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広帯域半導体への対応とは?課題と対策・製品を解説

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ウェーハのダイシングにおける広帯域半導体への対応とは?
広帯域半導体は、従来の半導体 と比較して高い周波数帯域で動作する特性を持ちます。この特性を活かすためには、ウェーハを個々のチップに分割するダイシング工程において、従来の技術では対応が難しい課題が生じます。本説明では、これらの課題と、それらを克服するための対策、そして解決に貢献する商材について解説します。
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化合物半導体用の研磨材、エッチング材『INSEC』
『INSEC』は、化合物半導体結晶をメカノケミカル加工によって
精度よく鏡面に仕上げるポリシング材です。
種類も豊富で、GaAsウェーファー用の「FP(一次用ポリシング材)」、
「NIB(ファイナル用ポリシング材)」、GaPウェーファー用の
「P(ファイナル用ポリシング材)」などをラインアップ。
この他に、GaAsウェーファーの精密ポリシング専用ポリシング材「SP」や、
InPウェファー用の「IPP(一次用ポリシン グ材)」もご用意しています。
また、GaAsおよびGaPのLED関係のエッチング材としても有効です。
いずれも顆粒状になっており、使用直前に溶かします。
【特長】
■精度よく鏡面に仕上げるポリシング材
■豊富な種類
■GaAsおよびGaPのLED関係のエッチング材としても有効
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
MEMS気圧センサ(防水タイプ)『HSPPAD143C』
ICPメタルエッチング装置
『ICPメタルエッチング装置』は、先端薄膜プロセスに対応した
金属膜対応の高密度プラズマエッチング装置です。
半導体、MEMSなどの汎用デバイスだけでなく露光用マスクや金属基板の
表面処理などの特殊プロセスにも積極対応いたします。
独自のチャンバ内構造により抵パーティクルのメタルエッチング
(nmレベル)を実現しており、高い歩留りと稼働率が特長です。
【特長】
■nmレベルのメタル膜の精密エッチング
■独自機構による抵パーティクルプロセス
■メタル膜、化合物半導体基板など幅広い用途へのプロセス対応
■ナノインプリントモールド用「SERIO」の基本構成を生かした
高いハードの信頼性
■ウェハだけでなく特殊材質、形状基板への 積極対応
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。



