不純物添加プロセスの均一化とは？課題と対策・製品を解説

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plasma Based Ion Implantation)を使ってカーボンキャップ膜成膜のニーズにもお応え致します。 【掲載内容】 高温イオン注入 キャップ膜成膜 高温アニール処理 ※詳しくはPDFをダウンロードいただくか、お問い合わせください。

当資料では、イオン注入の基礎として、目的、装置、その評価についてイラストにてご紹介しています。 株式会社イオンテクノセンターでは、研究開発のためのサンプル作製から 量産請負まで、半導体の前工程のプロセスの受託サービスを行っています。 イオン注入でお困りでしたら、是非当社にお任せください。 【掲載内容】 ■イオン注入の基礎知識

「パムアペックスミキサ」は、ショベル羽根による浮遊拡散混合と高速回転するチョッパー羽根による高速剪断分散作用で高品質な製品が得られます。 配合割合、比重が大きく異なる粉体の混合に適しています。 機械はお客様ニーズに合わせて1台毎のカスタマイズに対応いたします。 電池業界では正極材、負極材の混合で使用されており特に正極材の連続混合用途で、問合せが増加しています。 バッチ、連続ともに小型の試験機がございますのでテスト対応が可能です。 ※詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードお願いいたします。

NTDシリコン（中性子照射シリコン）は、面内の抵抗率の均一性に優れ、電力用サイリスタ（シリコン制御整流器）として使用され半導体パワーデバイスとして一般産業分野から家電分野まで広く利用されております。 現在、FZシリコンは汚染物質の少なさから、既存のメモリーやDSPなどのICのみならず、MEMSやオプトセンサ分野にも幅広く使用されております。 詳しくはお問い合わせください。