スイッチング損失の低減とは？課題と対策・製品を解説

SiCSBDモジュールは、温度移動性が小さいスイッチング特性、高速スイッチングにより、高効率な電源設計を可能にしました。電流高容量化も実現し、より幅広い製品でSiCの特長が生かせる仕様となっています。 【活用シーン】 インバータ、高周波パルス電源、産業用電源、医療用電源など 【導入の効果】 高出力電源の高周波化による小型化、製品の高性能化、製品の安全性の向上

『バイポーラトランジスタ』は、半導体をNPN、または PNPと交互に 接合した素子です。 エミッタ、ベース、コレクタと呼ばれる3つの端子で構成され、 ベース-エミッタ間に微弱な電流を流すとコレクタ-エミッタ間に 数十倍から数百倍の電流が流れます。 主に電圧・信号増幅やスイッチング制御などに用いられる製品です。 【ラインアップ(抜粋)】 ■onsemi トランジスタ KSC1815YTA ■Toshiba トランジスタ 2SC2712-Y(F) ■STMicroelectronics トランジスタ TIP31C ■ローム 抵抗内蔵トランジスタ DTC114EKAT146 ■Toshiba 抵抗内蔵トランジスタ RN1102(TE85L,F) ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

SDカードの新規格SDXCとSDHCに使用できる超高速インターフェイス「UHS-II」に対するPHY IPソリューションです。

『OZ3705』は、放電通知機能を搭載し、12bit ADコンバータを内蔵した、 3～5cell用のAFE ICです。 絶対最大定格は40V(VCC,VBAT)、推奨動作電圧は5.5V～23.0V(VCC)と なっております。 当社では、バッテリーマネージメントを多数取り扱っています。 特許取得済みのバッテリーマネージメントユニット(BMU)ICは、 セルバランスアーキテクチャー及び保護メカニズムを提供しており、 高度なレベルの安全性を確保することが出来ます。 【特長】 ■3～5cell向けアナログフロントエンド(AFE)IC ■12bit ADコンバータ内蔵(ADC) ■I2C 通信(up to 400KHz) ■自動低消費モード移行(standbyモード) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

当社は、高速充放電可能な「ハイブリッドタブ（焼結）」をご提案しています。瞬間的に大パワーが放電でき、より大きな駆動系に使用することが可能。また、溶接部（Ni）と通電部（Cu）を一体化しているため全面通電できます。Niタブを使用することによりハイブリッドタブを使用することで2割以上タブ温度の上昇が抑えられます。 【特長】 ■プロジェクションが不要 ■タブが薄く溶接が安定 ■製造設備のコストダウン ■Niが焼鈍されることで電池との密着性が向上 ■焼結により一体化しているため全面通電できる ■組電池（電池パック）の製作時、安定性が向上します。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

GSI社のバーストSRAMは、高速かつ低消費電力・低発熱です。ＦＴ/PLモードピンの制御により、パイプライン/フロースルー出力の選択が可能です。

『SHX』は、高導電性カーボン粒子、低抵抗・高密着バインダーを コーティングした電池用カーボンコートアルミ箔です。 界面抵抗の低減や高速充放電が可能。サイクル特性の向上により 長寿命化に貢献します。 リチウムイオン二次電池や電気二重層キャパシタ用集電体に ご利用いただけます。 【特長】 ■界面抵抗低減 ■高速充放電可能 ■好適バインダー ■サイクル特性の向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ゼクノ・ダイオードは、逆流防止機能だけではなく、電源の２次側整流に使用できる、従来にない画期的な省エネ化制御ICです。

