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プラズマエッチングの均一性とは？課題と対策・製品を解説
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ウェーハプロセスにおけるプラズマエッチングの均一性とは？
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真空中でロール搬送による各種処理が行えます。
主に2次 電池の電極の乾燥に適しており、タクト短縮や処理品質の向上に効果があります。もちろん、2次電池以外の高機能フィルムやフレキ材の各種処理にも対応致します。
真空環境で連続均熱乾燥他各種の処理をおこない、搬送速度は最速1000mm／secです。排出ガスをリアルタイムで測定でき、水分量の測定も可能です。
ロールtoロール方式 真空乾燥装置
GasProフィルターは、あらゆるグレードの半導体プロセスガスとCDA（クリーンドライエア）のフィルター用に特別に設計されています。全溶接構造になっており、大流量が必要でスペースが限られているところでも0.003ミクロンのろ過精度を実現しています。
PTFEメンブレンとポリプロピレンで支持されたカートリッジ、そしてSUS316Lの電解研磨された溶接ハウジングで構成されています。清浄度を確保するために、ろ過した窒素でパージされ出荷されます。
様々な接続タイプをご用意しており、容易に取り付けられるようになっています。
GasPro PTFE ガスフィルター TEM-200シリーズ
株式会社アルバックでは、プラズマ負荷に最適な
DC電源「DPG-10/DPG-20」をはじめ、高効率RFアンプの搭載で
小型・軽量化を実現した RF電源「RFS-N シリーズ」など、
成膜装置向け電源を用途に合わせたラインナップで取り揃えております。
【ラインナップ】
■DC電源「DPG-10/DPG-20」
■EB電源「HPS-Nシリーズ」
■RF電源「RFS-Nシリーズ」
詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
成膜装置向け電源（DC・RF・EB） ラインナップ
『NIKOLA3K/5K』は、素早い温度応答性と、±0.05℃の温度安定性で
冷却・加熱が制御できる、フロンガス不使用の高冷却能力ペルチェチラー
です。
半導体 製造工程のプラズマエッチングに最適化されたデザインで、
ウエハー、ロット同士の品質のバラつきが改善できます。
主要エッチャーメーカーの製品に対応！
温度制御部は、7つのペルチェデバイスで構成され、
1個のデバイスに不具合が起きても、約85％の能力を維持したまま稼働します。
【特長】
■消費電力を最大60％削減
■駆動部は、ポンプと冷却ファンだけのシンプル設計
■騒音・振動を低減
プラズマエッチャーチラー NIKOLA3K/5K
『CVD-SiC』は、CVD 法（気相成長法）で製造したバルクSiCです。
高純度、耐食性に優れ、半導体製造装置部品として高い性能を発揮。
長寿命で、SiCコート品におけるピンホール、剥離の問題が発生しません。
また、プロセスによって適したグレードを選択できます。
【特長】
■高純度・優れた耐食性
■長寿命
■低抵抗、高抵抗グレード
■プロセスによって好適なグレードを選択可能
■SiCコート品におけるピンホール、剥離の問題が発生しない
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
機能材料『CVD-SiC』
WETプロセス装置 LCD枚葉エッチング装置は、LCD用基板を水平搬送にて、エッチング・シャワー洗浄、乾燥処理を行います。
株式会社電子技研の洗浄等のスピンをはじめとするWET装置技術は、ウエハ・ガラス基板等をはじめ、プリント基板、金属基板等の洗浄、その他多用途で半導体・LCD業界、医療業界、食品業界他、幅広い業界のニーズに対応できます。
【特徴】
○ディップ、スプレー及び揺動機能方式エッチングにより
均一なプロセスを実現
○エッチング/シャワー洗浄/乾燥等のプロセスを並列処理
○基板傾斜水洗機能による自然落下効果及び置換の高効率化
詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
WETプロセス装置 LCD枚葉エッチング装置
『NIKOLA3K/5K』は、素早い温度応答性と、±0.05℃の温度安定性で
冷却・加熱が制御できる、フロンガス不使用の高冷却能力ペルチェチラー
です。
半導体製造工程のプラズマエッチングに最適化されたデザインで、
ウエハー、ロット同士の品質のバラつきが改善できます。
主要エッチャーメーカーの製品に対応！
温度制御部は、7つのペルチェデバイスで構成され、
