極向け材料の開発及び量産体制の構築を進めています。 工業的製法確立済のシリコン系負極材をご提案いたしますので ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■高容量とサイクル特性を両立 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせください。
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特殊光ファイバ『シングルモードファイバ』

特殊光ファイバ『シングルモードファイバ』
フォトニックサイエンステクノロジ株式会社
当社の『シングルモードファイバ』は、Geドープシリカコア、 ピュアシリカクラッドの構造をもった光ファイバです。 汎用サイズであるクラッド径125μmからクラッド径30μmまで細径なファイバの 作製が可能です。 また、任意のカットオフ波長を選択することも可能です。 お客様のご要望に応じた光ファイバの設計、製造、評価まで一貫した製品作りを 行っておりますので、オリジナルファイバの製作が可能です。 【特長】 ■長距離伝送用 ■高ビーム品質 ■高い集光性 ※詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードして下さい。
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ディスクリートパワーMOSFET【リテルヒューズ】

ディスクリートパワーMOSFET【リテルヒューズ】
マウザーエレクトロニクス
ウルトラジャンクションシリーズや高電圧シリーズなどといった Littelfuse (リテルヒューズ)の『ディスクリートMOSFET』を取り扱っております。 リテルヒューズの製品は、家電から自動車および産業施設に至るまで、 電気エネルギーを使用するアプリケーションにおける重要な コンポーネントとなっています。 ご要望の際はお気軽に、お問い合わせください。 【ラインアップ】 ■ウルトラジャンクションシリーズMOSFET ■PolarシリーズMOSFET ■トレンチシリーズMOSFET ■高電圧シリーズMOSFET ■PolarQ3シリーズMOSFET　など ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
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【株式会社トリニティー】SiCウエハー

【株式会社トリニティー】SiCウエハー
株式会社トリニティー
【次世代パワー半導体】 SiCウエハは従来のSiウエハより電力損失や熱の発生が少ない為、近年ではパワー半導体としての需要がますます高まっています。 大きな電圧、電流にも耐えられるため、EV自動車への搭載 や鉄道車両、冷蔵庫やLED電球等の身近なところにも活用されています。 【トリニティーでは】 トリニティーではSiCウエハを扱っております。複数メーカーから調達が可能でございます。また仕様用途に合わせて、ウエハをご提案させていただきますので、どうぞお気軽にご相談ください。
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半導体レーザ用　ファイバカプラ

半導体レーザ用　ファイバカプラ
株式会社オプトロンサイエンス
■モノリシックシリンドリカル構造で、ファースト軸及びスロー軸のコリメートを行い、高出力半導体レーザのファイバカップリング用途に最適 ■高輝度ファイバカップリング用途として設計された特殊レンズでは、100umエミッタからの光を50umコアファイバ、200umエミッタからの光を100umコアファイバ等に高効率でカップリングさせることが可能
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4MビットFeRAM​「MB85RQ4ML」

4MビットFeRAM​「MB85RQ4ML」
RAMXEED株式会社
本製品は、1.8V単一電源で動作し、4本の入出力ピンをもつクワッドSPIインターフェースを採用することで、54Mバイト/秒のデータ転送速度を実現しています。 この高速動作と不揮発性メモリの特長により、ネットワーキング、RAIDコントローラ、産業用コンピューティング分野での使用に最適です。 ■主な仕様 ・製品名： MB85RQ4ML ・メモリ容量（構成）： 4Mビット（512K x 8ビット） ・インターフェース： SPI /クワッドSPI ・動作電源電圧： 1.7V～1.95V （単一電源） ・書込み/読出し保証回数： 10兆回 ・データ保持特性： 10年（+85℃） ・パッケージ： 16ピンSOP
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クアルコムSDX55搭載 LGA 5G通信モジュール

クアルコムSDX55搭載 LGA 5G通信モジュール
株式会社ＭｅｉＬｉｎｋ
『SRM-815』は、IoTおよびeMBBアプリケーション用に特別に設計された 5G NRサブ6GHzモジュールで、LGAパッケージを採用し、3GPPリリース15規格に 準拠するクアルコムのSDX55ベースバンドチップを統合します。 独立ネットワーク（SA）と非独立ネットワーク（NSA）の両方をサポート可能。 また、ターゲット地域ごとに異なるサブモデルを使用して設計され、 3G / 4G / 5Gマルチネットワーク標準をサポートします。 【特長】 ■5G NRサブ6 GHz、3GPP R15標準をサポート、SA / NSAをサポート ■5G NRの最大ダウンリンクレートは4Gbps、最大アップリンクレートは300Mbps ■キャリアアグリゲーションをサポート ■5G NR / LTE-FDD / LTE-TDD / WCDMAネットワークをカバー ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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TySOM-3