当社が取り扱う『SiC ショットキーバリアダイオード(SBD)』をご紹介します。 当製品の特長である高速逆回復時間(trr)だけでなく、JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用。 スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を実現した 650Vの製品を提供しています。 【特長】 ■高い逆電圧 ■JBS(ジャンクション バリア ショットキー)構造を採用 ■スイッチング電源に要求される低リーク電流(Ir)と高サージ電流を 　実現した650Vの製品を提供 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『IPM IM818-LCC』は、高性能CIPOS Maxiのトランスファーモールドです。 6個のTRENCHSTOP IGBT4を、最適化された1200V 6チャネル SOIゲートドライバと共に集積化することで信頼性の向上、 優れた保護、最適化されたPCBサイズとシステムコストを実現。 全チャネルの低電圧ロックアウト、保護時の全スイッチオフ、 上下短絡防止、過電流保護、温度モニターなどの優れた保護機能を 提供します。 【特長】 ■優れた保護のために堅牢性を強化したゲートドライバ技術 ■高い効率 ■最大80kHzの速いスイッチング速度 ■低電力損失で高速スイッチングアプリケーションに適合 ■設計および製造の簡素化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『CPF233AL』は、3波長のレーザーパワーを制御可能にするために 開発されたフロントモニタ用OEICです。 シリアルインターフェースを搭載しており、4つのゲインモードの 選択（ゲイン粗調）と±4.7dBのゲイン調整（ゲイン微調）が可能です。 COB-8PIN（2.4mm×2mm）パッケージの採用により、 小型、薄型ピックアップに適しています。 【仕様】 ■パッケージ：2.4mm×2mm LCOB-8ピン ■波長対応：405 nm, 650 nm, 780 nm ■周波数特性：160[MHz] ■スタンバイ機能：あり ■内蔵アンプ特性：Tr/Tf：3[ns] ※詳しくは、お問い合わせください。

MB85RS1MTは、3.09 x 2.28 x 0.33mmの小型サイズです。両者を実装面積で比較すると、WL-CSPはSOPの約23%に相当し、約77%の実装面積の削減が可能です。 さらに、本小型パッケージは、クレジットカードの約半分となる0.33mmの薄さを実現しており、実装体積比ではSOPの約95%の体積を削減することができます。 リアルタイムログ・データの記録が頻繁に発生するウェアラブルデバイスへ本FeRAM​を導入することで、バッテリーの寿命延長あるいは小型化することが可能になります。 ■主な仕様 ・製品名： MB85RS1MT ・メモリ容量（構成）： 1Mビット（128K x 8ビット） ・インタフェース： SPI （Serial Peripheral Interface) ・動作電源電圧： 1.8V～3.6V ・書込み/読出し保証回数： 10兆回 ・データ保持特性： 10年（＋85℃） ・パッケージ： 8ピンWL-CSP、8ピンSOP

ファラッドは、HF、高周波GaN/LDMOSパワートランジスタを設計製造するISO9000/ISO14000認証メーカーInnogrationTechnologies（中国）社製品の取扱いを開始しました。 日本及び世界の半導体製造装置、工業用マイクロ波アンプ・ジェネレータ、4G/5G通信等の用途に数多く実績があります。 高効率・高出力を目指し2.45GHz帯390W GaN HEMT、5GHz帯100W GaNドーハティモジュール。各種パッケージに対応。 ※詳しくはPDF資料をダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『StrongIRFET2 パワーMOSFET』は、幅広いアプリケーションに対応する インフィニオンのMOSFET技術です。 低周波および高周波の両方のスイッチング周波数に好適。 当製品は、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な製品を 提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格/性能比 ■高いスイッチング周波数と低いスイッチング周波数に好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

現在、TVやPCのDisplay業界はもちろんのこと、車載やゲーム機に至るまでローカルディミングを使った高精細パネル駆動技術が主流となりつつあります。 特にMini-LEDへのシフトによりさらにLEDバックライト分割数を増やした制御が求められております。LEDドライバーICとしては、低コストと省スペースを実現するため、多チャンネル化が求められており、O2Microではこれらを実現する最先端のMini-LED対応のLEDドライバーのラインナップを取り揃えております。 問い合わせ先： omj@o2micro.com

当社では「GaN基盤」の製造販売を行っております。 GaN(窒化ガリウム)という半導体を使用した基盤。青色発光ダイオードの 材料として世に広まりましたが、絶縁破壊電解強度や熱伝導率の高さが 注目され、近年では先進パワー半導体の材料として応用されています。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【基本仕様(一部)】 ■直径：Φ2"、Φ3"、Φ4"、Φ6" ■GaN膜厚：3μm、3.5μm、4μm、4.5μm、6μm、～100μm特別指定可能 ■結晶方位：C-axis(0001) ■導電タイプ：Un Dope、N-type、P-type ■XRD：(002)≦300arsec、(102)≦400arsec ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。