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チッピング・クラックの防止とは?課題と対策・製品を解説

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ウェーハのダイシングにおけるチッピング・クラックの防止とは?
半導体・センサ・パッケージング業界において、ウェーハのダイシング工程は、一枚のウェーハから個々のチップを分離する不可欠なプロセスです。この工程で発生するチッピング(欠け)やクラック(ひび割れ)は、チップの性能低下や歩留まりの悪化に直結するため、その防止は製品の信頼性とコスト競争力を維持する上で極めて重要となります。
各社の製品
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【ダイシング前工程向け】ウエハ搬送ロボット【Eシリーズ】
【半導体製造装置向け】金属・樹脂加工部品
【半導体の組立加工受託】LEDチップ ソート
LED用エッチング剤(日米特許取得)
【資料】SPH法による噴霧とエッチング解析
バルクエッチング装置『BEM-301』
レジスト剥離促進剤『アンラスト F』
割断のプロセス
『エッチング装置、洗浄装置』
研磨後洗浄装置
ガラス基板のケミカルエッチング加工サービス
エッチング実験装置『ミニミニエッチャー 縦型・左右スプレー』
ICPプラズマエッチング装置『SERIO』
『SERIO』は、Si深掘り、石英の垂直加工、有機膜のエッチングなど
幅広い用途に対応する高密度プラズマエッチング装置です。
実績豊富なICPプラズマ電極を搭載し、平滑なエッチング面と高い
加工精度を実現。スキャロップの無い平滑なエッチングが可能で、
ナノインプリントモールドの作成に適しています。
平滑なエッチング側面、加工面の垂直性、開口部の角度制御などナノイン
プリントモールドに必要な多くのプロセス性能を備えています。
【特長】
■スキャロップの無い平滑なエッチング側面
■高いSi深掘り時の垂直性(90°±2°)
■エッチングテーパー角の制御性
■高開口度エッチングに対応
■デモ機を常設
■サンプルテストに対応
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
エミネント式現像エッチング剥離ライン












