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カーフ幅の微細化とは?課題と対策・製品を解説

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ウェーハのダイシングにおけるカーフ幅の微 細化とは?
ウェーハのダイシングにおけるカーフ幅の微細化とは、半導体チップを製造する際に、一枚のウェーハを個々のチップに切り分ける工程(ダイシング)において、チップ間の切り込み幅(カーフ幅)を極限まで狭める技術のことです。これにより、ウェーハ一枚からより多くのチップを生産できるようになり、製造コストの削減やチップの高密度化に貢献します。
各社の製品
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半導体(小型IC等) 製造サービス
ハイコンポーネンツ青森株式会社では、半導体市場の様々なニーズと
IT時代に対応した半導体(小型IC等)の製造を行っています。
携帯電話に代表される通信機器をはじめとして、家庭からオフィス、
産業まで、多様化する製品にフレキシブルに対応できる製造ラインと、
安定した高品質な製品を生み出す生産スタッフを整備。
また、小規模ICパッケージからトランジスタ用超小型パッケージまで
様々なご要求に対応出来るように品揃えをしております。
【事業内容】
■パッケージアセンブリ
■ウェハ加工(バックグラインド・ダイシング)
■ファイナルテスト
■豊富なパッケージバリエーション
■環境対応
※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
エッチング技術
卓上ホットプレート 2モデル <250℃仕様/350℃仕様>
ホットプレートの性能は、フォトリソグラフィープロセスの精度を決める重要なファクターです。
特に、膜厚・線幅・膜質の高い均一性が要求される先端プロセスや、
温度依存性の高い材料でのプロセス開発においては、
ホットプレートの性能が、プロセスパフォーマンスを見極める大きな要因となります。
タイマー制御のピンアップ機構により、正確な時間管理を実現。
ウェーハ間の均一な熱処理を可 能にしました。
標準250℃モデルに加え、高温350℃モデルもご用意。
また、処理前後に均一な冷却が必要な場合は、卓上クールプレートも
ご利用いただけます。
【特長】
■高精度な面内温度均一性。
■タイマー制御により、ウェーハ間差を低減。
■3~8インチに対応。
■プロキシミティーボールにより、均一なギャップを確保。
■高温350℃モデルには、火傷防止カバーを装備。
■空冷・水冷の卓上クールプレートもご利用可能。
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小型エッチング装置
シリコンエッチング
フォトファブリケーションを中心的技術として、
マイクロエレクトロニクス製品や光学製品をはじめとする様々な分野での
試作・開発に貢献するフォトプレシジョン社
『シリコンエッチング』のご案内です。
シリコン基板そのものを腐食させ、立体構造を形成する技術
■□■特徴■□■
■シリコンの結晶方向を利用して、溝壁面が平らな
溝加工ができる(異方性エッチング)。
V型の溝と、角型の溝を形成することができる。
■エッチング液の種類によって溝壁面にRがつく、
等方性エッチングも可能。
■□■加工種類■□■
■V溝加工
・基板表面が<100>のシリコン材を用いると
V型の溝を形成する
・斜面の角度は常に同じ(54.7°)
■角溝加工
・基板表面が<110>のシリコン材を用いると、
角型の溝が形成させる
・結晶構造により、溝の向きは側面に対し54.7°に傾く
■等方性
・全方向に等しくエッチングが進む
■その他詳細については、カタログダウンロードもしくはお問い合わせ下さい。
高精度処理タイプ 剥離・アルカリエッチングライン
二宮システム製 ITOエッチング装置
枚葉式露光装置
【技術紹介】ダイシング工程
書籍【ウェットエッチングのメカニズムと処理パラメータの最適化】
○発刊日2008年07月30日○体裁B5判上製本 223頁○価格:本体 55,000円 →STbook会員価格:52,190円+税○著者:松本 克才 八戸工業高等専門学校 /
高井 健次 日立化成工業(株) /
多田 修 平井精密工業(株) /
石川 典夫 関東化学(株) /
式田 光宏 名古屋大学 /
篠田 和典 (株)日立製作所 /
渡慶次 学 名古屋大学 /
