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サブサーフェスダメージの軽減とは?課題と対策・製品を解説
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ウェーハのダイシングにおけるサブサーフェスダメージの軽減とは?
各社の製品
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一度にダウンロードできるカタログは20件までです。
当社は、超薄化のための『ウエハサポートサービス』を展開しており、
研磨・研削・洗浄の一貫加工とMEMS加工を強みとしております。
薄化したウエハはサポートした状態で、お客様のプロセスに流すことが可能。
また、ダイシングテープにウエハを貼った状態で出荷します。
【熱&薬品耐性】
■耐熱:220℃×2H×3回
■耐薬品
・酸:塩酸過水 3H
・アルカリ:2.38% 3H
※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お問い合わせください。
ウエハサポートサービス
成膜した薄膜をエッチング加工・リフトオフ・マスク加工・精密スクリーン印刷法等の手法を用いて 複雑かつ微細なパターンの製作を致します。
ガラス・金属・セラミック・シリコン・樹脂(ペットフィルム、アクリル、ポリミド)など多品種の基板に対応可能です。
エッチング
丸山工業所の『エッチング技術』についてご紹介します。
当社では、2003年のエッチング研究以来、高い技術で先進情報機器産業の
需要に応えるさまざま なガラスパネルを提案しています。
また、加工設備は従来のラインの発想を取り払い、オリジナルの産業用
ロボットを導入。ロボットのアーム動作で製品を各槽に浸漬させることで
処理工程の自動化、効率化が可能となっています。
【技術概要】
■FPDエッチング
■掘込み加工技術
■カバーガラス加工技術
■AG(アンチグレア)加工技術
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
エッチング技術
当社では、耐HF性能を持つ液体レジストを有する為
ガラスを酸で溶かして、様々な形状に加工可能な
ガラス基板のケミカルエッチング加工を行っております。
仕上り面は滑らかで機械加工で発生する「マイクロクラック」等の
欠陥は発生し難く、高い強度が得られます。
【特長】
■ガラスに対してダメージが少ない
■狭いエリア及び薄いガラスの加工が可能
※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせください。
ガラス基板のケミカルエッチング加工サービス
○発刊日2008年07月30日○体裁B5判上製本 223頁○価格:本体 55,000円 →STbook会員価格:52,190円+税○著者:松本 克才 八戸工業高等専門学校 /
高井 健次 日立化成工業(株) /
多田 修 平井精密工業(株) /
石川 典夫 関東化学(株) /
式田 光宏 名古屋大学 /
篠田 和典 (株)日立製作所 /
渡慶次 学 名古屋大学 /
菊谷 善国 マイクロ化学技研(株) /
小国 隆志 東レエンジニアリング(株) /
石井原 耕一 東洋クロス(株) /
山村 和也 大阪大学 /
竹中 敦義 旭硝子(株) /
青山 哲男 林純薬工業(株) /
猪原 康正 (株)石井表記 /
板谷 謹悟 東北大学 /
八尾 秀樹 住友電気工業(株) /
鍛示 和利 (株)日立製作所
書籍【ウェットエッチングのメカニズムと処理パラメータの最適化】
当社の『パターニング加工』では、8,12インチデバイスライン、MEMS
デバイスライン、6インチ以下デバイス試作ラインにて各プロセスの加工を
アシストする受託ファンドリーサービスを行っています。
半導体素子、MEMS構造、めっき、エッチング(Deep-RIE、Dry&Wet)用の
レジストパターニングの手法としてアライナー、ステッパー、EBでの
露光・現像が可能です。
また、ポジ型、ネガ型、ドライフィルム、薄膜、厚膜用各種レジストを
所有し、ポリイミドのパターニングも可能です。
【代表的な加工プロセス】
■スパッタ
■蒸着
■CVD
■CMP研磨
■Deep-RIE&ICP など
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい
パターニング加工
株式会社アイテスでは、ベアウェハやその加工にかかわるお客様の
さまざまな課題を解決するお手伝いをしています。
ますます多様化する半導体ニーズに、ウェハ、成膜加工、再生加工
など前工程の分野で、専門性と優れた対応力でお応えいたします。
また、シリコン、微細電鋳のMEMS試作加工受託を開始しました。
【サービス内容(一部)】
■ウェハ成膜加工
■ウェハパターニング加工
■ウェハ再生加工
■ベアウェハの販売