1個のデバイスに不具合が起きても、約85％の能力を維持したまま稼働します。
【特長】
■消費電力を最大60％削減
■駆動部は、ポンプと冷却ファンだけのシンプル設計
■騒音・振動を低減
消費電力大幅削減！ペルチェチラー 『NIKOLA3K/5K』
・エッチング、洗浄装置などの装置に合せて設置が可能です。
・酸・アルカリなどのガスを適切に処理します。
・スクラバーで適切に処理することで後工程のダクト、装置への影響がありません。また、室外へ排気された場合でも周辺環境や人体への心配もありません。
※詳しくはPDF（カタログ）をダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせください。
【半導体製造装置向け】排ガス処理装置（スクラバー）
『ThermoRack1201』は、素早い温度応答性と、±0.05℃の温度安定性で
冷却・加熱が制御できる、フロンガス不使用の温度制御チラーです。
半導体製造工程のプラズマエッチングに最適化されたデザインで、
ウエハー、ロット同士の品質のバラつきが改善できます。
温度制御部は、7つのペルチェデバイスで構成され、
1個のデバイスに不具合が起きても、約85％の能力を維持したまま稼働します。
【特長】
■消費電力を最大93％削減
■冷却水使用量を最大60％削減
■駆動部は、ポンプと冷却ファンだけのシンプル設計
■騒音・振動を低減
■19インチラックに収まるサイズで省スペース
プラズマエッチャーチラー『ThermoRack1201』
【対応可能光源】
■超高圧水銀灯（g/h/i-line）対応ARコート
■超高圧水銀灯（g/h/ｉ-line）対応AL増反射ミラー
■365nmHR
■無偏光ビームスプリッター（ハイブリッドタイプ）
■780nmPBS
※詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
【用途別事例】半導体製造装置用光学部品
不活性ガス(窒素・アルゴン・ヘリウム・ネオン・キセノン・クリプトン)中の
各種不純物（O2,CO2,H2O,CO）を1ppb以下へ純化します。流量範囲は〜300NL/minです。
0.003µmパーティクルフィルタ標準装備。再生することにより繰り返し使用可能です。
不活性ガス純度向上:ガス精製器（アルゴン、窒素、ヘリウムなど）
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ウェーハプロセスにおけるプラズマエッチングの均一性
ウェーハプロセスにおけるプラズマエッチングの均一性とは？
パワーデバイスやパワーモジュール製造におけるウェーハプロセスでは、微細な回路パターンを形成するためにプラズマエッチングが不可欠です。プラズマエッチングの均一性とは、ウェーハ全体でエッチングレートやエッチング深さが一定であることを指します。この均一性が低いと、デバイスの性能ばらつきや歩留まり低下の原因となります。
課題
ウェーハ面内でのエッチングレートのばらつき
プラズマの密度や温度の不均一、ガスフローの偏りなどにより、ウェーハの中心部と周辺部でエッチングされる量が異なってしまう。
エッチングプロファイルのばらつき
エッチングされるパターンの側面形状（テーパー角など）がウェーハ面内で一定にならず、デバイス特性に影響を与える。
残渣やオーバーエッチの発生
エッチングが不均一な箇所で、不要な材料が残ったり、意図しない箇所までエッチングが進んでしまうことがある。
プロセス再現性の低下
エッチングの均一性が不安定だと、バッチごとのばらつきが大きくなり、安定した生産が困難になる。
対策
プラズマ発生源の最適化
高周波電源やアンテナ構造の改良により、プラズマの密度と均一性を向上させる。
ガス供給・排気システムの制御
ウェーハ面全体に均一なガスフローを供給し、反応生成物を効率的に排気することで、エッチング環境を均一化する。
プロセスパラメータの精密制御
温度、圧力、ガス流量、RFパワーなどのパラメータをリアルタイムでモニタリングし、最適値にフィードバック制御する。
シミュレーションと実測による検証
プロセスシミュレーションで均一性を予測し、実測データと照合しながら最適な条件を見つけ出す。
対策に役立つ製品例
高均一性プラズマ発生装置
独自のプラズマ発生技術により、ウェーハ面全体に均一なプラズマを供給し、エッチングレートのばらつきを抑制する。
精密ガスフロー制御システム
多点同時制御により、ウェーハ面へのガス供給を均一化し、エッチングプロファイルの安定化に貢献する。
プロセスモニタリング＆制御ソフトウェア
リアルタイムでプロセス状態を把握し、自動でパラメータを調整することで、高い再現性と均一性を実現する。
ウェーハ面内均一性評価サービス
高度な計測技術を用いてウェーハ面内のエッチング均一性を詳細に評価し、改善点の特定と対策提案を行う。