菊谷 善国 マイクロ化学技研(株) /
小国 隆志 東レエンジニアリング(株) /
石井原 耕一 東洋クロス(株) /
山村 和也 大阪大学 /
竹中 敦義 旭硝子(株) /
青山 哲男 林純薬工業(株) /
猪原 康正 (株)石井表記 /
板谷 謹悟 東北大学 /
八尾 秀樹 住友電気工業(株) /
鍛示 和利 (株)日立製作所
露光装置 MA300 Gen2
エッチング実験装置『ミニミニエッチャー』
パターニング加工
当社の『パターニング加工』では、8,12インチデバイスライン、MEMS
デバイスライン、6インチ以下デバイス試作ラインにて各プロセスの加工を
アシストする受託ファンドリーサービスを行っています。
半導体素子、MEMS構造、めっき、エッチング(Deep-RIE、Dry&Wet)用の
レジストパターニングの手法としてアライナー、ステッパー、EBでの
露光・現像が可能です。
また、ポジ型、ネガ型、ドライフィルム、薄膜、厚膜用各種レジストを
所有し、ポリイミドのパターニングも可能です。
【代表的な加工プロセス】
■スパッタ
■蒸着
■CVD
■CMP研磨
■Deep-RIE&ICP など
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい
レジストパターニング
コンベア式エッチング装置
エミネント式現像エッチング剥離ライン
『低反射めっき加工』エレクトロフォーミング(電鋳)技術のご紹介
『エレクトロフォーミング』とは、電解めっきによりNiめっき層を析出させて、金属製品を高精度成形する技術です。
フォトレジストに被さるように製品を析出させる「オーバーハングタイプ」、
厚み方向が直線的な形状の「ストレートタイプ」、複数の層から構成される
「積層タイプ」の3種類の断面形状から選択可能。
エッチングでは困難なミクロンレベルの超微細加工が可能で、電子 部品、
精密機器部品、自動車部品、半導体分野へ広く応用されています。
【特長】
■エッチングでは困難なミクロンレベルの超微細加工が可能
■金型不要でイニシャル費を削減、3次元断面形状の成型が可能
■電子部品、精密機器部品、自動車部品、半導体分野へ広く応用
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ICPメタルエッチング装置
『ICPメタルエッチング装置』は、先端薄膜プロセスに対応した
金属膜対応の高密度プラズマエッチング装置です。
半導体、MEMSなどの汎用デバイスだけでなく露光用マスクや金属基板の
表面処理などの特殊プロセスにも積極対応いたします。
独自のチャンバ内構造により抵パーティクルのメタルエッチング
(nmレベル)を実現しており、高い歩留りと稼働率が特長です。
【特長】
■nmレベルのメタル膜の精密エッチング
■独自機構による抵パーティクルプロセス
■メタル膜、化合物半導体基板など幅広い用途へのプロセス対応
■ナノインプリントモールド用「SERIO」の基本構成を生かした
高いハードの信頼性
■ウェハだけでなく特殊材質、形状基板への積極対応
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
半導体・プリント基板水平製造装置 エッチング装置(パターン形成)
エッチング
電解メッキ
フォトファブリケーションを中心的技術として、
マイクロエレクトロニクス製品や光学製品をはじめとする様々な分野での
試作・開発に貢献するフォトプレシジョン社
『電解メッキ』のご案内です。
イオン化した金属を含む水溶液に基板を入れ、液中に電気を流して
基板の表面に金属を析出させる加工
■□■特徴■□■
■6インチウエハー対応のメッキシステムを導入
■蒸着による成膜は通常は1μm以下だが、メッキでは数μmの膜を形成する
ことができる
■立体形状の物への加工に適している
■金属膜としては、膜の厚みが要求される回路形成やリフトオフの犠牲膜として
使用、パターンの一部を隆起させることで微細バンプの形成も可能
■その他機能や詳細については、カタログダウンロード
もしくはお問い合わせ下さい。
二宮システム製 超小型エッチング試験装置
シングルスピンドルダイシング装置『7900 Uno』
薄膜電子部品工程『フォトリソグラフィープロセス装置』
アルミエッチン グ液『混酸Alエッチング液』
エッチング実験装置『ミニミニエッチャー 縦型・左右スプレー』
ウエットエッチングによる金属膜パターニング加工サービス
Alテーパーコントロールエッチング液

