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ウェハー加工サービス
『ミニミニエッチャー』は、小型基板の製作および薬液の実験・開発に適した
装置です。
左右の薬液噴射ノズルが首振り動作する「縦型・左右スプレー」をはじめ、
「横型・上下スプレー」や「水平揺動型・上下スプレー」などをラインアップ。
少量の薬液でのエッチングが可能で、数枚単位の基板製作に対応出来、
また、薬液の交換も容易で、省スペースにて設計されています。
【特長】
■小型基板の製作および薬液の実験・開発に好適
■少量の薬液でのエッチングが可能
■数枚単位の基板製作に対応
■薬液の交換も容易
■省スペース設計
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
エッチング実験装置『ミニミニエッチャー』
シンコーの薄膜微細加工『MEMS技術』についてご紹介いたします。
SiO2薄膜(厚さ0.5~5.0µm)を矩形形状に加工。形状設計のご協力を
させていただきます。
線幅値や形状アスペクト比について、お問い合わせ下さい。
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
薄膜微細加工『MEMS技術』
河合光学株式会社では、主にガラス基板上に蒸着した、金属膜や誘電体
多層膜のエッチング加工を行っております。
基板寸法は最大200mm×200mm、最小線幅は10μとなっております。
また、ご希望のエッチング箇所によっては、上記以外のサイズにおいても
エッチング可能となる場合がありますので、お気軽にお問合せ下さい。
【特長】
■金属膜・誘電体多層膜に対応
■ご希望の材質・寸法についても対応可能
※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
河合光学株式会社 エッチング加工のご案内
当社では、銅圧みの薄膜化や銅表面の凸凹平坦化を目的とした
『銅圧調整用エンチングプロセス』をご提案しております。
フィリングめっき品のエッチング処理時に発生する孔状腐食(エッチング
ピット)を抑制。
また、過酸化水素/硫酸系エッチング装置に適応します。
【特長】
■銅圧調整に最適なエッチング速度(3~7μm/min)
■過酸化水素/硫酸系エッチング装置に適応
■枚数カウンターを用いた定量補給により稼働浴成分濃度を安定管理
※詳しく はPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SAP・MSAP・エニーレイヤー工程における JCU提案プロセス
『SERIO』は、Si深掘り、石英の垂直加工、有機膜のエッチングなど
幅広い用途に対応する高密度プラズマエッチング装置です。
実績豊富なICPプラズマ電極を搭載し、平滑なエッチング面と高い
加工精度を実現。スキャ ロップの無い平滑なエッチングが可能で、
ナノインプリントモールドの作成に適しています。
平滑なエッチング側面、加工面の垂直性、開口部の角度制御などナノイン
プリントモールドに必要な多くのプロセス性能を備えています。
【特長】
■スキャロップの無い平滑なエッチング側面
■高いSi深掘り時の垂直性(90°±2°)
■エッチングテーパー角の制御性
■高開口度エッチングに対応
■デモ機を常設
■サンプルテストに対応
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ICPプラズマエッチング装置『SERIO』
東京化工機の『エミネント式現像エッチング剥離ライン』は、
均一性90%以上のエッチング精度を誇る、エッチング剥離ラインです。
標準偏差、上下1.1μmを実現。
銅箔/コア/銅箔:3/40/3μmの安定搬送。
特許取得の左右交互斜めシャワーにより、エッチングの均一性を
実現しました。
【特長】
■進化したエッチング精度、均一性90%以上
■標準偏差、上下1.1μmを実現
■銅箔/コア/銅箔:3/40/3μmの安定搬送。
■CSP基板L/S:30/30μmの量産対応を実現
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
エミネント式現像エッチング剥離ライン
当社では、ウェハの洗浄からエッチング、剥離、検査まで
MEMS生産における各プロセスで活躍する装置を取り揃えています。
今回、「MEMSセンシング&ネットワークシステム展 2020」にて
お立ち寄りいただいた方からの反響の大きかった製品をピックアップ。
プロセスの効率化につながる装置を紹介します。
【出展製品(一部)】
<圧電MEMS向け プラズマポーリング(分極処理)装置>
均一性に優れ、最大90%と高い極性効果を発揮
<圧電材料/磁性材料対応 イオンミリング装置>
φ100mmのウェハ6枚を同時に処理が可能な機種も用意
<高出力・短パルス制御 光焼成装置>
照射光をμ秒で制御でき、下地にダメージレスで瞬間的に加熱
『MEMSセンシング&ネットワークデバイス向け装置ラインアップ』
『TP-50B』は、電波法による設置許可申請も不要の50W型で、操作も簡単、
気軽にプラズマ加工が行える卓上プラズマエッチング装置です。
独自のスポットプラズマ技術で局所加工が可能で、半導体故障解析用試料の
前処理(配線の露出)から、各種プラズマ加工に幅広く対応致します。
また小型のため、スペースの限られた研究室で活躍します。
【特長】
■卓上サイズでコンパクト
■局所的なプラズマ加工が可能(Φ0.5mm~)
■低残渣かつ高速加工を実現(10μm/mim)
■低出力のRF電源(最大出力50W未満)
■試料をステージで移動させた広範囲の加工が可能
※詳しくはPDFをダウンロードいただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
卓上プラズマエッチング装置『TP-50B』
本製品の特長は以下のとおりです。
・ 所望のテーパー形状(テーパー角)を形成します。
・ Al、Al合金膜を良好にエッチングします。
・ エッチング速度とエッチング形状の面内均一性が良好です。
キーワード:ウェットエッチング、アルミニウム
Alテーパーコントロールエッチング液
D&X株式会社では、『バックグラインドテープ』を取り扱っています。
紫外線照射により粘着力が低下することで、ウェハにストレスを
与えずにテープ剥離が行えるUV型、および微粘着剥離のNon-UV型の
2種類のバックグラインド工程用保護テープをご用意。
ご要望に応じた仕様変更、新タイプの開発も致しております。
少量からの試作にも対応しており、お問い合わせにてお引き合いください。
【特長】
■浸水を防ぐ高い密着性
■糊残りがなく、被着体の汚染を防ぐ
■研削加工に対する高平坦度性
■凹凸に追従
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
バックグラインドテープ
『MS-3030LWE』は、局所的な液相エッチング領域を速度制御走査する
ことにより任意な形状創成を行うことができる数値制御ローカルウェット
エッチング装置です。
非接触な化学的無歪加工法なので、振動などの外乱に対して鈍感。
加工量は、エッチャントの滞在時間及と温度によってナノメータオーダーの
加工精度で正確に制御でき、任意形状を創成できます。
【特長】
■非接触加工
■化学的無歪加工
■ナノメータオーダーの加工精度
■5軸NC制御により任意形状創成
※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
エッチング装置『MS-3030LWE』
ウェハーレベルCSPや精密電子部品をはじめとするあらゆる分野でのウエットエッチング剤です。各種機能を有したエッチング剤、ソフトエッチング剤、ハーフエッチング剤なども取りそろえています。銅再配線工程や素子電極形成等に各種金属膜のエッチング液を提供しています。詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
回路形成材料 電子部品、ウェハーレベルパッケージ工程エッチング液
『VECTOR HTS-3』は、シリコンウェーハのラップ用に開発された分散剤です。
高い生物分解性と粘性をもち、アルミナと純水を混合することにより
適度の粘性のラッピングスラリーが得られます。
物理的・化学的特性の変化が無く、1週間以上の高い分散性が
保持されます。
【特長】
■ラッピングスラリー用
■高い生物分解性
■高い粘性
■物理的・化学的特性の変化なし
■ウェーハ平坦性
■ウェーハダメージ低減
※詳し くはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
サスペンション添加剤『VECTOR HTS-3』
大村技研の『フォトリソグラフィープロセス装置』は、薄膜電子部品工程
における一連のプロセスを高精度高信頼性で提供するシステムです。
洗浄・コーター・現像・剥離・エッチングなどの生産設備および
研究開発向けの設備を提供します。
「全自動スピンエッチング装置」は、ウエハを1枚ずつ取り出し、
自転させながら薬液を吹き付け、エッチングから乾燥までを
自動処理する装置です。
【特長】
■薄膜電子部品工程の一連のプロセスを提供
■様々な装置で対応
■全自動スピンエッチング装置もラインアップ
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
薄膜電子部品工程『フォトリソグラフィープロセス装置』
温度管理、廃液選択と様々な機能を付加可能(写真はテフロン+PVCボディー)
===============================================
<仕 様>
ワークサイズ…Φ2インチ〜Φ8インチ
エッチング液…酸、アルカリタイプ
オプション…廃液選択2〜4液、薬液用ノズル等
電源…AC100v or 200v
CDA…0.5MPA.以上
DIW.…0.2MPA.以上
その他
多目的処理装置(スピンエッチャー)
『INSEC』は、化合物半導体結晶をメカノケミカル加工によって
精度よく鏡面に仕上げるポリシング材です。
種類も豊富で、GaAsウェーファー用の「FP(一次用ポリシング材)」、
「NIB(ファイナル用ポリシング材)」、GaPウェーファー用の
「P(ファイナル用ポリシング材)」などをラインアップ。
この他に、GaAsウェーファーの精密ポリシング専用ポリシング材「SP」や、
InPウェファー用の「IPP(一次用ポリシング材)」もご用意しています。
また、GaAsおよびGaPのLED関係のエッチング材としても有効です。
いずれも顆粒状になっており、使用直前に溶かします。
【特長】
■精度よく鏡面に仕上げるポリシング材
■豊富な種類
■GaAsおよびGaPのLED関係のエッチング材としても有効
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
化合物半導体用の研磨材、エッチング材『INSEC』
当社では、ガラス基板洗浄機等の、研磨後洗浄装置を取り扱っております。
強いブラシ圧でも搬送するハイグリップローラーや、コンプレッサエアーに
くらべ、格段の省エネのブロアエアナイフなどを装備。
また、研磨後洗浄には必須な高圧水洗機能もございます。
【特長】
■ハイグリップローラー:強いブラシ圧でも搬送
■ブロアエアナイフ:コンプレッサエアーにくらべ、格段の省エネ
■帯電対策ローラーコンベア:搬送跡、裏写りを防止
■高圧水洗:研磨後洗浄には必須
■高精度ロールブラシ:ダイレクト・ドライブにて、精度の高いブラシ洗浄を実施
※詳細については、お気軽にお問い合わせください。
研磨後洗浄装置
当資料は、SPH法による噴霧とエッチング解析について
ご紹介しています。
最初に、エッチング液の首振り噴霧をシミュレーションします。
次に、エッチング液が銅板に噴霧された後、エ ッチング液と銅の
イオン化反応により、銅板の削られる現象を解析します。
ぜひご一読ください。
【掲載内容】
■噴霧とエッチング解析の概要
■エッチング・モデル
■銅板の腐食の進展状況
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【資料】SPH法による噴霧とエッチング解析
薄膜の成膜技術は、半導体や太陽電池を始 め、金型の離型膜など幅広い用途に用いられています。少量試作から量産まで、豊富なノウハウと充実したサービス体制により、お客様の御要望に応じた薄膜加工・成膜が可能です。カタログよりターゲット在庫早見表をごらんいただけます。
スパッタリング・成膜・エッチング・受託加工
LCD 製造における配向膜形成工程のラビング装置をご紹介します。
近年盛り上がりを見せるe-sports 用のゲーミングモニターに特化した、
高速リフレッシュレート、高速応答速度を実現するLCD パネルの生産に
不可欠な装置として、再び脚光を浴びています。
【特長】
■LCD 製造における配向膜形成工程に使用
■e-sports 用のゲーミングモニターに特化
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速応答LCD製造 ラビング装置
『シリコンエッチング』は、シリコン基板そのものを腐食させ、立体
構造を形成する加工技術です。
シリコンの腐食には、一定方向に進むもの(異方性)と、全方向に進む
もの(等方性)とがあります。
異方性エッチングを行う場合、基板には単結晶のシリコンを使用し、
エッチング液にはKOH水溶液などを用います。
単結晶のシリコンウエハは、結晶方向によって種類分けされていて、
これを選ぶことで、溝加工の種類を選択することができます。
また、エッチング液の種類によって、等方性エッチングもできます。
【特長】
■シリコン基板そのものを腐食させ、立体構造を形成
■結晶方向の種類を選ぶことで溝加工の種類を選択可能
■エッチング液の種類によって、等方性エッチングも可能
※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『シリコンエッチング』加工技術紹介
『SPM-300シリーズ』は、微少流量での成膜に適した
成膜コーターです。
塗布材料の塗着効率が高く、従来スプレー方式と比較し
1/2に削減、スピン方式と比較すると1/30以下に削減可能です。
常圧環境で塗布成膜するため、真空環境の設備が不要で
高価な真空設備コストを大幅に削減します。
粒径の大きな固形物が混合されている材料が使用可能。
排気、廃液処理が従来システムに比べ最小システムで対応できます。
弱酸性、弱アルカリ性、各種有機溶剤の使用が可能です。
【特長】
■塗布材料の塗着効率が高い
■常圧環境で塗布成膜するため、真空環境の設備が不要
■粒径の大きな固形物が混合されている材料の使用可能
