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広帯域半導体への対応とは?課題と対策・製品を解説

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ウェーハのダイシングにおける広帯域半導体への対応とは?
広帯域半導体は、従来の半導体と比較して高い周波数帯域で動作する特性を持ちます。この特性を活かすためには、ウェーハを個々のチップに分割するダイシング工程において、従来の技術では対応が難しい課題が生じます。本説明では、これらの課題と、それらを克服するための対策、そして解決に貢献する商材について解説します。
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当社の『パターニング加工』では、8,12インチデバイスライン、MEMS
デバイスライン、6インチ以下デバイス試作ラインにて各プロセスの加工を
アシストする受託ファンドリーサービスを行っています。
半導体素子、MEMS構造、めっき、エッチング(Deep-RIE、Dry&Wet)用の
レジストパターニングの手法としてアライナー、ステッパー、EBでの
露光・現像が可能です。
また、ポジ型、ネガ型、ドライフィルム、薄膜、厚膜用各種レジストを
所有し、ポリイミドのパターニングも可能です。
【代表的な加工プロセス】
■スパッタ
■蒸着
■CVD
■CMP研磨
■Deep-RIE&ICP など
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい

