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サブサーフェスダメージの軽減とは?課題と対策・製品を解説

ウェーハのダイシングにおけるサブサーフェスダメージの軽減とは?
半導体製造プロセスにおいて、ウェーハを個々のチップに分割するダイシング工程は不可欠です。しかし、この工程で発生するウェーハ裏面(サブサーフェス)へのダメージは、チップの性能低下や歩留まり悪化の主要因となります。サブサーフェスダメージを軽減することは、高信頼性・高性能な半導体デバイスの実現に直結します。
各社の製品
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コンベア式エッチング装置
ガラス基板のケミカルエッチング加工サービス
小型エッチング装置
エッチング実験装置『ミニミニエッチャー』
薄膜電子部品工程『フォトリソグラフィープロセス装置』
ウェハ保管用デシケーター【特注事例】
Alテーパーコントロールエッチング液
【加工事例】エッチング加工 パワーデバイス
銅(Cu)材の厚1.0mmに、ガラエポ樹脂を貼り合わせた材料を、
片面よりエッチング加工を行っております。
平井精密工業では、銅厚2.0mmまでの加工対応の実績が有ります。
材質は、銅(Cu)材が主流ですが、アルミニウム(AL)も可能。
絶縁層は、ガラエポ樹脂以外、セラミック(窒化アルミニウム基板、
窒化ケイ素基板等)、ポリイミド、PETフィルムの実績が有ります。
お客様より材料をご支給頂き、エッチング加工を対応させて頂く事が多いです。
【エッチング加工について】
■印刷レジストに加え、フォトエッチングプロセスを用いた工夫を行っている
■仕上がりがより微細に、そしてより直線性を向上させる事が可能
■断面のテーパ部の寸法について、板厚の半分以下に抑える事が可能
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
回路形成材料 電子部品、ウェハーレベルパッケージ工程エッチング液
二宮システム製 ITOエッチング装置
ラッピング・ポリッシングキャリアの製造・販売 樹脂キャリア
スパッタリング・成膜・エッチング・受託加工
研磨装置、エッチングライン
『シリコンエッチング』加工技術紹介
『シリコンエッチング』は、シリコン基板そのものを腐食させ、立体
構造を形成する加工技術です。
シリコンの腐食には、一定方向に進むもの(異方性)と、全方向に進む
もの(等方性)とがあります。
異方性エッチングを行う場合、基板には単結晶のシリコンを使用し、
エッチング液にはKOH水溶液などを用います。
単結晶のシリコンウエハは、結晶方向によって種類分けされていて、
これを選ぶことで、溝加工の種類を選択することができます。
また、エッチング液の種類によって、等方性エッチングもできます。
【特長】
■シリコン基板そのものを腐食させ、立体構造を形成
■結晶方向の種類を選ぶことで溝加工の種類を選択可能
■エッチング液の種類によって、等方性エッチングも可能
※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。