TySOM-3
アルデック・ジャパン株式会社
TySOM-3は、グラフィック、ビデオ、波形、およびパケット処理のためのソフトおよびハードエンジンを結合したリアルタイム制御と64ビットプロセッサスケーラビリティを提供するZynq UltraScale+ MPSoCデバイスを搭載したコンパクトなプロトタイプボードです。
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半導体製品『ディスクリート』

半導体製品『ディスクリート』
共和電子株式会社
『ディスクリート』は、電子部品・電子機器卸事業を行う、共和電子 株式会社の取り扱う半導体製品です。 「TRIAC」をはじめ「サイリスタ」や「高速ダイオード」といった製品を ラインアップしています。 リード挿入型では7パッケージ、表面実装型では3パッケージ、 タブ端子タイプでは1パッケージの商品のご用意がございます。 【特長】 ■豊富なパッケージラインアップ ■RoHS対応 ■低損失　Vr＝1.4V ■トライアック 800Vまでラインナップ ■Tj=150℃保証（トライアックQシリーズ） ※詳しくはカタログをご覧下さい。お問い合わせもお気軽にどうぞ。
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◆自動車技術トレンド深掘り分析【サンプルあり】

◆自動車技術トレンド深掘り分析【サンプルあり】
株式会社フォーイン
【こんな方へおすすめ】 ・技術戦略に携わるエンジニアの方へ ・電動化・ADAS／自動運転担当の技術者様へ ・次世代技術を効率よく調べたい方へ 自動車産業では、電動化・自動運転・コネクテッド化などの技術革新が同時並行で進んでいます。「何がトレンドか」だけでなく、「どの技術が事業として現実的か」を見極めることが重要です。 フォーインでは、個別技術の解説にとどまらず、OEMおよび主要サプライヤーの開発戦略、技術ロードマップを横断的に整理し、技術開発や製品企画の検討に活用できる形でまとめています。 技術トレンドを俯瞰し、中長期の技術戦略検討に必要な情報を効率よく把握したい方に最適です。
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紫外面光源『UV-SHiPLA CSシリーズ』※応用事例集付き

紫外面光源『UV-SHiPLA CSシリーズ』※応用事例集付き
富士通特機システム株式会社
『UV-SHiPLA CSシリーズ』は、水銀ランプを用いた既存UV応用製品を、 水銀フリーの環境対応型に改良できる水銀フリー紫外線光源です。 従来技術では実現できない薄型軽量・大面積照射などの新規製品開発向けに 好適です。 当社では、各波長域で高出力品の特注に対応いたします。 また、小型・計量で形状カスタマイズ可能なVUV光源である 「水銀フリー真空紫外面光源」もラインアップしております。 【特長】 ■発光面サイズ・形状 カスタマイズ可能 ■応用機器に合わせたモジュール化ができる ■既存製品を水銀フリー化 ■新規・独自製品のキーデバイスに役立つ ■被照射対象に好適設計 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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SPF03-12表面実装ダイオード　12KV 30ｍA

SPF03-12表面実装ダイオード　12KV 30ｍA
鞍山雷盛電子有限会社
VRRM: 12KV IF(AV): 30mA IFSM: 3.0A Trr: 80nS
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【事業紹介】イギリス・ダイネックス社製パワー半導体の販売

【事業紹介】イギリス・ダイネックス社製パワー半導体の販売
株式会社英知コーポレーション
当社では、『イギリス・ダイネックス社製パワー半導体の販売』を行っております。 ダイネックス社は、イギリス・リンカーン市に本社をおく、 パワー半導体メーカーです。 チップ製造から組立、検査と全て一貫生産。 バイポーラ製品（ダイオード、FRD、サイリスタ、GTO）をはじめ、IGBTや パワー半導体スタックを扱っております。 【主な製品】 ■IGBTモジュール ■FRDモジュール ■一般整流平型サイリスタ ■GTOサイリスタ（平型） ■シンメトリック バイパス サイリスタ（平型） サイリスタ、ダイオード、GTOなどのバイポーラ製品では、電流で11,000A、電圧で8,500Vまでのハイパワーをカバーする製品ランナップを揃えています。 IGBT、FRDモジュールは、シリコンウェハからパッケージングまで全て社内一貫生産で、6500Vまでの高耐圧クラスをラインナップしています。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
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CMOSH-4E ショットキーダイオード