■排気、廃液処理が従来システムに比べ最小システムで対応可能
■弱酸性、弱アルカリ性、各種有機溶剤の使用可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
成膜コーター『SPM-300シリーズ』
『ミニミニエッチャー 縦型・左右スプレー』は、本体の材質に
PVCを使用し、酸やアルカリに耐性があるエッチング実験装置です。
左右の薬液噴射ノズルが首振り動作し、大型のエッチング装置
同様の結果が得られます。
温度の自動制御・スプレー時間制御タイマー付きのため、
多用途にご使用いただけます。
【特長】
■大型のエッチング装置同様の結果が得られる
■温度の自動制御・スプレー時間制御タイマー付き
■本体の材質にPVC(ポリ塩化ビニール)を使用
■酸やアルカリに耐性あり
■エッチング液・レジスト・剥離液などの実験や試験に使用可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
エッチング実験装置『ミニミニエッチャー 縦型・左右スプレー』
バックグラインドテープは、ウェハーの裏面研削(バックグラインド)時に回路面を外的異物による傷、チッピング・クラック(割れ)やコンタミネーションなど の汚染から保護するために使用されます。
・回路面等凹凸ウエハーに対する優れた密着性
・優れた易剥離性
バックグラインドテープ
超臨界処理は、MEMSのような、ウエットエッチ等で加工された三次元構造が非常に微細・脆弱で、自然乾燥、IPA乾燥では液体界面に発生する表面張力によって変形、破壊される構造物を気中に取り出す工法です。
密閉されたチャンバー内でウエハ等をIPA等の液浸状態から超臨界CO2を注入し、IPA界面の表面張力がない状態のまま、IPAを排出してダメージレスで乾燥させます。
レクザム 超臨界流体CO2応用装置
新潟精密株式会社のダイシング工程の技術をご紹介します。
ダイシング工程では、純水を使って基板、ウェハを切断する
湿式ダイシングと、純水を使わず基板を切断する乾式ダイシングに
対応可能です。
【対応ダイシング】
■湿式ダイシング(基板)
■湿式ダイシング(ウェハ)
■乾式ダイシング(基板)
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【技術紹介】ダイシング工程
薄板型研磨機はセラミックバフ、不織布、BRISTLE BRUSHが使用できます。
回路、印刷、鍍金前処理とBuil-up工法のHole plugging除去、Resin除去、
Deburring、鍍銅後表面処理に多く使っています。
(厚さ60μm使用中, 40μmテスト中)
各種サンプル及び量産工程に最適の装置です。
また、高多層研磨機をはじめ薄板研磨機やSUS板研磨機なども
ご用意しています。
【使用工程(実績)】
■D/F Pretreatment
■DEBURRING
詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
研磨装置、エッチングライン
『ITO-07N』 は、FPD製造プロセスにおけるアモルファスITO、IZO 等の高精細パターニングが可能な透明導電薄膜エッチング液です。
【特徴】
■アモルファス ITO、IZO 等のパターニングに最適
■サイドエッチングが少なく、高精細なパターンニングが可能
■低発泡性で、破泡性に優れる
※詳細は弊社HP又は資料請求して頂くかダウンロードからPDFデータをご覧下さい
透明導電膜エッチング液(アモルファス向け)『ITO-07N』
アシストナビでは『Wafer Level 各種めっき受託加工サービス』を承っております。
「再配線形成・BUMP加工」「TSV(through-slicon via)加工」
「無電解めっき(UBMメッキ)」などの加工は当社へお任せください。
【再配線形成・BUMP加工】
<主な加工サービス>
■Cuめっき再配線加工(Line&Space 10μm/10μm)
■BUMP加工:Cu、Ni、Au、半田 (Sn-Ag. Sn-Ag-Cu)低融点半田 等
■N電鋳
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『Wafer Level 各種めっき受託加工サービス』
■エッチングや洗浄プロセスに最適です。
■薬液処理はスピン方式で、リンス乾燥はコンベアー方式
■W-レーンで更なる高スループット対応した実績有り。
■エッチング時の危険な腐食性ガス対策
◎スピンチャンバー部に前後シャッターやローラーを具備
■薬液の温調循環 再利用機能や排水の濃厚/希薄分離機能を有します。
■リンス時のスィングスプレー機能も搭載可能
■リンス水飛沫の再付着防止を考慮した上下エアーナイフ乾燥
