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サブサーフェスダメージの軽減とは?課題と対策・製品を解説

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ウェーハのダイシングにおけるサブサーフェスダメージの軽減とは?
半導体製 造プロセスにおいて、ウェーハを個々のチップに分割するダイシング工程は不可欠です。しかし、この工程で発生するウェーハ裏面(サブサーフェス)へのダメージは、チップの性能低下や歩留まり悪化の主要因となります。サブサーフェスダメージを軽減することは、高信頼性・高性能な半導体デバイスの実現に直結します。
各社の製品
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【技術紹介】ダイシング工程
アルミエッチング液『混酸Alエッチング液』
レクザム 超臨界流体CO2応用装置
化合物半導体用の研磨材、エッチング材『INSEC』
『INSEC』は、化合物半導体結晶をメカノケミカル加工によって
精度よく鏡面に仕上げるポリシング材です。
種類も豊富で、GaAsウェーファー用の「FP(一次用ポリシング材)」、
「NIB(ファイナル用ポリシング材)」、GaPウェーファー用の
「P(ファイナル用ポリシング材)」などをラインアップ。
この他に、GaAsウェーファーの精密ポリシング専用ポリシング材「SP」や、
InPウェファー用の「IPP(一次用ポリシン グ材)」もご用意しています。
また、GaAsおよびGaPのLED関係のエッチング材としても有効です。
いずれも顆粒状になっており、使用直前に溶かします。
【特長】
■精度よく鏡面に仕上げるポリシング材
■豊富な種類
■GaAsおよびGaPのLED関係のエッチング材としても有効
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『シリコンエッチング』加工技術紹介
『シリコンエッチング』は、シリコン基板そのものを腐食させ、立体
構造を形成する加工技術です。
シリコンの腐食には、一定方向に進むもの(異方性)と、全方向に進む
もの(等方性)とがあります。
異方性エッチングを行う場合、基板には単結晶のシリコンを使用し、
エッチング液にはKOH水溶液などを用います。
単結晶のシリコンウエハは、結晶方向によって種類分けされていて、
これを選ぶことで、溝加工の種類を選択することができます。
また、エッチング液の種類によって、等方性エッチングもできます。
【特長】
■シリコン基板そのものを腐食させ、立体構造を形成
■結晶方向の種類を選ぶことで溝加工の種類を選択可能
■エッチング液の種類によって、等方性エッチングも可能
※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ウェハー加工サービス
透明導電膜エッチング液(アモルファス向け)『ITO-07N』
ラッピング・ポリッシングキャリアの製造・販売 樹脂キャリア
コンベア式エッチング装置
バックグラインドテープ
露光装置 MA300 Gen2
研磨装置、エッチングライン
SAP・MSAP・エニーレイヤー工程における JCU提案プロセス
二宮システム製 ITOエッチング装置
『Wafer Level 各種めっき受託加工サービス』
エッチング技術
『MEMSセンシング&ネットワークデバイス向け装置ラインアップ』
当社では、ウェハの洗浄からエッチング、剥離、検査まで
MEMS生産における各プロセスで活躍する装置を取り揃えています。
今回、「MEMSセンシング&ネットワークシステム展 2020」にて
お立ち寄りいただいた方からの反響の大きかった製品をピックアップ。
プロセスの効率化につながる装置を紹介します。
【出展製品(一部)】
<圧電MEMS向け プラズマポーリング(分極処理)装置>
均一性に優 れ、最大90%と高い極性効果を発揮
<圧電材料/磁性材料対応 イオンミリング装置>
φ100mmのウェハ6枚を同時に処理が可能な機種も用意
<高出力・短パルス制御 光焼成装置>
照射光をμ秒で制御でき、下地にダメージレスで瞬間的に加熱
ウェハ保管用デシケーター【特注事例】
シリコンエッチング
フォトファブリケーションを中心的技術として、
マイクロエレクトロニクス製品や光学製品をはじめとする様々な分野での
試作・開発に貢献するフォトプレシジョン社
『シリコンエッチング』のご案内です。
シリコン基板そのものを腐食させ、立体構造を形成する技術
■□■特徴■□■
■シリコンの結晶方向を利用して、溝壁面が平らな
溝加工ができる(異方性エッチング)。
V型の溝と、角型の溝を形成することができる。
■エッチング液の種類によって溝壁面にRがつく、
等方性エッチングも可能。
■□■加工種類■□■
■V溝加工
・基板表面が<100>のシリコン材を用いると
V型の溝を形成する
・斜面の角度は常に同じ(54.7°)
■角溝加工
・基板表面が<110>のシリコン材を用いると、
角型の溝が形成させる
・結晶構造により、溝の向きは側面に対し54.7°に傾く
■等方性
・全方向に等しくエッチングが進む
■その他詳細については、カタログダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。
エミネント式現像エッチング剥離ライン
河合光学株式会社 エッチング加工のご案内
薄膜電子部品工程『フォトリソグラフィープロセス装置』
エッチング実験装置『ミニミニエッチャー 縦型・左右スプレー』
スピン&コンベア処理装置 (エッチング・洗浄・剥離)
■エッチングや洗浄プロセスに最適です。
■薬液処理はスピン方式で、リンス乾燥はコンベアー方式
■W-レーンで更なる高スループット対応した実績有り。
■エッチング時の危険な腐食性ガス対策
◎スピンチャンバー部に前後シャッターやローラーを具備
■薬液の温調循環再利用機能や排水の濃厚/希薄分離機能を有します。
■リンス時のスィングスプレー機能も搭載可能
■リンス水飛沫の再付着 防止を考慮した上下エアーナイフ乾燥
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ウエハ、枚葉式洗浄装置、塗布・現象装置、基板洗浄装置、スピン洗浄装置、半導体製造装置、半導体、レジスト剥離装置、メガソニック、洗浄装置、レジスト、フォトレジスト、フォトリソ工程、シリコン、スクラブ洗浄装置、スクラブ洗浄、ウエハ剥離装置、ウエハ洗浄装置、ウエハ洗浄機
バックグラインドテープ
ウエハサポートサービス
パターニング加工
当社の『パターニング加工』では、8,12インチデバイスライン、MEMS
デバイスライン、6インチ以下デバイス試作ラインにて各プロセスの加工を
アシストする受託ファンドリーサービスを行っています。
半導体素子、MEMS構造、めっき、エッチング(Deep-RIE、Dry&Wet)用の
レジストパターニングの手法としてアライナー、ステッパー、EBでの
露光・現像が可能です。
また、ポジ型、ネガ型、ドライフィルム、薄膜、厚膜用各種レジストを
所有し、ポリイミドのパターニングも可能です。
【代表的な加工プロセス】
■スパッタ
■蒸着
■CVD
■CMP研磨
■Deep-RIE&ICP など
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい
プラズマエッチャー【RIE.S-200A】レンタル始めました~♪
ガラス基板のケミカルエッチング加工サービス

