CMOSH-4E ショットキーダイオード
日本ミック株式会社
セントラセミコンダクタ―社の下記4製品は自動運転システムの「LiDAR」に最適なデバイスとなっており、海外LiDARメーカーに採用されている製品となります。
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GSI社 同期バーストSRAM GS8シリーズ

GSI社 同期バーストSRAM GS8シリーズ
株式会社ナセル
GSI社のバーストSRAMは、高速かつ低消費電力・低発熱です。ＦＴ/PLモードピンの制御により、パイプライン/フロースルー出力の選択が可能です。
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５G、WPT、ISMバンド向けハイパワーGaN/LDMOSを販売

５G、WPT、ISMバンド向けハイパワーGaN/LDMOSを販売
ファラッド株式会社
ファラッドは、HF、高周波GaN/LDMOSパワートランジスタを設計製造するISO9000/ISO14000認証メーカーInnogrationTechnologies（中国）社製品の取扱いを開始しました。 日本及び世界の半導体製造装置、工業用マイクロ波アンプ・ジェネレータ、4G/5G通信等の用途に数多く実績があります。 高効率・高出力を目指し2.45GHz帯390W GaN HEMT、5GHz帯100W GaNドーハティモジュール。各種パッケージに対応。 ※詳しくはPDF資料をダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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セラミック基板

セラミック基板
株式会社オリナス
ＫＯＡのＬＴＣＣ基板は、配線導体とセラミックス基材を９００℃以下の低温で同時焼成して作る“低温焼成積層セラミックス基板”です。 配線パターンを表層・内層に形成できるので、多層化が容易です。 【製品ラインナップ】 LTCC基板
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三安半導体(Sanan)： SiCパワー半導体製品

三安半導体(Sanan)： SiCパワー半導体製品
岡谷鋼機株式会社
湖南三安半導体有限責任公司（Hunan Sanan Semiconductor Co.,Ltd.）は 中国 湖南省　長沙市に本社を置く、SiC(シリコンカーバイド)とGaN(ガリウムナイトライド）のパワー半導体製造会社です。 LEDチップの開発・製造において世界シェアトップ企業である三安光電(Sanan Optoelectronics）グループに属し、通信・車載・産業向けのパワー半導体、中でもSiC(シリコンカーバイド)に力を入れております。
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マルチ相対応大容量AC/DC電源　ASR-RKシリーズ

マルチ相対応大容量AC/DC電源　ASR-RKシリーズ
株式会社テクシオ・テクノロジー
ASR-RKシリーズはインバーター方式の大容量（9kVA～36kVA）AC/DC電源です。 単相、単相3線、三相交流と直流、さらに単相3チャンネルに対応したマルチ出力、豊富な測定機能、高調波解析モード、シーケンスやシミュレーションのテスト機能で様々な交流波形をサポート。 さらに、交流＋直流、内部＋外部信号など組み合わせにより10種類の出力モードを備えています。 インタフェースはUSB・LAN・RS-232Cを標準で搭載、オプションとして、GP-IBに対応しています。 高機能ながら、7インチカラー液晶ディスプレイ搭載により、直観的で使いやすいコストパフォーマンスに優れた交流・直流安定化電源です。
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【資料】AEROXIDE(R) のリチウムイオン電池への応用

【資料】AEROXIDE(R) のリチウムイオン電池への応用
日本アエロジル株式会社
『AEROXIDE(R)』は、リチウムイオン電池の性能、寿命、安全性を向上させる 添加剤として使用されている金属酸化物です。 従来の粗い無機粒子では不可能であった超薄膜セラミックコーティング層の 形成が可能。当製品による薄膜セラミックコーティング層は、セパレーターの 熱収縮を大幅に低減でき、その結果、電池の安全性が向上します。 当製品で正極活物質をドライコーティングすることにより、 正極活物質粉体のみかけ密度が増加します。 【応用用途】 ■正極活物質にドライコーティングすることによるサイクル特性の向上 ■セパレーターにコーティングすることによる耐熱性の向上 ■セパレーターの内部に充填することによる強度の向上 ■電解質に添加することによるレオロジー特性の向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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半導体『StrongIRFET2 パワーMOSFET』

半導体『StrongIRFET2 パワーMOSFET』
旭テック株式会社
『StrongIRFET2 パワーMOSFET』は、幅広いアプリケーションに対応する インフィニオンのMOSFET技術です。 低周波および高周波の両方のスイッチング周波数に好適。 当製品は、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な製品を 提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格/性能比 ■高いスイッチング周波数と低いスイッチング周波数に好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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パワーモジュールにおける高出力・高集積化