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ウエハ、枚葉式洗浄装置、塗布・現象装置、基板洗浄装置、スピン洗浄装置、半導体製造装置、半導体、レジスト剥離装置、メガソニック、洗浄装置、レジスト、フォトレジスト、フォトリソ工程、シリコン、スクラブ洗浄装置、スクラブ洗浄、ウエハ剥離装置、ウエハ洗浄装置、ウエハ洗浄機
スピン&コンベア処理装置 (エッチング・洗浄・剥離)
フォトファブリケーションを中心的技術として、
マイクロエレクトロニクス製品や光学製品をはじめとする様々な分野での
試作・開発に貢献するフォトプレシジョン社
『シリコンエッチング』のご案内です。
シリコン基板そのものを腐食させ、立体構造を形成する技術
■□■特徴■□■
■シリコンの結晶方向を利用して、溝壁面が平らな
溝加工ができる(異方性エッチング)。
V型の溝と、角型の溝を形成することができる。
■エッチング液の種類によって溝壁面にRがつく、
等方性エッチングも可能。
■□■加工種類■□■
■V溝加工
・基板表面が<100>のシリコン材を用いると
V型の溝を形成する
・斜面の角度は常に同じ(54.7°)
■角溝加工
・基板表面が<110>のシリコン材を用いると、
角型の溝が形成させる
・結晶構造により、溝の向きは側面に対し54.7°に傾く
■等方性
・全方向に等しくエッチングが進む
■その他詳細については、カタログダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。
シリコンエッチング
『バックグラインドテープ』は、ウエハ裏面の研削時に回路面を保護できる
テープです。
洗浄工程を必要としない粘着剤設計をコンセプトに、低パーティクル性や
安定した研削性を兼ね備えています。
粘着力の経時変化が小さく、はく離性が安定しています。
【特長】
■ウエハ回路面の凹凸に対する優れた密着性
■バックグラインド時の安定した研削性(低TTV)
■安定した低パーティクル特性を実現する事で、洗浄工程が不要
■ 粘着力の経時変化が小さく、はく離性が安定
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
バックグラインドテープ
3D実装TSV加工技術 (MEMS)のご紹介です。MEMSとはマイクロメーターサイズの機械要素部品、センサー、アクチュエーター、電子回路、コントローラーを集積した微小電気機械システムの総称です。半導体プロセスを応用したマイクロマシニング技術により製造されます。二次元形状の形成には主として従来の半導体製造プロセスが用い られますが、三次元形状は犠牲層エッチングや自己形成などの手法が用いられます。インクジェットプリンターのヘッド、DMDプロジェクター、圧力センサー、加速度センサー、RFコンポーネントなどが実用化されたおり、自動車、飛行機、バイオ、医療、情報通信、ロボットなど広い分野への応用が始まっています。詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをダウンロードしてください。
3D実装TSV加工技術 (MEMS)
本製品の特長は 以下のとおりです。
・ 平滑なエッチング面の形成が可能です。
・ デバイス表面の金属開口率に依存せずエッチングが可能です。
・ エッチング液の劣化が少ないです。
・ 前処理液として、Pure Etch ZE series( Alダメージレス絶縁膜エッチング液)の使用を推奨します。
キーワード:ウェットエッチング、シリコン異方性エッチング
AlダメージレスSiエッチング液(異方性)
『混酸Alエッチング液』は、ガラスやSi 基板を侵すことなく、微細加工が可能なAl用エッチング液です。
Mo、Mo合金エッチング液としてもご使用いただけます。
【特徴】
■希釈、調合不要であり、そのまま使用可能
■ 毒劇物、危険物、PRTR 規制対象物質に非該当
■ ガラス、Si 基板等へのダメージがない
■ エッチング形状の面内均一性が良好
■ エッチング残渣がない
■ Al エッチングレート 約1,000Å/min.(30℃)
アルミエッチング液『混酸Alエッチング液』
各パラメータを自由に変更し、自在な形状成形が可能
【特徴】
○金属元素の含有量が少なく、被研磨物への影響が殆どありません。
○スクラッチ不良発生率が非常に低く、また耐摩耗性に優れて、長時間の連続使用が可能です。
・詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください
ラッピング・ポリッシングキャリアの製造・販売 樹脂キャリア
液晶ガラスやタッチパネルなどに用いられる枚葉基盤を処理する装置です
【特長】
■対応ワーク 100mm角~1000mm角まで対応可能(他のサイズ、形状は別途相談)
■揺動機構(水平揺動・スプレーノズル首振り)を付けることにより、処理効率を向上させます
■カセットtoカセット対応も可能
※詳しくはPDF(カタログ)をダウンロード頂くか、お気軽にお問い合わせください
コンベア式エッチング装置
Siやカーボン膜の受託エッチング!
その他、半導体集積回路など微細回路を作製など様々な用途に
お使い頂けます♪
一週間~レンタル可能で研究開発をスピーディーにサポート致します!
初回条件出しやデモ処理は無償対応。
プラズマエッチャー【RIE.S-200A】レンタル始めました~♪

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ウェーハのダイシングにおけるサブサーフェスダメージの軽減
ウェーハのダイシングにおけるサブサーフェスダメージの軽減とは?
半導体製造プロセスにおいて、ウェーハを個々のチップに分割するダイシング工程は不可欠です。しかし、この工程で発生するウェーハ裏面(サブサーフェス)へのダメージは、チップの性能低下や歩留まり悪化の主要因となります。サブサーフェスダメージを軽減することは、高信頼性・高性能な半導体デバイスの実現に直結します。
課題
微細な亀裂の発生
ダイシング時の物理的な応力により、ウェーハ裏面に微細な亀裂が発生し、これが伝播してチップの破損につながる可能性があります。
層間剥離の誘発
ウェーハの積層構造において、ダイシング時の衝撃が層間の接着力を低下させ、剥離を引き起こすことがあります。
材料の飛散と汚染
ダイシング時に発生する微細なパーティクルがウェーハ表面や周辺に付着し、後工程での歩留まり低下や信頼性問題を引き起こします。
加工精度のばらつき
ダイシング刃の摩耗や加工条件の不均一性により、サブサーフェスダメージの度合いにばらつきが生じ、製品品質の安定性を損ないます。
対策
低ダメージ加工技術の導入
レーザーやプラズマを用いた非接触型の加工方法や、超音波アシストダイシングなど、物理的応力を低減する技術を適用します。
加工条件の最適化
ダイシング刃の材質選定、回転数、送り速度、冷却方法などを精密に制御し、ダメージ発生を最小限に抑えます。
保護層の適用
ダイシング前にウェーハ裏面に保護層を形成することで、物理的な衝撃からウェーハを保護し、ダメージを軽減します。
高度な検査・評価手法の活用
非破壊検査技術や顕微鏡観察により、サブサーフェスダメージを早期に検出し、加工プロセスの改善にフィードバックします。
対策に役立つ製品例
精密レーザー加工装置
非接触で高精度な加工が可能であり、物理的な応力を極めて低く抑えることで、サブサーフェスダメージを大幅に軽減します。
特殊コーティング剤
ウェーハ裏面に均一な保護層を形成し、ダイシング時の衝撃や応力を吸収・分散させることで、亀裂や剥離の発生を防ぎます。
高精度ダイシングブレード
微細なダイヤモンド粒子を高密度に配置した刃は、切れ味が良く、加工時の抵抗を低減し、サブサーフェスへのダメージを最小限に抑えます。
インライン検査システム
ダイシング直後にウェーハ裏面の状態をリアルタイムで画像解析し、ダメージの有無や程度を自動で判定することで、迅速なプロセス改善を可能にします。













