パワーモジュールにおける高出力・高集積化とは？

パワーモジュールの高出力・高集積化とは、より少ないスペースでより大きな電力処理能力を実現することを目指す技術動向です。これにより、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、産業機器など、様々な分野での小型化、高効率化、高性能化が可能になります。最終的には、エネルギー効率の向上と環境負荷の低減に貢献します。

​課題

発熱管理の限界

高出力化に伴い発生する熱を効率的に放熱することが困難になり、素子の信頼性低下や性能劣化を招く。

部品点数の増加と複雑化

高集積化のために多くの部品を搭載する必要があり、設計・製造プロセスが複雑化し、コスト増につながる。

電気的ノイズの増大

高周波動作や高密度実装により、意図しない電気的ノイズが発生しやすくなり、誤動作や性能低下の原因となる。

信頼性と耐久性の確保

小型化・高密度化による熱ストレスや機械的ストレスの増大が、長期的な信頼性や耐久性の維持を困難にする。

​対策

先進的な冷却技術の導入

液冷やヒートパイプなどの高効率な冷却機構を採用し、発熱を効果的に抑制する。

SiC/GaNデバイスの活用

ワイドバンドギャップ半導体材料（SiCやGaN）を用いることで、高耐圧・高周波動作を実現し、損失を低減する。

統合設計・製造プロセスの最適化

モジュール全体の構造を最適化し、部品点数を削減するとともに、自動化された製造プロセスを導入する。

シールド・フィルタリング技術の強化

電磁ノイズ対策として、適切なシールド構造やノイズフィルタを設計・実装する。

​対策に役立つ製品例

高熱伝導性基板

高い熱伝導率を持つ材料で構成されており、素子から発生した熱を効率的に外部へ逃がすことで、発熱管理の課題を解決する。

一体型冷却機構付きパワーモジュール

モジュール本体に冷却機構が組み込まれており、別途冷却装置を設ける必要がなく、システム全体の小型化と高出力化を両立させる。

多層基板実装技術

複数の回路層を重ね合わせることで、配線スペースを削減し、部品点数の集約と高密度実装を実現する。

ノイズ抑制設計済みパワーモジュール

内部構造や配線設計において、電気的ノイズの発生を最小限に抑える工夫が施されており、システムの安定動作に貢献する。

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ウェーハプロセス

内部熱抵抗の低減
長寿命化
高出力・高集積化
大電流バスバーの接続安定
温度バラツキの均一化
スイッチング損失の低減
モジュールケースの耐久性
外部ノイズ耐性の向上
パッケージングコスト削減
耐電圧向上
接合部の信頼性保証
接合界面の密着性向上
接合界面の空隙排除
配線インダクタンス低減
熱応力剥離の防止
熱マネジメント設計
内部センサー組み込み
製造工程のトレーサビリティ
内部電極の電流密度均一化

組立・パッケージング

内部熱抵抗の低減
長寿命化
高出力・高集積化
大電流バスバーの接続安定
温度バラツキの均一化
スイッチング損失の低減
モジュールケースの耐久性
外部ノイズ耐性の向上
パッケージングコスト削減
耐電圧向上
接合部の信頼性保証
接合界面の密着性向上
接合界面の空隙排除
配線インダクタンス低減
熱応力剥離の防止
熱マネジメント設計
内部センサー組み込み
製造工程のトレーサビリティ
内部電極の電流密度均一化

パワーモジュール

内部熱抵抗の低減
長寿命化
高出力・高集積化
大電流バスバーの接続安定
温度バラツキの均一化
スイッチング損失の低減
モジュールケースの耐久性
外部ノイズ耐性の向上
パッケージングコスト削減
耐電圧向上
接合部の信頼性保証
接合界面の密着性向上
接合界面の空隙排除
配線インダクタンス低減
熱応力剥離の防止
熱マネジメント設計
内部センサー組み込み
製造工程のトレーサビリティ
内部電極の電流密度均一化

評価・分析・検査

内部熱抵抗の低減
長寿命化
高出力・高集積化
大電流バスバーの接続安定
温度バラツキの均一化
スイッチング損失の低減
モジュールケースの耐久性
外部ノイズ耐性の向上
パッケージングコスト削減
耐電圧向上
接合部の信頼性保証
接合界面の密着性向上
接合界面の空隙排除
配線インダクタンス低減
熱応力剥離の防止
熱マネジメント設計
内部センサー組み込み
製造工程のトレーサビリティ
内部電極の電流密度均一化

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パワーデバイス向け技術
パワーモジュール化技術
その他パワーデバイス＆パワーモジュール
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